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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
JANTX1N4125DUR-1/TR Microchip Technology jantx1n4125dur-1/tr 27.0921
RFQ
ECAD 6179 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4125dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 35.8 v 47 v 250 옴
JANTXV1N6340US/TR Microchip Technology jantxv1n6340us/tr 19.9234
RFQ
ECAD 7000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6340us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 36 v 47 v 75 옴
JANTXV1N5528B-1/TR Microchip Technology jantxv1n5528b-1/tr 8.2327
RFQ
ECAD 5615 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5528b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 7.5 v 8.2 v 40
JANTX1N4128-1/TR Microchip Technology jantx1n4128-1/tr 4.8412
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4128-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 45.6 v 60 v 400 옴
JANTXV1N4962US/TR Microchip Technology jantxv1n4962us/tr 14.2975
RFQ
ECAD 4458 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4962us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 11.4 v 15 v 3.5 옴
JANS1N4991US/TR Microchip Technology JANS1N4991US/TR 107.9502
RFQ
ECAD 6601 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n4991us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 182 v 240 v 650 옴
JAN1N4567A-1/TR Microchip Technology JAN1N4567A-1/TR 6.3600
RFQ
ECAD 6000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4567A-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 200 옴
1N957B-1E3 Microchip Technology 1N957B-1E3 3.1388
RFQ
ECAD 8668 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1N957B-1E3 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 150 µa @ 5.2 v 6.8 v 4.5 옴
JANTX1N4134D-1/TR Microchip Technology jantx1n4134d-1/tr 15.1886
RFQ
ECAD 6951 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANTX1N4134D-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 69.2 v 91 v 1200 옴
1N4930A/TR Microchip Technology 1N4930A/TR 69.4350
RFQ
ECAD 1640 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4930a/tr 귀 99 8541.10.0050 1 19.2 v 36 옴
1N962A/TR Microchip Technology 1N962A/TR 2.0083
RFQ
ECAD 7777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n962a/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 9.5 옴
JANKCA1N5524B Microchip Technology jankca1n5524b -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5524b 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 3.5 v 5.6 v 30 옴
JANTX1N3023DUR-1/TR Microchip Technology jantx1n3023dur-1/tr 41.5359
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n3023dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
JANS1N4970D Microchip Technology JANS1N4970D 374.1920
RFQ
ECAD 7649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4970D 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N4982C Microchip Technology JANS1N4982C 299.3502
RFQ
ECAD 2455 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4982C 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N4964D Microchip Technology JANS1N4964D 374.1920
RFQ
ECAD 9171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4964D 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N4971D Microchip Technology JANS1N4971D 374.1920
RFQ
ECAD 9101 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4971D 귀 99 8541.10.0050 1
NSC1162 Microchip Technology NSC1162 -
RFQ
ECAD 5135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-NSC1162 1
NCC1059 Microchip Technology NCC1059 -
RFQ
ECAD 3125 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-NCC1059 1
MC5961 Microchip Technology MC5961 -
RFQ
ECAD 9610 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MC5961 1
DRF1510 Microchip Technology DRF1510 -
RFQ
ECAD 1743 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DRF1510 귀 99 8541.29.0095 1
JANS1N4974DUS Microchip Technology JANS1N4974DUS 429.5200
RFQ
ECAD 3575 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4974DUS 귀 99 8541.10.0050 1
JANSD2N3501UB Microchip Technology JANSD2N3501UB 94.3500
RFQ
ECAD 1452 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansd2n3501ub 1
JANS1N4960CUS Microchip Technology JANS1N4960CUS 343.6210
RFQ
ECAD 1312 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4960CUS 귀 99 8541.10.0050 1
MSC017SMA120J Microchip Technology MSC017SMA120J 66.3200
RFQ
ECAD 8076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) MSC017 sicfet ((카바이드) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MSC017SMA120J 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1200 v 88A (TC) 20V 22mohm @ 40a, 20V 2.7V @ 4.5MA (유형) 249 NC @ 20 v +23V, -10V 5280 pf @ 1000 v 278W (TC)
JANTXV1N4471DUS/TR Microchip Technology jantxv1n4471dus/tr 72.5515
RFQ
ECAD 3950 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4471dus/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 50 NA @ 14.4 v 18 v 11 옴
JAN1N965BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n965bur-1/tr 3.2452
RFQ
ECAD 4565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N965BUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 11 v 15 v 16 옴
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RFQ
ECAD 3605 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n756aur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 6 v 8.2 v 8 옴
JANTXV1N5536B-1/TR Microchip Technology jantxv1n5536b-1/tr 8.2327
RFQ
ECAD 9843 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5536b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 14.4 v 16 v 100 옴
JANTXV1N979D-1/TR Microchip Technology jantxv1n979d-1/tr 8.5519
RFQ
ECAD 3944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n979d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 43 v 56 v 150 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고