전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JAN1N758C-1 | 5.1900 | ![]() | 2338 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N758 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | |||||||||||||||||
![]() | 1N5350/tr8 | 2.6250 | ![]() | 7389 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5350 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 9.4 v | 13 v | 2.5 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 1N4617-1/tr | 2.6733 | ![]() | 7024 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4617-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 1 v | 2.4 v | 1400 옴 | |||||||||||||||||
1N5519B | 1.8150 | ![]() | 8546 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5519 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 1 v | 3.6 v | 24 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL964B/TR | 4.1230 | ![]() | 5431 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 500MW | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL964B/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13 옴 | |||||||||||||||||
![]() | SMAJ4754CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 9891 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ4754 | 2 w | DO-214AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 29.7 v | 39 v | 60 옴 | ||||||||||||||||
JANS1N4956US/TR | 108.9908 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 5 w | D-5B | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N4956US/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µa @ 6.2 v | 8.2 v | 1.5 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4696D | 12.7050 | ![]() | 5446 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4696d | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 6.9 v | 9.1 v | |||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3994RA | - | ![]() | 8136 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/124 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 10 W. | DO-213AA (DO-4) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 100 µa @ 500 mV | 4.3 v | 1.5 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N2823A | 94.8900 | ![]() | 4211 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N2823 | 50 W. | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 22.8 v | 30 v | 3 옴 | ||||||||||||||||
![]() | JANSL2N2907AUBC/TR | 306.0614 | ![]() | 8066 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2907aubc/tr | 50 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5932AE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 5819 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ5932 | 3 w | DO-214AC (SMAJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 15.2 v | 20 v | 14 옴 | ||||||||||||||||
CDLL746 | 3.0300 | ![]() | 4668 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL746 | 500MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 28 옴 | |||||||||||||||||
![]() | JAN1N4624UR-1/TR | 5.9451 | ![]() | 8999 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N4624UR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 4.7 v | 1550 옴 | |||||||||||||||||
1N6312US/TR | 14.7900 | ![]() | 2017 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 27 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4752P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 6345 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4752 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 25.1 v | 33 v | 45 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 2N5796U/tr | 63.1883 | ![]() | 3134 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/496 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5796 | 6-SMD | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5796U/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||
![]() | 1N2830RB | 96.0150 | ![]() | 4873 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N2830 | 50 W. | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 38 v | 50 v | 5 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 1N758aur-1/tr | 2.8462 | ![]() | 9769 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n758aur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 8 v | 10 v | 7 옴 | |||||||||||||||||
CDLL5234A | 2.8650 | ![]() | 4463 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5234 | 10 MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 4 v | 6.2 v | 7 옴 | |||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4996us | - | ![]() | 4919 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4996 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 297 v | 390 v | 1800 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 1N6638US/TR | 8.1150 | ![]() | 5850 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, d | 1N6638 | 기준 | D-5D | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 118 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 125 v | 1.1 v @ 200 ma | 20 ns | 500 NA @ 125 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 300ma | 2.5pf @ 0v, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | jantxv1n752dur-1 | 23.9550 | ![]() | 4578 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N752 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 2.5 v | 5.6 v | 11 옴 | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n6632 | - | ![]() | 1120 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 µa @ 1 v | 3.3 v | 3 옴 | |||||||||||||||||
![]() | JANSP2N4449 | 129.0708 | ![]() | 3847 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N4449 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6248 | 65.3100 | ![]() | 4956 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 125 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6248 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 15 a | - | PNP | 1.3V @ 500µA, 5MA | - | - | ||||||||||||||||
![]() | jantx1n5529bur-1/tr | 13.1803 | ![]() | 1872 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n5529bur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 8.2 v | 9.1 v | 45 옴 | |||||||||||||||||
CDLL3045 | 15.3000 | ![]() | 9709 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL3045 | 1 W. | do-213ab | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 83.6 v | 110 v | 450 옴 | |||||||||||||||||
JAN1N4616C-1/TR | 8.6317 | ![]() | 9066 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N4616C-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 1 v | 2.2 v | 1300 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5806 | 9.7650 | ![]() | 9476 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/477 | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | a, 축 방향 | 1N5806 | 기준 | a, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고