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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
UM7502F Microchip Technology UM7502F 34.1100
RFQ
ECAD 9324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-um7502f 귀 99 8541.10.0060 1 10 W. 1pf @ 100V, 1MHz 핀 - 단일 200V 1ohm @ 50ma, 100MHz
2N5415UAC Microchip Technology 2N5415UAC 63.3600
RFQ
ECAD 4897 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 750 MW UA - 영향을받지 영향을받지 150-2N5415UAC 귀 99 8541.21.0095 1 200 v 1 a 1MA PNP 2V @ 5MA, 50MA 30 @ 50MA, 10V -
1N3332A Microchip Technology 1N3332A 49.3800
RFQ
ECAD 6907 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3332 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 38.8 v 51 v 5.2 옴
JAN1N5545BUR-1 Microchip Technology JAN1N5545BUR-1 -
RFQ
ECAD 1505 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 27 v 30 v 100 옴
1N6028B Microchip Technology 1N6028B 2.7750
RFQ
ECAD 6791 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6028 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 114 v 150 v 1250 옴
JANTXV1N3824D-1 Microchip Technology jantxv1n3824d-1 36.1800
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N3824 1 W. DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
2N5151U3 Microchip Technology 2N5151U3 85.8382
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1.16 w U3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JANTX1N4957 Microchip Technology jantx1n4957 7.2150
RFQ
ECAD 5825 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4957 5 w 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 25 µa @ 6.9 v 9.1 v 2 옴
CDLL4732 Microchip Technology CDLL4732 2.4450
RFQ
ECAD 8398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4732 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
1N2788 Microchip Technology 1N2788 74.5200
RFQ
ECAD 6813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 (DO-203AB) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1N2788 귀 99 8541.10.0080 1 200 v 1.25 V @ 200 a 25 µa @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C 70A -
JANTX2N4033UB/TR Microchip Technology jantx2n4033ub/tr 25.9350
RFQ
ECAD 5360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/512 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 500MW TO-39 (TO-205AD) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n4033ub/tr 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V -
JAN1N4119C-1/TR Microchip Technology JAN1N4119C-1/TR 9.4430
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4119C-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 21.3 v 28 v 200 옴
UM4902C Microchip Technology UM4902C -
RFQ
ECAD 1842 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 마개 - - 영향을받지 영향을받지 150-UM4902ctr 귀 99 8541.10.0060 1 37.5 w 3pf @ 100V, 1MHz 핀 - 단일 200V 500mohm @ 100ma, 100mhz
JANTXV1N4133D-1/TR Microchip Technology jantxv1n4133d-1/tr 25.8153
RFQ
ECAD 1371 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4133d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 66.2 v 87 v 1000 옴
JANTX1N754CUR-1 Microchip Technology jantx1n754cur-1 -
RFQ
ECAD 2082 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 5 옴
JAN1N4489DUS Microchip Technology JAN1N4489DUS 34.6050
RFQ
ECAD 7966 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4489 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 250 NA @ 80 v 100 v 250 옴
SMBJ5346CE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5346CE3/TR13 1.0800
RFQ
ECAD 3896 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5346 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 7.5 µa @ 6.6 v 9.1 v 2 옴
2N3743 Microchip Technology 2N3743 15.3482
RFQ
ECAD 7735 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N3743 1 W. To-39 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 300 v 200 MA 250NA (ICBO) PNP 1.2v @ 3ma, 30ma 50 @ 30MA, 10V -
JANTXV1N3824D-1/TR Microchip Technology jantxv1n3824d-1/tr 32.2126
RFQ
ECAD 9944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3824d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
JANTX1N748A-1 Microchip Technology jantx1n748a-1 2.2800
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N748 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.9 v 20 옴
CDLL935/TR Microchip Technology CDLL935/TR 4.2600
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL935/tr 귀 99 8541.10.0050 1 9 v 20 옴
1PMT5931B/TR7 Microchip Technology 1 PMT5931B/TR7 2.2200
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5931 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
GC4701-150A Microchip Technology GC4701-150A -
RFQ
ECAD 6406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-GC4701-150AT 귀 99 8541.10.0040 1 2 w 0.15pf @ 6V, 1MHz 핀 - 단일 20V 1.5ohm @ 10ma, 100MHz
1N5806URS Microchip Technology 1N5806URS 32.3850
RFQ
ECAD 1723 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 기준 A, SQ-Mell - 영향을받지 영향을받지 150-1n5806URS 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 160 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 10V, 1MHz
1N6019UR Microchip Technology 1N6019UR 3.5850
RFQ
ECAD 6735 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N6019 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
1N5948C Microchip Technology 1N5948C 6.7950
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do041, 축 방향 1N5948 1.25 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 69.2 v 91 v 200 옴
JAN1N4626-1 Microchip Technology JAN1N4626-1 -
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 5.6 v 1400 옴
1PMT5929A/TR13 Microchip Technology 1 PMT5929A/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 8788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5929 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11.4 v 15 v 8 옴
1PMT5934CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5934CE3/TR7 0.7350
RFQ
ECAD 9967 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5934 3 w DO-216AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
JANTX1N2979RB Microchip Technology jantx1n2979rb -
RFQ
ECAD 7143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/124 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 10 W. DO-213AA (DO-4) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 11.4 v 15 v 3 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고