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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
APT30D60SG	3.3000	RFQ	3118	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA	APT30D60	기준		D3 [S]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			600 v		1.8 V @ 30 a	85 ns	250 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
JAN1N2818RB	-	RFQ	2286	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/114	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AD	1N2818		10 W.	TO-204AD (TO-3)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 2 a		10 µa @ 15.2 v									20 v	2.4 옴
SMBJ5346CE3/TR13	1.0800	RFQ	3896	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5346		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 1 a		7.5 µa @ 6.6 v									9.1 v	2 옴
1N4734E3/tr13	0.8100	RFQ	9017	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4734		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 2 v									5.6 v	5 옴
1 PMT5948B/TR13	2.2200	RFQ	8492	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5948		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 69.2 v									91 v	200 옴
JANS1N4127CUR-1	97.9650	RFQ	8215	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 42.6 v									56 v	300 옴
1 PMT5929A/TR13	2.2200	RFQ	8788	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5929		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 11.4 v									15 v	8 옴
2N5151U3	85.8382	RFQ	4433	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			1.16 w	U3	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1												80 v	1 MA			1MA				PNP	1.5v @ 500ma, 5a	30 @ 2.5a, 5V	-
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2N5237	23.9134	RFQ	5425	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔	2N5237		1 W.	TO-5AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1												120 v	10 a			10µA				NPN	2.5V @ 1A, 10A	50 @ 1a, 5V	-
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1 PMT5931B/TR7	2.2200	RFQ	2765	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5931		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 13.7 v									18 v	12 옴
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1N4776A	33.0450	RFQ	8561	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4776		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																	8.5 v	200 옴
jantxv1n4486	12.8850	RFQ	1961	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4486		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1 v @ 200 ma		250 na @ 60 v									75 v	130 옴
jantxv2n2221aua/tr	26.7596	RFQ	2307	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/255	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 없음			650 MW	UA	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv2n2221aua/tr			100												50 v	800 MA			50NA				NPN	1V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	-
2N3743	15.3482	RFQ	7735	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N3743		1 W.	To-39	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1												300 v	200 MA			250NA (ICBO)				PNP	1.2v @ 3ma, 30ma	50 @ 30MA, 10V	-
UM7502F	34.1100	RFQ	9324	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C		-				-	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-um7502f	귀 99	8541.10.0060	1		10 W.									1pf @ 100V, 1MHz			핀 - 단일	200V				1ohm @ 50ma, 100MHz
CDLL5233A/TR	2.7132	RFQ	1921	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			10 MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5233A/TR	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3.5 v									6 v	7 옴
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1N3332A	49.3800	RFQ	6907	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3332		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 a		10 µa @ 38.8 v									51 v	5.2 옴
1 PMT5943A/TR7	2.2200	RFQ	1944	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5943		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v									56 v	86 옴
1N4461	11.2950	RFQ	8671	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N4461		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	1N4461ms	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		5 µa @ 4.08 v									6.8 v	2.5 옴
SBT3060C	62.1000	RFQ	1392	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	SBT3060	Schottky		TO-204AA (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-SBT3060C	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1 음극 음극 공통	60 v	15a	740 mV @ 30 a		1.5 ma @ 60 v	-65 ° C ~ 175 ° C
GC4701-150A	-	RFQ	6406	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C		주사위				칩	-			영향을받지 영향을받지	150-GC4701-150AT	귀 99	8541.10.0040	1		2 w									0.15pf @ 6V, 1MHz			핀 - 단일	20V				1.5ohm @ 10ma, 100MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²