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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CDLL4762A/TR	3.2319	RFQ	2789	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF					do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4762A/TR	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 200 ma		100 na @ 62.2 v										82 v	200 옴
SMBJ4744A/TR13	0.8850	RFQ	3022	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4744		2 w		SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 11.4 v										15 v	14 옴
JAN2N6678	135.9659	RFQ	8514	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/538	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	2N6678		6 w		TO-204AA (TO-3)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																						400 v	15 a		1MA					NPN	1V @ 3A, 15a	15 @ 1a, 3v	-
VN1206L-G	2.1600	RFQ	156	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	VN1206	MOSFET (금속 (()			To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널	120 v	230ma (TJ)	2.5V, 10V	6ohm @ 500ma, 10V	2V @ 1mA		± 30V	125 pf @ 25 v	-	1W (TC)
jantx2n4236L	40.5517	RFQ	9574	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/580	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.		TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx2N4236L			1																						80 v	1 a		1MA					PNP	600mv @ 100ma, 1a	40 @ 100ma, 1v	-
Jan1n964d-1/tr	5.5328	RFQ	9327	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N964D-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 9.9 v										13 v	13 옴
APTGT100A120TG	127.5600	RFQ	2819	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP4	APTGT100		480 W.	기준	SP4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	반 반																				트렌치 트렌치 정지	1200 v	140 a	2.1V @ 15V, 100A	250 µA	예			7.2 NF @ 25 v
1N5353E3/tr13	0.9900	RFQ	7582	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5353		5 w		T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,250															1.2 v @ 1 a		1 µa @ 11.5 v										16 v	2.5 옴
jantx1n7054-1	8.8950	RFQ	8139	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인										-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1
MNS1N5806US/TR	8.9550	RFQ	4119	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/477	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, a		표준, 극성 역			A, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-mns1n5806us/tr	귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												160 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1MHz
APT50M75JLLU3	32.1100	RFQ	8351	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT50M75	MOSFET (금속 (()			SOT-227	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			n 채널	500 v	51A (TC)	10V	75mohm @ 25.5a, 10V	5V @ 1MA	123 NC @ 10 v	± 30V	5590 pf @ 25 v	-	290W (TC)
JAN1N4464CUS/TR	26.9100	RFQ	3874	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w		D-5A	-				150-JAN1N4464CUS/TR	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a		300 NA @ 5.46 v										9.1 v	4 옴
2N3302	33.6000	RFQ	3379	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인										-			영향을받지 영향을받지	150-2N3302			1
jantxv1n4106dur-1	-	RFQ	2625	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		50 na @ 9.2 v										12 v	200 옴
JAN1N3595US	9.6750	RFQ	9928	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, b		기준			B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1		짐												125 v	1 v @ 200 ma	3 µs		-65 ° C ~ 150 ° C	4a	-
JANS1N4994D	-	RFQ	8917	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e, 축 방향			5 w		e, 축 방향	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a		2 µa @ 251 v										330 v	1175 옴
SMAJ5918BE3/TR13	0.3450	RFQ	2686	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5918		3 w		DO-214AC (SMAJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500															1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v										5.1 v	4 옴
1N6635	-	RFQ	1734	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N6635		5 w		e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a		25 µa @ 1 v										4.3 v	500 옴
1N4758p/tr12	1.8600	RFQ	4210	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4758		1 W.		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000															1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 42.6 v										56 v	110 옴
JANS1N4619DUR-1	209.1300	RFQ	4619	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW		DO-213AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		400 na @ 1 v										3 v	1600 옴
BZV55C24/TR	2.7664	RFQ	3812	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)					DO-213AA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-bzv55c24/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 16.8 v										24 v
JAN1N2837B	-	RFQ	9304	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AD	1N2837		10 W.		TO-204AD (TO-3)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 2 a		10 µa @ 69.2 v										91 v	15 옴
JAN1N7052UR-1/TR	9.3150	RFQ	7620	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			250 MW		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N7052UR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1																	5 µa @ 1.5 v										4.8 v	35 옴
1N5360E3/tr12	2.6250	RFQ	4280	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5360		5 w		T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.2 v @ 1 a		500 na @ 18 v										25 v	4 옴
CDLL5948B	3.9300	RFQ	2175	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5948		1.25 w		do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 69.2 v										91 v	200 옴
JAN1N6338C	39.6300	RFQ	7271	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW		DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-JAN1N6338C	귀 99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		50 na @ 30 v										39 v	55 옴
jantx1n6316cus/tr	44.6250	RFQ	1716	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/533	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW		B, SQ-Mell	-				150-jantx1n6316cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100															1.4 V @ 1 a		5 µa @ 1.5 v										4.7 v	17 옴
1 PMT5948C/TR7	2.7600	RFQ	6092	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5948		3 w		DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 69.2 v										91 v	200 옴
1N5987D	5.1900	RFQ	2225	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5987		500MW		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v										3 v	95 옴
JANSR2N3636ub/tr	-	RFQ	9838	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 없음			1.5 w		ub	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jansr2n3636ub/tr	귀 99	8541.29.0095	1																						175 v	10 µA		10µA					PNP	600mv @ 5ma, 50ma	50 @ 50MA, 10V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²