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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CD6325	2.1014	RFQ	2810	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	표면 표면	주사위				주사위	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD6325	귀 99	8541.10.0050	1
1N5273bur-1	5.1900	RFQ	8308	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA	1N5273		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		100 na @ 91 v									120 v	900 옴
GMP4212-GM1	3.5700	RFQ	295	마이크로 마이크로 기술	Gigamite®	가방	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C		0805 (2012 5)	GMP4212			0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1																0.25pf @ 10V, 1MHz			핀 - 단일	100V				1.5ohm @ 20ma, 100MHz
JAN1N6076	19.0950	RFQ	8906	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/503	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N6076	기준		e-pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v	1.76 V @ 18.8 a	30 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 155 ° C	1.3a	-
JAN1N4975DUS	29.4600	RFQ	6903	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4975		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a		2 µa @ 38.8 v									51 v	27
JANS1N4119-1	33.7800	RFQ	7029	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 21.3 v									28 v	200 옴
UES1302E3/tr	24.5400	RFQ	3773	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	b, 축		기준		b, 축	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-ues1302e3/tr	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									100 v	925 MV @ 6 a	30 ns	5 µa @ 100 v	175 ° C	6A	-
jantxv1n6348us	22.3050	RFQ	7255	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6348		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		50 na @ 76 v									100 v	340 옴
1N5370/tr8	2.6250	RFQ	3010	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5370		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000											1.2 v @ 1 a		500 NA @ 40.3 v									56 v	35 옴
JAN2N2324S	-	RFQ	2474	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/276	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔				To-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1		2 MA		100 v	800 MV	15A @ 60Hz	200 µA	10 µA	표준 표준
2N6542	56.0700	RFQ	9853	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			100 W.	TO-204AD (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N6542	귀 99	8541.29.0095	1																	300 v	5 a			-				PNP	-	-	-
CDLL4738	3.4650	RFQ	1568	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4738			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 6 v									8.2 v	4.5 옴
jantxv1n4104dur-1/tr	36.8809	RFQ	2951	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4104dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 7.6 v									10 v	200 옴
UM4001BHR2	-	RFQ	6631	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인		-		축				축	-			영향을받지 영향을받지	150-UM4001BHR2	귀 99	8541.10.0060	1			12 W.													3pf @ 100V, 1MHz			핀 - 단일	100V				500mohm @ 100ma, 100mhz
jantxv1n6348cus/tr	57.2550	RFQ	8329	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/533	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-				150-jantxv1n6348cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100											1.4 V @ 1 a		50 na @ 76 v									100 v	340 옴
jantxv1n4971us	-	RFQ	1675	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a		2 µA @ 27.4 v									36 v	11 옴
jantxv1n3027dur-1/tr	50.5932	RFQ	2888	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n3027dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 15.2 v									20 v	22 옴
1N6335	8.4150	RFQ	6249	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6335		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		50 na @ 23 v									30 v	32 옴
jankcap2n3634	-	RFQ	7703	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankcap2n3634			100																	140 v	1 a			10µA				PNP	600mv @ 5ma, 50ma	50 @ 50MA, 10V	-
1N5990C	4.1550	RFQ	5118	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5990		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v									3.9 v	90 옴
UZ8816	22.4400	RFQ	6619	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	a, 축 방향			1 W.	a, 축 방향	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ8816	귀 99	8541.10.0050	1													500 NA @ 11.5 v									16 v	16 옴
MNS1N6640US	12.3600	RFQ	4499	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/609	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, d		기준		D-5D	-			영향을받지 영향을받지	150-mns1n6640us	귀 99	8541.10.0070	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v	1 v @ 200 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	300ma	-
1N4581	7.1850	RFQ	2389	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n4581	귀 99	8541.10.0050	1													2 µa @ 3 v									6.4 v	25 옴
JANS1N3595A-1	-	RFQ	6812	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도									125 v	1 v @ 200 ma	3 µs	2 na @ 125 v	-65 ° C ~ 175 ° C	150ma	-
1N5949D	8.2950	RFQ	4787	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N5949		1.25 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v									100 v	250 옴
1N6627US	14.2200	RFQ	4953	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, a	1N6627	기준		A-Mell	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									440 v	1.35 V @ 2 a	30 ns	2 µa @ 440 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.75A	40pf @ 10V, 1MHz
jantxv1n6662/tr	-	RFQ	5742	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n6662/tr	귀 99	8541.10.0070	1	짐									400 v	1 V @ 400 mA		50 na @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	-
MSASC150H45LV/TR	274.2750	RFQ	2766	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	Thinkey ™ 3		Schottky		Thinkey ™ 3	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MSASC150H45LV/TR	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									45 v	600 mV @ 150 a		10 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	150a	-
jantxv1n5415us	-	RFQ	1762	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/411	대부분	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	SQ-Mell, e		기준		D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									50 v	1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jankca1n4120	-	RFQ	2972	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7 (DO-204AA)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankca1n4120	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 na @ 22.8 v									30 v	200 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²