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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JAN1N758C-1 Microchip Technology JAN1N758C-1 5.1900
RFQ
ECAD 2338 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N758 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 8 v 10 v 17 옴
1N5350/TR8 Microchip Technology 1N5350/tr8 2.6250
RFQ
ECAD 7389 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5350 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 9.4 v 13 v 2.5 옴
1N4617-1/TR Microchip Technology 1N4617-1/tr 2.6733
RFQ
ECAD 7024 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4617-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 2.4 v 1400 옴
1N5519B Microchip Technology 1N5519B 1.8150
RFQ
ECAD 8546 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5519 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
CDLL964B/TR Microchip Technology CDLL964B/TR 4.1230
RFQ
ECAD 5431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL964B/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
SMAJ4754CE3/TR13 Microchip Technology SMAJ4754CE3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 9891 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ4754 2 w DO-214AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
JANS1N4956US/TR Microchip Technology JANS1N4956US/TR 108.9908
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4956US/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µa @ 6.2 v 8.2 v 1.5 옴
1N4696D Microchip Technology 1N4696D 12.7050
RFQ
ECAD 5446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n4696d 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 6.9 v 9.1 v
JAN1N3994RA Microchip Technology JAN1N3994RA -
RFQ
ECAD 8136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/124 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 10 W. DO-213AA (DO-4) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 100 µa @ 500 mV 4.3 v 1.5 옴
1N2823A Microchip Technology 1N2823A 94.8900
RFQ
ECAD 4211 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2823 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 22.8 v 30 v 3 옴
JANSL2N2907AUBC/TR Microchip Technology JANSL2N2907AUBC/TR 306.0614
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW UBC - 영향을받지 영향을받지 150-jansl2n2907aubc/tr 50 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
SMAJ5932AE3/TR13 Microchip Technology SMAJ5932AE3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 5819 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5932 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15.2 v 20 v 14 옴
CDLL746 Microchip Technology CDLL746 3.0300
RFQ
ECAD 4668 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL746 500MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
JAN1N4624UR-1/TR Microchip Technology JAN1N4624UR-1/TR 5.9451
RFQ
ECAD 8999 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4624UR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 4.7 v 1550 옴
1N6312US/TR Microchip Technology 1N6312US/TR 14.7900
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 5 µa @ 1 v 3.3 v 27
1N4752P/TR8 Microchip Technology 1N4752P/TR8 1.8600
RFQ
ECAD 6345 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4752 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
2N5796U/TR Microchip Technology 2N5796U/tr 63.1883
RFQ
ECAD 3134 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/496 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N5796 6-SMD - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2N5796U/tr 귀 99 8541.21.0095 1 10µA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
1N2830RB Microchip Technology 1N2830RB 96.0150
RFQ
ECAD 4873 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2830 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 38 v 50 v 5 옴
1N758AUR-1/TR Microchip Technology 1N758aur-1/tr 2.8462
RFQ
ECAD 9769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n758aur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 8 v 10 v 7 옴
CDLL5234A Microchip Technology CDLL5234A 2.8650
RFQ
ECAD 4463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL5234 10 MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
JANTXV1N4996US Microchip Technology jantxv1n4996us -
RFQ
ECAD 4919 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4996 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 297 v 390 v 1800 옴
1N6638US/TR Microchip Technology 1N6638US/TR 8.1150
RFQ
ECAD 5850 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, d 1N6638 기준 D-5D 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 118 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 125 v 1.1 v @ 200 ma 20 ns 500 NA @ 125 v -65 ° C ~ 175 ° C 300ma 2.5pf @ 0v, 1MHz
JANTXV1N752DUR-1 Microchip Technology jantxv1n752dur-1 23.9550
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N752 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2.5 v 5.6 v 11 옴
JANTX1N6632 Microchip Technology jantx1n6632 -
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 300 µa @ 1 v 3.3 v 3 옴
JANSP2N4449 Microchip Technology JANSP2N4449 129.0708
RFQ
ECAD 3847 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 500MW To-46 - 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N4449 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
2N6248 Microchip Technology 2N6248 65.3100
RFQ
ECAD 4956 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 125 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N6248 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 15 a - PNP 1.3V @ 500µA, 5MA - -
JANTX1N5529BUR-1/TR Microchip Technology jantx1n5529bur-1/tr 13.1803
RFQ
ECAD 1872 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5529bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 8.2 v 9.1 v 45 옴
CDLL3045 Microchip Technology CDLL3045 15.3000
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 20% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL3045 1 W. do-213ab - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 83.6 v 110 v 450 옴
JAN1N4616C-1/TR Microchip Technology JAN1N4616C-1/TR 8.6317
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4616C-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 2.2 v 1300 옴
JANTXV1N5806 Microchip Technology jantxv1n5806 9.7650
RFQ
ECAD 9476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/477 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 1N5806 기준 a, 축 방향 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 10V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고