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불연속 불연속 제품 (41164)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
JANS1N6312/TR Microchip Technology JANS1N6312/tr 107.0906
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n6312/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 5 µa @ 1 v 3.3 v 27
JANHCA1N966B Microchip Technology JANHCA1N966B 8.5785
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 (DO-204AA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N966B 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 12.2 v 16 v 17 옴
1N4735AUR/TR Microchip Technology 1N4735aur/tr 3.1700
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 1 W. do-213ab - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4735aur/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 6.2 v 2 옴
SPD25 Microchip Technology SPD25 -
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-SPD25 귀 99 8541.10.0080 1 1.4 V @ 39 a 2 µa @ 660 v 25 a 단일 단일 660 v
JANTX1N5518C-1/TR Microchip Technology jantx1n5518c-1/tr 17.4496
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5518c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 26 옴
JANHCA1N4371A Microchip Technology JANHCA1N4371A 7.4746
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4371A 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 60 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
JANTX1N4102UR-1/TR Microchip Technology jantx1n4102ur-1/tr 5.8919
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4102ur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.7 v 8.7 v 200 옴
1N4700/TR Microchip Technology 1N4700/tr 3.9900
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4700/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 9.8 v 13 v
CDLL4132/TR Microchip Technology CDLL4132/tr 3.3516
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL4132/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 62.4 v 82 v 800 옴
JANTXV1N4619UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n4619ur-1/tr 10.8262
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4619ur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 400 na @ 1 v 3 v 1.6 옴
JANHCA1N5542B Microchip Technology JANHCA1N5542B 6.7564
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5542B 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 21.6 v 24 v 100 옴
JAN1N5804US/TR Microchip Technology JAN1N5804US/TR 9.8850
RFQ
 ECAD 7322 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/477 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 기준 D-5A 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5804US/TR 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 2.5 a 25 ns 1 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 2.5A 25pf @ 10V, 1MHz
JAN1N4133-1/TR Microchip Technology Jan1n4133-1/tr 3.2585
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4133-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 66.2 v 87 v 1000 옴
JANTXV1N3825A-1/TR Microchip Technology jantxv1n3825a-1/tr 10.1612
RFQ
 ECAD 2283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3825a-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 12.2 v 16 v 16 옴
JANS1N4135UR-1/TR Microchip Technology JANS1N4135UR-1/TR 45.8600
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4135UR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 76 v 100 v 1.5 옴
1N4101/TR Microchip Technology 1N4101/tr 2.3408
RFQ
 ECAD 3040 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 (DO-204AA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4101/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 6.24 v 8.2 v 200 옴
JANS1N938BUR-1/TR Microchip Technology JANS1N938BUR-1/TR -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/156 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n938bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 6 v 9 v 20 옴
JANTXV1N5528C-1/TR Microchip Technology jantxv1n5528c-1/tr 20.8544
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5528c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 7.5 v 8.2 v 40
JANTXV1N978CUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n978cur-1/tr 17.3166
RFQ
 ECAD 8613 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n978cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 39 v 51 v 125 옴
JANTX1N5543BUR-1/TR Microchip Technology jantx1n5543bur-1/tr 13.2202
RFQ
 ECAD 9702 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5543bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 22.4 v 25 v 100 옴
JANTX1N3154-1/TR Microchip Technology jantx1n3154-1/tr -
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/158 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANTX1N3154-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 5.5 v 8.8 v 15 옴
JAN1N967BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n967bur-1/tr 4.0831
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N967BUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 14 v 18 v 21 옴
CDLL752A/TR Microchip Technology CDLL752A/TR 3.2718
RFQ
 ECAD 5662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL752A/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2.5 v 5.6 v 11 옴
MX2N4391UB/TR Microchip Technology mx2n4391ub/tr 69.5324
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4391ub/tr 1
JAN1N5522D-1/TR Microchip Technology Jan1n552d-1/tr 15.8137
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N552D-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 2 v 4.7 v 22 옴
CDLL5277B/TR Microchip Technology CDLL5277B/TR 2.9526
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF do-213ab - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5277B/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 116 v 160 v 1700 옴
JANS1N5552/TR Microchip Technology JANS1N5552/tr 81.3000
RFQ
 ECAD 1195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/420 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 b, 축 기준 b, 축 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5552/tr 귀 99 8541.10.0080 1 짐 600 v 1.2 v @ 9 a 2 µs 1 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
MSASC25W100KS/TR Microchip Technology MSASC25W100KS/TR 490.3050
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Thinkey ™ 2 Schottky Thinkey ™ 2 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MSASC25W100KS/TR 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 910 MV @ 25 a -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
JANTXV1N3043CUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n3043cur-1/tr 41.0438
RFQ
 ECAD 7096 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3043cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
JAN1N4624C-1/TR Microchip Technology JAN1N4624C-1/TR 8.6317
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4624C-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 4.7 v 1550 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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