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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CDLL5234A	2.8650	RFQ	4463	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5234		10 MW		do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v										6.2 v	7 옴
jantxv1n4996us	-	RFQ	4919	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4996		5 w		e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		2 µa @ 297 v										390 v	1800 옴
1N752A	2.1750	RFQ	2021	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1N752A	귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2.5 v										5.6 v	11 옴
1 PMT5949/TR7	2.2200	RFQ	1394	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5949		3 w		DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v										100 v	250 옴
1N5522BUR-1/TR	7.1421	RFQ	8617	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW		DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n552bur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 2 v										4.7 v	22 옴
SMBG5376CE3/TR13	1.4400	RFQ	8889	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5376		5 w		SMBG (DO-215AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				1.2 v @ 1 a		500 NA @ 63 v										87 v	75 옴
Jan1n4964/tr	5.4663	RFQ	2796	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향			5 w			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N4964/tr	귀 99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		5 µa @ 13.7 v										18 v	4 옴
JAN1N753CUR-1/TR	10.2410	RFQ	2811	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW		DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N753CUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3.5 v										6.2 v	7 옴
1N3618	44.1600	RFQ	7600	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준			DO-4 (DO-203AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-1N3618	귀 99	8541.10.0080	1		짐	200 v	1 V @ 30 a		10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
CD5924B	3.8437	RFQ	1492	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인										-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD5924B	귀 99	8541.10.0050	1
jantx2n3700p	11.0390	RFQ	7745	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/391	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			500MW		TO-18 (TO-206AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx2N3700p			1											80 v	1 a		10NA					NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 10V	-
CDLL5545B/TR	5.9052	RFQ	8381	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			500MW		do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5545B/TR	귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		10 na @ 27 v										30 v	100 옴
SMBJ4752A/TR13	0.8850	RFQ	8838	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4752		2 w		SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 25.1 v										33 v	45 옴
CDLL964	2.8650	RFQ	4746	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL964		500MW		do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 9.9 v										13 v	13 옴
jantxv1n3045bur-1	18.0150	RFQ	1499	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3045		1 W.		do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 83.6 v										110 v	450 옴
UZ8850	23.3700	RFQ	2494	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	a, 축 방향			1 W.		a, 축 방향	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ8850	귀 99	8541.10.0050	1						500 na @ 36 v										50 v	85 옴
jantxv1n3034bur-1/tr	16.1196	RFQ	5118	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.		do-213ab (Melf, LL41)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n3034bur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 29.7 v										39 v	60 옴
1N5341AE3/tr13	0.9900	RFQ	7308	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5341		5 w		T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,250				1.2 v @ 1 a		1 µa @ 3 v										6.2 v	1 옴
1N3492	66.2550	RFQ	1539	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			맞는를 누르십시오	DO-208AA		기준			do-21	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1N3492	귀 99	8541.10.0080	1		짐	100 v	1.1 v @ 35 a		10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	35a	-
APTGT400U120D4G	253.7300	RFQ	9456	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	D4	APTGT400		2250 w	기준	D4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	하나의									트렌치 트렌치 정지	1200 v	600 a	2.1V @ 15V, 400A	8 MA	아니요			28 nf @ 25 v
CDLL5224	2.8650	RFQ	5062	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5224		10 MW		do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v										2.8 v	30 옴
JANS1N6331	114.5850	RFQ	4625	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	b, 축			500MW		b, 축	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 a		50 na @ 15 v										20 v	18 옴
1N6642ub	17.5200	RFQ	5746	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	4-SMD,, 없음		기준			ub	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1.2 v @ 100 ma	5 ns		-	-	5pf @ 0V, 1MHz
1N4730ur-1/tr	3.6200	RFQ	4375	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.		do-213ab (Melf, LL41)	-					귀 99	8541.10.0050	272				1.2 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v										3.9 v	9 옴
jantxv1n4125ur-1/tr	10.1080	RFQ	9488	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW		DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4125ur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		10 na @ 35.8 v										47 v	250 옴
CDLL4120D	8.9700	RFQ	2907	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW		DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL4120D	귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		10 na @ 22.8 v										30 v	200 옴
jantx1n4473us	14.4900	RFQ	2084	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, a	1N4473		1.5 w		D-5A	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1				1 v @ 200 ma		50 na @ 17.6 v										22 v	14 옴
jantx1n2979rb	-	RFQ	7143	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.		DO-213AA (DO-4)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 2 a		10 µa @ 11.4 v										15 v	3 옴
BCY-59	30.3107	RFQ	3219	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인										-			영향을받지 영향을받지	150-bcy-59			1
jantxv1n5534d-1/tr	26.0414	RFQ	5055	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n5534d-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1				1.1 v @ 200 ma		10 na @ 12.6 v										14 v	100 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²