전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JAN1N5774 | - | ![]() | 6439 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/474 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 14-cflatpack | 기준 | 14-cflatpack | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1.5 v @ 500 ma | 20 ns | 100 na @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 300ma | 8pf @ 0V, 1MHz | ||||||||
![]() | JAN1N5968C | - | ![]() | 1126 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 ma @ 4.28 v | 5.6 v | 1 옴 | |||||||||
JAN1N5968US | - | ![]() | 3136 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 5 w | D-5B | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 ma @ 4.28 v | 5.6 v | 1 옴 | ||||||||||
![]() | Jan1n5969d | - | ![]() | 6272 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 ma @ 4.74 v | 6.2 v | 1 옴 | |||||||||
![]() | jantx1n3317rb | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/358 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 50 W. | DO-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 13.7 v | 18 v | 2 옴 | |||||||||
![]() | jantx1n3320rb | - | ![]() | 9611 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/358 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 50 W. | DO-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 16.7 v | 22 v | 2.5 옴 | |||||||||
![]() | jantx1n3993ra | - | ![]() | 6936 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/124 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 10 W. | DO-213AA (DO-4) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 100 µa @ 500 mV | 3.9 v | 2 옴 | |||||||||
![]() | jantx1n4994c | - | ![]() | 8770 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 251 v | 330 v | 1175 옴 | |||||||||
![]() | jantx1n4994d | - | ![]() | 8949 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 251 v | 330 v | 1175 옴 | |||||||||
![]() | jantx1n6355cus | - | ![]() | 1721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 152 v | 200 v | 1800 옴 | |||||||||
jantx1n6486dus | - | ![]() | 4516 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | A, SQ-Mell | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µa @ 1 v | 3.6 v | 10 옴 | ||||||||||
![]() | jantx1n6489c | - | ![]() | 8980 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 4 µa @ 1 v | 4.7 v | 8 옴 | |||||||||
jantx1n6490dus | - | ![]() | 8887 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | A, SQ-Mell | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 µa @ 1 v | 5.1 v | 7 옴 | ||||||||||
![]() | jantx1n6633c | - | ![]() | 9623 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 µa @ 1 v | 3.6 v | 2.5 옴 | |||||||||
![]() | Jan1n991bur-1 | - | ![]() | 7961 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 v @ 200 ma | 500 NA @ 137 v | 180 v | 2200 옴 | |||||||||
1N4991US | 16.3350 | ![]() | 7009 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4991 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 182 v | 240 v | 650 옴 | |||||||||
1N5226A | 2.7150 | ![]() | 7794 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5226 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 25 µA @ 950 MV | 3.3 v | 28 옴 | |||||||||
1N5233A | 1.8600 | ![]() | 8314 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5233 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 3.5 v | 6 v | 7 옴 | |||||||||
![]() | 1N5234BUR-1 | 2.8950 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5234 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 4 v | 6.2 v | 7 옴 | ||||||||
![]() | 1N5235BUR-1 | 2.9400 | ![]() | 5496 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5235 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 5 v | 6.8 v | 5 옴 | ||||||||
![]() | 1N5250bur-1 | 2.8650 | ![]() | 9423 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5250 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 15 v | 20 v | 25 옴 | ||||||||
1N5253A | 4.2300 | ![]() | 6868 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5253 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 19 v | 25 v | 35 옴 | |||||||||
![]() | 1N5258bur-1 | 2.8650 | ![]() | 5485 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5258 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 27 v | 36 v | 70 옴 | ||||||||
![]() | 1N5264BUR-1 | 3.5850 | ![]() | 7447 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5264 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 46 v | 60 v | 170 옴 | ||||||||
1N5269A | 2.8350 | ![]() | 1702 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5269 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 68 v | 87 v | 370 옴 | |||||||||
![]() | 1N5276BUR-1 | 5.1900 | ![]() | 5603 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5276 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 114 v | 150 v | 1500 옴 | ||||||||
![]() | 1N5518bur-1 | 6.4800 | ![]() | 3412 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5518 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 26 옴 | ||||||||
1N5519B | 1.8150 | ![]() | 8546 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5519 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 1 v | 3.6 v | 24 옴 | |||||||||
1N5527B | 1.8150 | ![]() | 2472 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5527 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35 옴 | |||||||||
![]() | 1N5527BUR-1 | 6.4800 | ![]() | 131 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1N5527 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고