- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
불연속 불연속 제품 (41164)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMBJ5380C/TR13 | 2.1900 |  | 4023 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5380 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 86.4 v | 120 v | 170 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CD4782A | 18.4950 | | 4381 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4782A | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | vn0106n3-g | 0.8100 | | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | VN0106 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 350MA (TJ) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 65 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4624-1 | 2.6400 | | 1030 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 1N4624 | 500MW | DO-7 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 4.7 v | 1550 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4759p/tr8 | 1.8600 | | 7047 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4759 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 47.1 v | 62 v | 125 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3743 | 15.3482 | | 7735 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3743 | 1 W. | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 v | 200 MA | 250NA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 3ma, 30ma | 50 @ 30MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N4464CUS | 26.7600 | | 5152 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4464 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 300 NA @ 5.46 v | 9.1 v | 4 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5351C/TR12 | 3.3900 | | 9407 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5351 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 10.1 v | 14 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N4371D-1 | 9.3450 | | 1662 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4371 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 60 µa @ 1 v | 2.7 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N4569A-1/TR | 79.5000 | | 4437 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N4569A-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx1n4460c | 20.7600 | | 9462 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4460 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 10 µa @ 3.72 v | 6.2 v | 4 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL979B | 2.9400 | | 1866 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL979 | 500MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 43 v | 56 v | 150 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGLQ400A120T6G | 378.7425 | | 6977 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SP6 | APTGLQ400 | 1900 w | 기준 | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 700 a | 2.4V @ 15V, 400A | 200 µA | 예 | 24.6 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4245 | 3.5800 | | 205 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | a, 축 방향 | 1N4245 | 기준 | a, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 200 v | 1.3 v @ 3 a | 5 µs | 1 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5241C | 7.1400 | | 8971 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5241C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantxv1n6761-1/tr | - | | 3879 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/586 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | Schottky | DO-41 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n6761-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 690 mV @ 1 a | 100 @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 70pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4930A/TR | 79.3350 | | 7277 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL4930A/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 12 v | 19.2 v | 36 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5353A/TR13 | 2.2200 | | 1777 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5353 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 11.5 v | 16 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n4981dus/tr | 29.6100 | | 3247 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 150-JAN1N4981DUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 69.2 v | 91 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N3345A | 49.3800 | | 8048 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N3345 | 50 W. | DO-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 114 v | 140 v | 60 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N6763 | - | | 6895 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | 기준 | TO-254 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.05 V @ 12 a | 35 ns | 10 µa @ 200 v | - | 12a | 300pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4965US | 9.1950 | | 6741 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4965 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 15.2 v | 20 v | 4.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5934B/tr | 2.8462 | | 6675 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.25 w | DO-41 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5934b/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6841 | 181.8750 | | 6040 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1N6841 | Schottky | U3 (SMD-0.5) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 10A | 750 mv @ 10 a | 100 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N6633D | - | | 7960 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 5 w | e, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 µa @ 1 v | 3.6 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4122CUR-1/TR | 91.5802 | | 4192 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N4122CUR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 27.4 v | 36 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5948A/TR13 | 1.5600 | | 2942 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5948 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 69.2 v | 91 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT5016BLLG | 11.1800 | | 2954 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT5016 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 160mohm @ 15a, 10V | 5V @ 1MA | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 2833 pf @ 25 v | - | 329W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N3031C-1 | 17.3250 | | 2941 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N3031 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 22.8 v | 30 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N942BUR-1 | - | | 9148 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/157 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 v | 11.7 v | 30 옴 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)