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불연속 불연속 제품 (41164)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JAN1N5525C-1/TR Microchip Technology JAN1N5525C-1/TR 12.6749
RFQ
 ECAD 4812 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5525C-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5 v 6.2 v 30 옴
JANTX1N4125DUR-1/TR Microchip Technology jantx1n4125dur-1/tr 27.0921
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4125dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 35.8 v 47 v 250 옴
JANTXV1N6340US/TR Microchip Technology jantxv1n6340us/tr 19.9234
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6340us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 36 v 47 v 75 옴
JANTXV1N5528B-1/TR Microchip Technology jantxv1n5528b-1/tr 8.2327
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5528b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 7.5 v 8.2 v 40
JANTX1N4128-1/TR Microchip Technology jantx1n4128-1/tr 4.8412
RFQ
 ECAD 4674 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4128-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 45.6 v 60 v 400 옴
JANTXV1N4962US/TR Microchip Technology jantxv1n4962us/tr 14.2975
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4962us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 11.4 v 15 v 3.5 옴
JANS1N4991US/TR Microchip Technology JANS1N4991US/TR 107.9502
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n4991us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 182 v 240 v 650 옴
JAN1N4567A-1/TR Microchip Technology JAN1N4567A-1/TR 6.3600
RFQ
 ECAD 6000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4567A-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 200 옴
1N957B-1E3 Microchip Technology 1N957B-1E3 3.1388
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1N957B-1E3 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 150 µa @ 5.2 v 6.8 v 4.5 옴
JANTX1N4134D-1/TR Microchip Technology jantx1n4134d-1/tr 15.1886
RFQ
 ECAD 6951 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANTX1N4134D-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 69.2 v 91 v 1200 옴
1N4930A/TR Microchip Technology 1N4930A/TR 69.4350
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4930a/tr 귀 99 8541.10.0050 1 19.2 v 36 옴
1N962A/TR Microchip Technology 1N962A/TR 2.0083
RFQ
 ECAD 7777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n962a/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 9.5 옴
JANKCA1N5524B Microchip Technology jankca1n5524b -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5524b 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 3.5 v 5.6 v 30 옴
JANTX1N3023DUR-1/TR Microchip Technology jantx1n3023dur-1/tr 41.5359
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n3023dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
JANTX1N964CUR-1/TR Microchip Technology jantx1n964cur-1/tr 13.6990
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n964cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
CDLL5247A/TR Microchip Technology CDLL5247A/TR 2.7132
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 10 MW do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5247A/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
JANHCA1N4105 Microchip Technology JANHCA1N4105 13.2734
RFQ
 ECAD 8677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 (DO-204AA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4105 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 8.44 v 11 v 200 옴
UES1105/TR Microchip Technology UES1105/tr 24.5700
RFQ
 ECAD 9017 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 기준 a, 축 방향 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-ues1105/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 50 ns -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
JANS2N3501UB/TR Microchip Technology JANS2N3501UB/TR 35.4402
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 500MW ub - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans2n3501ub/tr 귀 99 8541.21.0095 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
JANTX1N4113CUR-1/TR Microchip Technology jantx1n4113cur-1/tr 21.7056
RFQ
 ECAD 7325 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4113cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 14.5 v 19 v 150 옴
CDLL5259C Microchip Technology CDLL5259C 4.8678
RFQ
 ECAD 7627 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 10 MW DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5259C 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
JAN1N750AUR-1/TR Microchip Technology Jan1n750aur-1/tr 4.0831
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N750AUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 19 옴
JANKCA1N5544B Microchip Technology jankca1n5544b -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5544b 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 25.2 v 28 v 100 옴
BZV55C75/TR Microchip Technology BZV55C75/TR 2.7664
RFQ
 ECAD 3565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-bzv55c75/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 52.2 v 75 v
CDLL5256/TR Microchip Technology CDLL5256/tr 2.7132
RFQ
 ECAD 5149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 10 MW do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5256/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
JANHCA1N4109 Microchip Technology JANHCA1N4109 13.2734
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 500MW 주사위 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4109 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 옴
JANTXV1N3040C-1/TR Microchip Technology jantxv1n3040c-1/tr 33.8618
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do041, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3040c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
1N5615E3 Microchip Technology 1N5615E3 4.9050
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 a, 축 방향 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5615E3 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.6 V @ 3 a 150 ns 500 na @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 45pf @ 12v, 1MHz
JANS1N4104DUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4104DUR-1/TR 137.5900
RFQ
 ECAD 1860 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4104DUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 7.6 v 10 v 200 옴
CDLL5530/TR Microchip Technology CDLL5530/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5530/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 8 v 10 v 60 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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