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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANTX1N6343CUS/TR Microchip Technology jantx1n6343cus/tr 46.4850
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantx1n6343cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 50 na @ 47 v 62 v 125 옴
JANTX1N5534B-1 Microchip Technology jantx1n5534b-1 7.4400
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5534 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 12.6 v 14 v 100 옴
JAN1N4489CUS Microchip Technology JAN1N4489CUS 27.6750
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4489 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 250 NA @ 80 v 100 v 250 옴
APTM20AM10FTG Microchip Technology APTM20AM10FTG 147.6100
RFQ
 ECAD 5362 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM20 MOSFET (금속 (() 694W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 200V 175a 12MOHM @ 87.5A, 10V 5V @ 5MA 224NC @ 10V 13700pf @ 25v -
JAN2N1482 Microchip Technology JAN2N1482 -
RFQ
 ECAD 3135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/207 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 55 v 1.5 a 5µA (ICBO) NPN 750mv @ 10ma, 200ma 35 @ 200ma, 4v -
JANKCBM2N2222A Microchip Technology JANKCBM2N2222A -
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcbm2n2222a 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANSL2N3810 Microchip Technology JANSL2N3810 198.9608
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 /336 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N3810 350MW To-78-6 - 영향을받지 영향을받지 150-jansl2N3810 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
JAN1N979BUR-1 Microchip Technology Jan1n979bur-1 4.4400
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N979 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 43 v 56 v 150 옴
JANTXV1N7049-1/TR Microchip Technology jantxv1n7049-1/tr 11.3850
RFQ
 ECAD 1194 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n7049-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1
APT84F50L Microchip Technology APT84F50L 15.9300
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT84F50 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 84A (TC) 10V 65mohm @ 42a, 10V 5V @ 2.5MA 340 nc @ 10 v ± 30V 13500 pf @ 25 v - 1135W (TC)
APTGT200A120G Microchip Technology APTGT200A120G 235.4600
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT200 890 W. 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 280 a 2.1V @ 15V, 200a 350 µA 아니요 14 nf @ 25 v
JANTX2N3764 Microchip Technology jantx2n3764 -
RFQ
 ECAD 4740 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/396 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 500MW TO-46 (TO-206AB) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 1.5 a 10µA (ICBO) PNP 900mv @ 100ma, 1a 30 @ 1a, 1.5v -
APT20GT60BRG Microchip Technology APT20GT60BRG -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Thunderbolt IGBT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT20GT60 기준 174 w TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 5ohm, 15V NPT 600 v 43 a 80 a 2.5V @ 15V, 20A 215µJ (on), 245µJ (OFF) 100 NC 8ns/80ns
APT10025JVFR Microchip Technology APT10025JVFR 91.7110
RFQ
 ECAD 1754 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT10025 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q11965606 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 34A (TC) 250mohm @ 500ma, 10V 4V @ 5MA 990 NC @ 10 v 18000 pf @ 25 v -
VP0104N3-G Microchip Technology VP0104N3-G 1.0200
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) VP0104 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 250MA (TJ) 5V, 10V 8ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 1W (TC)
JANTX1N4956US/TR Microchip Technology jantx1n4956us/tr 8.6583
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4956us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µa @ 6.2 v 8.2 v 1.5 옴
JAN1N4614UR-1/TR Microchip Technology JAN1N4614UR-1/TR 6.0116
RFQ
 ECAD 6765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4614UR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3.5 µa @ 1 v 1.8 v 1200 옴
JANS1N4473 Microchip Technology JANS1N4473 83.8650
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 17.6 v 22 v 14 옴
1N6011UR Microchip Technology 1N6011UR 3.5850
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N6011 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N6332 Microchip Technology JANS1N6332 114.5850
RFQ
 ECAD 1775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 b, 축 500MW b, 축 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 17 v 22 v 20 옴
2N3019SP Microchip Technology 2N3019SP 27.0002
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-2n3019sp 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 10V -
2N7372 Microchip Technology 2N7372 324.9000
RFQ
 ECAD 9762 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA 4 w TO-254AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N7372 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JAN1N4973US/TR Microchip Technology Jan1n4973us/tr 7.4746
RFQ
 ECAD 5867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4973US/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 32.7 v 43 v 20 옴
APTGT50SK120TG Microchip Technology APTGT50SK120TG 83.4000
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTGT50 277 w 기준 SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 2.1V @ 15V, 50A 250 µA 예 3.6 NF @ 25 v
1N5372BE3/TR8 Microchip Technology 1N5372BE3/tr8 2.6850
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5372 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 44.6 v 62 v 42 옴
1N6262 Microchip Technology 1N6262 82.4700
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 (DO-203AB) - 영향을받지 영향을받지 150-1n6262 귀 99 8541.10.0080 1 짐 200 v 1 V @ 85 a 5 µs 25 µa @ 200 v - 85A -
JANS1N4626-1/TR Microchip Technology JANS1N4626-1/tr 28.5300
RFQ
 ECAD 9420 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n4626-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5.2 v 5.6 v 1.4 옴
SMBJ4762E3/TR13 Microchip Technology smbj4762e3/tr13 0.4350
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4762 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
1N4919A Microchip Technology 1N4919A 29.8950
RFQ
 ECAD 4483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4919 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 19.2 v 300 옴
JANTX2N2060L Microchip Technology jantx2n2060L 67.9497
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/270 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N2060 2.12W To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60V 500ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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