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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
jantx1n971cur-1/tr	13.9384	RFQ	1685	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANTX1N971CUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 21 v										27 v	41 옴
JANS2N3501UB/TR	35.4402	RFQ	8704	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/366	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	4-SMD,, 없음				500MW	ub	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans2n3501ub/tr	귀 99	8541.21.0095	1																	150 v	300 MA						10µA (ICBO)			NPN	400mv @ 15ma, 150ma	100 @ 150ma, 10V	-
1N4753AE3	-	RFQ	4053	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인	-	-		-	-	1N4753				-	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1N4753AE3MS	귀 99	8541.10.0050	1
apt50m65jll	44.1500	RFQ	5375	마이크로 마이크로 기술	Power MOS 7®	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT50M65		MOSFET (금속 (()		ISOTOP®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		500 v	58A (TC)	10V	65mohm @ 29a, 10V	5V @ 2.5MA	141 NC @ 10 v	± 30V	7010 pf @ 25 v	-	520W (TC)
1N5522d	5.6850	RFQ	7795	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n552d	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 2 v										4.7 v	22 옴
2C6341-MSCL	172.3800	RFQ	4087	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인											-			영향을받지 영향을받지	150-2C6341-MSCL			1
jantxv1n5519dur-1/tr	53.1335	RFQ	5424	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)				500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n5519dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v										3.6 v	24 옴
APT50GT60BRDQ2G	11.2700	RFQ	172	마이크로 마이크로 기술	Thunderbolt IGBT®	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-247-3	APT50GT60	기준		446 w	TO-247 [B]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		400V, 50A, 5ohm, 15V												22 ns		NPT	600 v	110 a	150 a	2.5V @ 15V, 50A	995µJ (ON), 1070µJ (OFF)	240 NC	14ns/240ns
jankca1n4114d	-	RFQ	6153	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	주사위				500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-jankca1n4114d	귀 99	8541.10.0050	100													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 15.2 v										20 v	150 옴
JAN1N970DUR-1	14.2500	RFQ	5043	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)	1N970			500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		500 na @ 18 v										24 v	33 옴
1N4469/tr	5.3998	RFQ	5958	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향				1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4469/tr	귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 1 a		50 na @ 12 v										15 v	9 옴
1N2980A	36.9900	RFQ	5289	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N2980			10 W.	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 2 a		10 µa @ 12.2 v										16 v	4 옴
CDLL5936B	3.9300	RFQ	8683	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5936			1.25 w	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 22.8 v										30 v	28 옴
1N3016BUR-1/TR	16.2600	RFQ	8574	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	do-213ab, melf (유리)				1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	-					귀 99	8541.10.0050	117													1.2 v @ 200 ma		150 µa @ 5.2 v										6.8 v	3.5 옴
smaj4758ae3/tr13	0.6450	RFQ	5696	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4758			2 w	DO-214AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 42.6 v										56 v	110 옴
JANS1N5307-1/TR	100.0200	RFQ	1196	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향				500MW	DO-7	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n5307-1/tr	귀 99	8541.10.0070	1																															100V	2.64ma	2V
1N6019B	2.0700	RFQ	2382	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6019			500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		100 na @ 47 v										62 v	225 옴
1N5276B-1/tr	3.3900	RFQ	2356	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5276b-1/tr	귀 99	8541.10.0050	280													1.5 v @ 200 ma		100 na @ 114 v										150 v	1500 옴
1 PMT4124E3/TR13	0.4950	RFQ	9720	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-216AA	1pmt4124			1 W.	DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000													1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 32.65 v										43 v	250 옴
CDLL5914C	7.8450	RFQ	9804	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5914			1.25 w	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v										3.6 v	9 옴
1N711	1.9200	RFQ	6462	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N711			250 MW	DO-35	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																									7.5 v	5.3
jantx1n5308-1/tr	34.1550	RFQ	2052	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N5308			500MW	DO-7	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5308-1/tr	귀 99	8541.10.0070	1																															100V	2.97MA	2.15V
1N6634US/tr	22.9800	RFQ	2830	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, b				5 w	e-melf	-					귀 99	8541.10.0050	100													1.5 v @ 1 a		175 µa @ 1 v										3.9 v	2 옴
CDLL4740A	3.6900	RFQ	7814	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4740				do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 7.6 v										10 v	7 옴
1N2816A	94.8900	RFQ	9151	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	TO-204AD	1N2816			50 W.	TO-204AD (TO-3)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 a		10 µa @ 13.7 v										18 v	2 옴
1N5366A/TR12	2.6250	RFQ	9905	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5366			5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 1 a		500 NA @ 28.1 v										39 v	14 옴
JANHCA1N5537D	-	RFQ	8067	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향				500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N5537D	귀 99	8541.10.0050	100													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 15.3 v										17 v	100 옴
1N4743PE3/TR12	0.9150	RFQ	6411	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4743			1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 9.9 v										13 v	10 옴
TP2640LG-G	2.4900	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	TP2640		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,300	p 채널		400 v	86MA (TJ)	2.5V, 10V	15ohm @ 300ma, 10V	2V @ 1mA		± 20V	300 pf @ 25 v	-	740MW (TA)
CDLL5222D	8.4150	RFQ	3112	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA				10 MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL5222D	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v										2.5 v	30 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²