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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | VGS (Max) | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | JANS1N6352CUS | - | ![]() | 7938 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 114 v | 141 v | 1000 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4735UR-1 | 3.0723 | ![]() | 4385 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1N4735UR-1 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 3 v | 6.2 v | 2 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 1775 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4741 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 8.4 v | 11 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n6325 | - | ![]() | 2829 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µa @ 8.5 v | 11 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2221aua/tr | 26.7596 | ![]() | 2307 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2221aua/tr | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N930UB/TR | - | ![]() | 6912 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/253 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N930 | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2n930ub/tr | 1 | 45 v | 30 MA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C6287-MSCL | 33.2700 | ![]() | 2170 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C6287-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5712-1 | 4.6800 | ![]() | 4323 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5712 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 20 v | 1 V @ 35 MA | 150 na @ 16 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 75MA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ5750 | 32.2650 | ![]() | 1948 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 5 w | b, 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UZ5750 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 38 v | 50 v | 25 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1584 | 38.3850 | ![]() | 7692 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 기준 | DO-4 (DO-203AA) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n1584 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 300 v | 1.3 V @ 30 a | 10 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
1N754A/TR | 2.3400 | ![]() | 8006 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n754a/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 404 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 4 v | 6.8 v | 5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2222ATX | 10.3474 | ![]() | 8371 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N6334C | 39.6300 | ![]() | 8591 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N6334C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 21 v | 27 v | 27 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6298 | 29.8984 | ![]() | 6443 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/540 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N6298 | 64 w | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 8 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 2V @ 80MA, 8A | 750 @ 4a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R3770 | 49.0050 | ![]() | 3700 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-R3770 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150A60T3AG | 105.0300 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGT150 | 600 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V, 150A | 250 µA | 예 | 9.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6013 | 2.7150 | ![]() | 4120 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | CDLL6013 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4565 | 3.7200 | ![]() | 5795 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4565 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5969cus/tr | - | ![]() | 4777 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N5969 | 5 w | e-melf | 다운로드 | 150-jantxv1n5969cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 ma @ 4.74 v | 6.2 v | 1 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4103dur-1 | 41.4300 | ![]() | 1308 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N4103 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 na @ 7 v | 9.1 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL475U120DAG | 246.7920 | ![]() | 5233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTGL475 | 2307 w | 기준 | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 610 a | 2.2V @ 15V, 400A | 4 MA | 아니요 | 24.6 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N7591U3 | - | ![]() | 5421 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | MOSFET (금속 (() | U3 (SMD-0.5) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSR2N7591U3 | 1 | n 채널 | 200 v | 16A | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4567-1/tr | 4.2750 | ![]() | 4118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | 0 ° C ~ 75 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 (DO-204AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4567-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5260/tr | 2.2950 | ![]() | 5630 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5260/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 31 v | 43 v | 93 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3036cur-1/tr | 41.0438 | ![]() | 7193 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n3036cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 35.8 v | 47 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6560 | 148.1850 | ![]() | 2009 년 년 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 125 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6560 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 450 v | 10 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSH2N2369AUB/TR | 357.8820 | ![]() | 1823 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 400MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansh2n2369aub/tr | 50 | 20 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n4126d-1/tr | 25.8153 | ![]() | 2304 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4126d-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 38.8 v | 51 v | 300 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N5154U3/TR | 245.2712 | ![]() | 8534 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U3 (SMD-0.5) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSF2N5154U3/TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
JANS1N4495DUS | 452.0100 | ![]() | 5794 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N4495DUS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 NA @ 144 v | 180 v | 1300 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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