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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	현재 - 최대	전력 전력 (소실)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
CDLL5530D	6.0914	RFQ	2809	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5530D	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma	50 na @ 9.1 v					10 v	60 옴
jantxv1n6491dus/tr	-	RFQ	6163	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	다운로드				150-jantxv1n6491dus/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	500 na @ 2 v					5.6 v	5 옴
MP61002-P00	-	RFQ	6635	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C		주사위	MP61002			칩	-			영향을받지 영향을받지	150-MP61002-P00	귀 99	8541.10.0040	1	50 MA					0.04pf @ 10V, 1MHz	핀 - 단일	200V			3ohm @ 20ma, 1GHz
UMX4310B	-	RFQ	3715	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인		-		축				축	-			영향을받지 영향을받지	150-UMX4310B	귀 99	8541.10.0060	1						-	-	-			-
CDLL5249B	2.8650	RFQ	1192	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5249		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma	100 na @ 14 v					19 v	23 옴
UMX6001B	-	RFQ	3478	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인		-		축				축	-			영향을받지 영향을받지	150-UMX6001B	귀 99	8541.10.0060	1						-	-	-			-
JAN1N5524D-1/TR	15.8137	RFQ	7004	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N5524D-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma	2 µa @ 3.5 v					5.6 v	30 옴
UX9401F	-	RFQ	7710	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C		2-SMD				-	-			영향을받지 영향을받지	150-ux9401ftr	귀 99	8541.10.0070	1		4 w				0.9pf @ 50V, 1MHz	핀 - 단일	50V			750mohm @ 50MA, 100MHz
jantx1n4482dus/tr	49.7250	RFQ	9787	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-jantx1n4482dus/tr	귀 99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a	50 NA @ 40.8 v					51 v	60 옴
jantx1n3051dur-1/tr	-	RFQ	1211	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1.25 w	do-213ab (Melf, LL41)	-				150-jantx1n3051dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 152 v					200 v	1500 옴
CDLL5224D/TR	8.5950	RFQ	5829	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL5224D/TR	귀 99	8541.10.0050	110			1.1 v @ 200 ma	75 µa @ 1 v					2.8 v	30 옴
GC15009-450A/TR	-	RFQ	3986	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	GC15009			-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-GC15009-450A/TR	귀 99	8541.10.0040	1						0.9pf @ 20V, 1MHz	하나의	22 v				13	C0/C20	800 @ 4V, 50MHz
UM4310B	-	RFQ	3740	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-		축				축	-			영향을받지 영향을받지	150-UM4310BTR	귀 99	8541.10.0060	1		10 W.				2.2pf @ 100V, 1MHz	핀 - 단일	1000V			1.5ohm @ 100ma, 100MHz
JAN1N4985CUS/TR	34.0950	RFQ	1365	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-				150-JAN1N4985CUS/TR	귀 99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a	2 µa @ 98.8 v					130 v	190 옴
jantx1n6491dus/tr	-	RFQ	3450	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	다운로드				150-jantx1n6491dus/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a	500 na @ 2 v					5.6 v	5 옴
CDLL5955B	7.8450	RFQ	2489	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5955		1.25 w	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 136.8 v					180 v	900 옴
1N4743APE3/tr12	0.9450	RFQ	5162	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4743		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 9.9 v					13 v	10 옴
1N4483US/TR	11.5000	RFQ	4933	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-					귀 99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a	250 NA @ 44.8 v					56 v	70 옴
1N4761UR-1	3.4650	RFQ	1720	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n4761ur-1	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 56 v					75 v	175 옴
jantx1n970b-1/tr	2.1147	RFQ	1650	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANTX1N970B-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma	500 na @ 18 v					24 v	33 옴
jantx1n6313cus/tr	44.6250	RFQ	5526	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/533	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-				150-jantx1n6313cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 a	3 µa @ 1 v					3.6 v	25 옴
MPP4206-206	3.6000	RFQ	2547	마이크로 마이크로 기술	Gigamite®	쟁반	활동적인		-		0402 (1005 메트릭)	MPP4206			0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-MPP4206-206	귀 99	8541.10.0070	100						0.15pf @ 10V, 1MHz	핀 - 단일	200V			2.5ohm @ 10ma, 100MHz
2N4392ub/tr	28.2359	RFQ	2082	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-2n4392ub/tr			1
1N5520D/TR	5.6850	RFQ	3649	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5520d/tr	귀 99	8541.10.0050	167			1.1 v @ 200 ma	1 µa @ 1 v					3.9 v	22 옴
Jan1n6332dus	38.2200	RFQ	2982	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-JAN1N6332DUS	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a	50 na @ 17 v					22 v	20 옴
CDLL5268/tr	3.3516	RFQ	3118	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			10 MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5268/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma	100 na @ 62 v					82 v	330 옴
MQSPC25	613.7550	RFQ	3491	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인									-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
1N5540bur-1/tr	6.6300	RFQ	2171	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-					귀 99	8541.10.0050	146			1.1 v @ 200 ma	10 na @ 18 v					20 v	100 옴
MSC50DC170HJ	170.3100	RFQ	9210	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	MSC50DC170	실리콘 실리콘 쇼트 카바이드		SOT-227 (ISOTOP®)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-MSC50DC170HJ	귀 99	8541.10.0080	1			1.8 V @ 50 a	200 µa @ 1700 v	50 a		단일 단일	1.7 kV
1N4571D/TR	-	RFQ	3636	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4571d/tr	귀 99	8541.10.0050	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²