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불연속 불연속 제품 (41164)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f
JANTX1N4465/TR Microchip Technology jantx1n4465/tr 6.2111
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4465/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 300 na @ 8 v 10 v 5 옴
JANTXV1N986BUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n986bur-1/tr 6.8495
RFQ
 ECAD 3182 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n986bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.3 v @ 200 ma 500 NA @ 84 v 110 v 750 옴
CDLL4681/TR Microchip Technology CDLL4681/tr 3.0989
RFQ
 ECAD 9014 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL4681/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 2.4 v
CDLL966B/TR Microchip Technology CDLL966B/TR 2.7132
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL966B/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 12 v 16 v 17 옴
JANTXV1N3595UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n3595ur-1/tr 14.5901
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/241 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3595ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 125 v 920 MV @ 100 ma 3 µs 2 na @ 125 v -65 ° C ~ 175 ° C 150ma -
JANTXV1N6627/TR Microchip Technology jantxv1n6627/tr 18.0900
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/590 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 e, 축 방향 기준 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6627/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 440 v 1.35 V @ 2 a 30 ns 2 µa @ 440 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.75A 40pf @ 10V, 1MHz
JAN1N4570AUR-1/TR Microchip Technology Jan1n4570aur-1/tr 5.3850
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4570AUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 100 옴
JANTX1N5539C-1/TR Microchip Technology jantx1n5539c-1/tr 17.4496
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5539c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 17.1 v 19 v 100 옴
JANTXV1N4126CUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n4126cur-1/tr 25.6690
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4126cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 38.8 v 51 v 300 옴
JANTXV1N5538DUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5538dur-1/tr 55.0221
RFQ
 ECAD 3298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5538dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 16.2 v 18 v 100 옴
JANS1N4104D-1/TR Microchip Technology JANS1N4104D-1/TR 94.7000
RFQ
 ECAD 2203 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n4104d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 7.6 v 10 v 200 옴
LXZ1000-23-14/TR Microchip Technology LXZ1000-23-14/tr 6.1800
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-LXZ1000-23-14/tr 귀 99 8541.10.0060 1,000 75 MW 0.3pf @ 500mv, 1MHz Schottky -1 1 시리즈 연결 1V -
JAN1N5540BUR-1/TR Microchip Technology JAN1N5540BUR-1/TR 12.9542
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5540BUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 18 v 20 v 100 옴
JAN1N976D-1/TR Microchip Technology Jan1n976d-1/tr 5.0008
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N976D-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 33 v 43 v 93 옴
1N4757AUR/TR Microchip Technology 1N4757aur/tr 3.2319
RFQ
 ECAD 8714 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 1 W. do-213ab - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4757aur/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
JANTX1N5545B-1/TR Microchip Technology jantx1n5545b-1/tr 6.2111
RFQ
 ECAD 4056 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5545b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 27 v 30 v 100 옴
JANHCA1N4579A Microchip Technology JANHCA1N4579A 24.6000
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4579A 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 50 옴
JANTX1N6941UTK3/TR Microchip Technology jantx1n6941utk3/tr 506.5350
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Thinkey ™ 3 Schottky Thinkey ™ 3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6941utk3/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 50 a 5 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 150a 7500pf @ 5V, 1MHz
CDLL4567AE3 Microchip Technology CDLL4567AE3 10.4250
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL4567AE3 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 200 옴
JANTX1N6941UTK3CS/TR Microchip Technology jantx1n6941utk3cs/tr 438.9902
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/726 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Thinkey ™ 3 Schottky Thinkey ™ 3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6941utk3cs/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 50 a 5 ma @ 30 v -65 ° C ~ 175 ° C 150a 7500pf @ 5V, 1MHz
JANTX1N4966US/TR Microchip Technology jantx1n4966us/tr 8.6583
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4966us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 16.7 v 22 v 5 옴
1N4620-1/TR Microchip Technology 1N4620-1/tr 2.5137
RFQ
 ECAD 8304 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4620-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3.5 µa @ 1.5 v 3.3 v 1650 옴
JANS1N6336US/TR Microchip Technology JANS1N6336US/TR 154.0106
RFQ
 ECAD 1869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n6336us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 25 v 33 v 40
CD963B Microchip Technology CD963B 1.5029
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 500MW 주사위 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD963B 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 11.5 옴
JAN1N4129DUR-1/TR Microchip Technology JAN1N4129DUR-1/TR 24.8843
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4129DUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 47.1 v 62 v 500 옴
JANS1N5712UB/TR Microchip Technology JANS1N5712UB/TR 159.7500
RFQ
 ECAD 2572 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/444 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 4-SMD,, 없음 Schottky ub - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5712ub/tr 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 V @ 35 MA 150 ° C (°) 2pf @ 0V, 1MHz
1N3021B-1/TR Microchip Technology 1N3021B-1/tr 7.4214
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N3021 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n3021b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
JAN1N3017CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N3017CUR-1/TR 29.0339
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N3017CUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 150 µa @ 5.2 v 7.5 v 4 옴
CD5377B Microchip Technology CD5377B 5.0274
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 주사위 5 w 주사위 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5377B 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 500 NA @ 69.2 v 91 v 75 옴
JANTXV1N5538C-1/TR Microchip Technology jantxv1n5538c-1/tr 20.8544
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5538c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 16.2 v 18 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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