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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
JAN1N4970CUS/TR Microchip Technology Jan1n4970cus/tr 23.7000
RFQ
ECAD 7911 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-JAN1N4970CUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 25.1 v 33 v 10 옴
JANTXV1N3049BUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n3049bur-1/tr -
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1.5 w do-213ab (Melf, LL41) - 150-jantxv1n3049bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 121.6 v 160 v 1100 옴
JAN1N6310CUS/TR Microchip Technology Jan1n6310cus/tr 39.2850
RFQ
ECAD 8490 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-JAN1N6310CUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 60 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
JANS1N4488US/TR Microchip Technology JANS1N4488US/TR 165.5400
RFQ
ECAD 5920 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jans1n4488us/tr 귀 99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 72.8 v 91 v 200 옴
JANS1N4965CUS/TR Microchip Technology JANS1N4965CUS/TR 368.3100
RFQ
ECAD 4819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-JANS1N4965CUS/TR 귀 99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 15.2 v 20 v 4.5 옴
JANTXV1N6339US/TR Microchip Technology jantxv1n6339us/tr 22.4550
RFQ
ECAD 3707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantxv1n6339us/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 50 na @ 33 v 43 v 65 옴
1N6312US/TR Microchip Technology 1N6312US/TR 14.7900
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 5 µa @ 1 v 3.3 v 27
1N4964CUS/TR Microchip Technology 1N4964CUS/TR 13.3600
RFQ
ECAD 4668 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 13.7 v 18 v 4 옴
1N4682UR-1/TR Microchip Technology 1N4682UR-1/TR 5.2400
RFQ
ECAD 7613 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 귀 99 8541.10.0050 186 1.5 v @ 100 ma 1 µa @ 1 v 2.7 v
1N3047BUR-1/TR Microchip Technology 1N3047BUR-1/TR 16.2600
RFQ
ECAD 5187 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1.5 w do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 700 옴
1N4747UR-1/TR Microchip Technology 1N4747ur-1/tr 3.4800
RFQ
ECAD 4861 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 285 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 15.2 v 20 v 22 옴
1N6642UB2/TR Microchip Technology 1N6642ub2/tr 18.9400
RFQ
ECAD 3414 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 100
JANS1N4491DUS/TR Microchip Technology JANS1N4491DUS/TR 330.4050
RFQ
ECAD 1964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jans1n4491dus/tr 귀 99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 96 v 120 v 400 옴
JAN1N4974DUS/TR Microchip Technology JAN1N4974DUS/TR 29.6100
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-JAN1N4974DUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 35.8 v 47 v 25 옴
1N5995UR/TR Microchip Technology 1N5995UR/tr 3.7350
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 150-1n5995ur/tr 귀 99 8541.10.0050 264 1.1 v @ 200 ma 6.2 v
JANTX1N988CUR-1/TR Microchip Technology jantx1n988cur-1/tr -
RFQ
ECAD 8810 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 400MW DO-213AA - 150-jantx1n988cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.3 v @ 200 ma 500 NA @ 99 v 130 v 1100 옴
1N5934BUR-1/TR Microchip Technology 1N5934BUR-1/TR 4.2200
RFQ
ECAD 5615 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1.25 w do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 233 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
1N5996UR-1/TR Microchip Technology 1N5996UR-1/TR 3.7400
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 귀 99 8541.10.0050 264 1.1 v @ 200 ma 6.8 v
JANTXV1N4479CUS/TR Microchip Technology jantxv1n4479cus/tr 46.3950
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantxv1n4479cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 NA @ 31.2 v 39 v 30 옴
JANTX1N4476CUS/TR Microchip Technology jantx1n4476cus/tr 28.3050
RFQ
ECAD 1655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantx1n4476cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 na @ 24 v 30 v 20 옴
JANTXV1N6486US/TR Microchip Technology jantxv1n6486us/tr -
RFQ
ECAD 8058 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A 다운로드 150-jantxv1n6486us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
JAN1N6310US/TR Microchip Technology Jan1n6310us/tr -
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-JAN1N6310US/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 60 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
1N5524CUR-1/TR Microchip Technology 1N5524CUR-1/TR 11.4400
RFQ
ECAD 4875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 3.5 v 5.6 v 30 옴
JANTXV1N4958CUS/TR Microchip Technology jantxv1n4958cus/tr 26.5800
RFQ
ECAD 7295 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-jantxv1n4958cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 25 µa @ 7.6 v 10 v 2 옴
JAN1N4986DUS/TR Microchip Technology JAN1N4986DUS/TR 42.5850
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-JAN1N4986DUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 114 v 150 v 330 옴
JAN1N987BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n987bur-1/tr -
RFQ
ECAD 6956 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 400MW DO-213AA - 150-JAN1N987BUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.3 v @ 200 ma 500 NA @ 91 v 120 v 900 옴
JANS1N6348CUS/TR Microchip Technology JANS1N6348CUS/TR 527.7150
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jans1n6348cus/tr 귀 99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 a 50 na @ 76 v 100 v 340 옴
JANTXV1N6634DUS/TR Microchip Technology jantxv1n6634dus/tr -
RFQ
ECAD 1084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w e-melf 다운로드 150-jantxv1n6634dus/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 175 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
JANTXV1N4463CUS/TR Microchip Technology jantxv1n4463cus/tr 31.0350
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantxv1n4463cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 500 NA @ 4.92 v 8.2 v 3 옴
JAN1N6330US/TR Microchip Technology Jan1n6330us/tr 13.2000
RFQ
ECAD 3505 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-JAN1N6330US/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 50 na @ 14 v 18 v 14 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고