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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
JAN1N5774 Microchip Technology JAN1N5774 -
RFQ
ECAD 6439 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/474 대부분 활동적인 표면 표면 14-cflatpack 기준 14-cflatpack - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1.5 v @ 500 ma 20 ns 100 na @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 300ma 8pf @ 0V, 1MHz
JAN1N5968C Microchip Technology JAN1N5968C -
RFQ
ECAD 1126 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 ma @ 4.28 v 5.6 v 1 옴
JAN1N5968US Microchip Technology JAN1N5968US -
RFQ
ECAD 3136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 ma @ 4.28 v 5.6 v 1 옴
JAN1N5969D Microchip Technology Jan1n5969d -
RFQ
ECAD 6272 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 ma @ 4.74 v 6.2 v 1 옴
JANTX1N3317RB Microchip Technology jantx1n3317rb -
RFQ
ECAD 5181 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/358 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 50 W. DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 13.7 v 18 v 2 옴
JANTX1N3320RB Microchip Technology jantx1n3320rb -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/358 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 50 W. DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 16.7 v 22 v 2.5 옴
JANTX1N3993RA Microchip Technology jantx1n3993ra -
RFQ
ECAD 6936 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/124 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 10 W. DO-213AA (DO-4) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 100 µa @ 500 mV 3.9 v 2 옴
JANTX1N4994C Microchip Technology jantx1n4994c -
RFQ
ECAD 8770 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 251 v 330 v 1175 옴
JANTX1N4994D Microchip Technology jantx1n4994d -
RFQ
ECAD 8949 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 251 v 330 v 1175 옴
JANTX1N6355CUS Microchip Technology jantx1n6355cus -
RFQ
ECAD 1721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 152 v 200 v 1800 옴
JANTX1N6486DUS Microchip Technology jantx1n6486dus -
RFQ
ECAD 4516 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w A, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
JANTX1N6489C Microchip Technology jantx1n6489c -
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 4 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
JANTX1N6490DUS Microchip Technology jantx1n6490dus -
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w A, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
JANTX1N6633C Microchip Technology jantx1n6633c -
RFQ
ECAD 9623 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 µa @ 1 v 3.6 v 2.5 옴
JAN1N991BUR-1 Microchip Technology Jan1n991bur-1 -
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.3 v @ 200 ma 500 NA @ 137 v 180 v 2200 옴
1N4991US Microchip Technology 1N4991US 16.3350
RFQ
ECAD 7009 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4991 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 182 v 240 v 650 옴
1N5226A Microchip Technology 1N5226A 2.7150
RFQ
ECAD 7794 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5226 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 25 µA @ 950 MV 3.3 v 28 옴
1N5233A Microchip Technology 1N5233A 1.8600
RFQ
ECAD 8314 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5233 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
1N5234BUR-1 Microchip Technology 1N5234BUR-1 2.8950
RFQ
ECAD 3357 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N5234 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
1N5235BUR-1 Microchip Technology 1N5235BUR-1 2.9400
RFQ
ECAD 5496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N5235 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 5 v 6.8 v 5 옴
1N5250BUR-1 Microchip Technology 1N5250bur-1 2.8650
RFQ
ECAD 9423 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N5250 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
1N5253A Microchip Technology 1N5253A 4.2300
RFQ
ECAD 6868 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5253 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
1N5258BUR-1 Microchip Technology 1N5258bur-1 2.8650
RFQ
ECAD 5485 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N5258 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 27 v 36 v 70 옴
1N5264BUR-1 Microchip Technology 1N5264BUR-1 3.5850
RFQ
ECAD 7447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N5264 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 46 v 60 v 170 옴
1N5269A Microchip Technology 1N5269A 2.8350
RFQ
ECAD 1702 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5269 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 68 v 87 v 370 옴
1N5276BUR-1 Microchip Technology 1N5276BUR-1 5.1900
RFQ
ECAD 5603 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N5276 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 114 v 150 v 1500 옴
1N5518BUR-1 Microchip Technology 1N5518bur-1 6.4800
RFQ
ECAD 3412 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N5518 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 26 옴
1N5519B Microchip Technology 1N5519B 1.8150
RFQ
ECAD 8546 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5519 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
1N5527B Microchip Technology 1N5527B 1.8150
RFQ
ECAD 2472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5527 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.8 v 7.5 v 35 옴
1N5527BUR-1 Microchip Technology 1N5527BUR-1 6.4800
RFQ
ECAD 131 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N5527 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.8 v 7.5 v 35 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고