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불연속 불연속 제품 (41164)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANTXV1N5532DUR-1 Microchip Technology jantxv1n5532dur-1 61.9050
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 10.8 v 12 v 90 옴
APTGT30TL601G Microchip Technology aptgt30tl601g 56.5400
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTGT30 90 W. 기준 SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 50 a 1.9V @ 15V, 30A 250 µA 아니요 1.6 NF @ 25 v
DN2530N8-G Microchip Technology DN2530N8-G 0.8800
RFQ
 ECAD 3905 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DN2530 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 300 v 200MA (TJ) 0V 12ohm @ 150ma, 0v - ± 20V 300 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.6W (TA)
JANTXV1N4482CUS/TR Microchip Technology jantxv1n4482cus/tr 45.2850
RFQ
 ECAD 1653 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantxv1n4482cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 NA @ 40.8 v 51 v 60 옴
SMBJ5956AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5956AE3/TR13 0.8850
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5956 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
JANTXV1N4623D-1/TR Microchip Technology jantxv1n4623d-1/tr 18.6300
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4623d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 2 v 4.3 v 1600 옴
JANS1N5420 Microchip Technology JANS1N5420 55.6950
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/411 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 b, 축 기준 b, 축 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 9 a 400 ns -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N2990RB Microchip Technology 1N2990RB 40.3200
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N2990 10 W. DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 25.1 v 33 v 9 옴
JANS1N6336US/TR Microchip Technology JANS1N6336US/TR 154.0106
RFQ
 ECAD 1869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n6336us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 25 v 33 v 40
APTGF150A120TG Microchip Technology APTGF150A120TG -
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP4 961 w 기준 SP4 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 NPT 1200 v 200a 3.7V @ 15V, 150A 350 µA 예 10.2 NF @ 25 v
JAN1N3022B-1/TR Microchip Technology JAN1N3022B-1/TR 8.3524
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N3022B-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
1N6761-1 Microchip Technology 1N6761-1 82.6950
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N6761 Schottky DO-41 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 690 mV @ 1 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 5V, 1MHz
APT10090SLLG Microchip Technology APT10090SLLG 17.8700
RFQ
 ECAD 2907 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT10090 MOSFET (금속 (() D3 [S] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 12A (TC) 900mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 71 NC @ 10 v 1969 pf @ 25 v -
UFS570J/TR13 Microchip Technology UFS570J/TR13 3.7650
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC UFS570 기준 do-214ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 700 v 1.35 V @ 5 a 60 ns 10 µa @ 700 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a -
JAN2N1890S Microchip Technology JAN2N1890 년대 -
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/225 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 500 MA 10NA (ICBO) NPN 5V @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
JANS1N4491CUS Microchip Technology JANS1N4491CUS 283.8300
RFQ
 ECAD 1618 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4491CUS 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 96 v 120 v 400 옴
JANTX1N757C-1 Microchip Technology jantx1n757c-1 6.3600
RFQ
 ECAD 6915 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N757 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
JANS1N6332DUS/TR Microchip Technology JANS1N6332DUS/TR 527.7150
RFQ
 ECAD 2129 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jans1n6332dus/tr 귀 99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 a 50 na @ 17 v 22 v 20 옴
1N5368E3/TR13 Microchip Technology 1N5368E3/tr13 0.9900
RFQ
 ECAD 9082 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5368 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 33.8 v 47 v 25 옴
JANTX1N6910UTK2 Microchip Technology jantx1n6910utk2 -
RFQ
 ECAD 2891 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/723 대부분 활동적인 표면 표면 Thinkey ™ 2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky Thinkey ™ 2 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 15 v 520 MV @ 25 a 1.2 ma @ 15 v -65 ° C ~ 150 ° C 25A 2000pf @ 5V, 1MHz
JANTX1N3022DUR-1/TR Microchip Technology jantx1n3022dur-1/tr 41.5359
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n3022dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
JANTXV1N2843B Microchip Technology jantxv1n2843b -
RFQ
 ECAD 8173 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2843 10 W. TO-204AD (TO-3) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 114 v 150 v 75 옴
JANHCA1N4579A Microchip Technology JANHCA1N4579A 24.6000
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4579A 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 50 옴
JANHCA1N4566A Microchip Technology JANHCA1N4566A 8.4300
RFQ
 ECAD 1251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4566A 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 200 옴
CDLL5991 Microchip Technology CDLL5991 2.2950
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL5991 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
1N5368BE3/TR12 Microchip Technology 1N5368BE3/TR12 2.6850
RFQ
 ECAD 4508 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5368 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 33.8 v 47 v 25 옴
1N3993E3 Microchip Technology 1N3993E3 53.5950
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 10 W. DO-4 (DO-203AA) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1N3993E3 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 100 µa @ 500 mV 3.9 v 2 옴
JAN2N4261 Microchip Technology JAN2N4261 -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/511 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 To-72-3 2 캔 2N4261 200 MW To-72 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 15 v 30 MA 10µA (ICBO) PNP 350mv @ 1ma, 10ma 30 @ 10ma, 1v -
JANTXV1N4480CUS Microchip Technology jantxv1n4480cus 45.1350
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4480cus 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 34.4 v 43 v 40
JANTXV1N970CUR-1 Microchip Technology jantxv1n970cur-1 19.3800
RFQ
 ECAD 6960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N970 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 18 v 24 v 33 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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