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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JAN1N3044D-1/TR Microchip Technology JAN1N3044D-1/TR 19.3515
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N3044D-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 76 v 100 v 350 옴
APT60M75L2LLG Microchip Technology APT60M75L2LLG 50.6400
RFQ
ECAD 1545 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT60M75 MOSFET (금속 (() 264 MAX ™ [L2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 73A (TC) 10V 75mohm @ 36.5a, 10V 5V @ 5MA 195 NC @ 10 v ± 30V 8930 pf @ 25 v - 893W (TC)
JANTXV1N748D-1/TR Microchip Technology jantxv1n748d-1/tr 12.7680
RFQ
ECAD 3951 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n748d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
JANKCA1N4615C Microchip Technology jankca1n4615c -
RFQ
ECAD 5678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 500MW 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n4615c 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 2 v 1250 옴
1N5544C Microchip Technology 1N5544C 11.3550
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5544C 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 25.2 v 28 v 100 옴
1N2246 Microchip Technology 1N2246 44.1600
RFQ
ECAD 7599 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 DO-4 (DO-203AA) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1n2246 귀 99 8541.10.0080 1 50 v 1.2 v @ 30 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 22A -
JANTXV1N6305 Microchip Technology jantxv1n6305 -
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.18 V @ 150 a 60 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 70A
BZV55C2V7/TR Microchip Technology BZV55C2V7/TR 2.7664
RFQ
ECAD 6888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-bzv55c2v7/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v
JANTX1N4116C-1 Microchip Technology jantx1n4116c-1 13.5750
RFQ
ECAD 8621 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4116 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 18.3 v 24 v 150 옴
JAN1N4105UR-1 Microchip Technology JAN1N4105UR-1 5.7000
RFQ
ECAD 8414 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4105 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 8.5 v 11 v 200 옴
CDS3035B-1/TR Microchip Technology CDS3035B-1/TR -
RFQ
ECAD 2057 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS3035B-1/TR 귀 99 8541.10.0050 50
JANS1N4466DUS/TR Microchip Technology JANS1N4466DUS/TR 330.4050
RFQ
ECAD 6591 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jans1n4466dus/tr 귀 99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 300 NA @ 8.8 v 11 v 6 옴
SMAJ5934AE3/TR13 Microchip Technology smaj5934ae3/tr13 -
RFQ
ECAD 8620 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5934 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
JANTX1N3335RB Microchip Technology jantx1n3335rb -
RFQ
ECAD 4351 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/358 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 50 W. DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 47.1 v 62 v 7 옴
SMAJ5941CE3/TR13 Microchip Technology SMAJ5941CE3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 6190 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5941 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
JANS1N4469/TR Microchip Technology JANS1N4469/tr 78.4202
RFQ
ECAD 1744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n4469/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 12 v 15 v 9 옴
2N5584 Microchip Technology 2N5584 613.4700
RFQ
ECAD 8222 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MB, TO-63-4, 스터드 175 w To-63 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5584 귀 99 8541.29.0095 1 180 v 30 a - NPN 1.5V @ 2MA, 10MA - -
JAN1N3026BUR-1/TR Microchip Technology JAN1N3026BUR-1/TR 11.4247
RFQ
ECAD 7332 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N3026BUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
JANTXV1N6331CUS/TR Microchip Technology jantxv1n6331cus/tr 57.2550
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantxv1n6331cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 50 na @ 15 v 20 v 18 옴
CDLL938B/TR Microchip Technology CDLL938B/TR 16.9500
RFQ
ECAD 5998 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL938B/TR 귀 99 8541.10.0050 1 9 v 20 옴
JAN1N6773 Microchip Technology JAN1N6773 -
RFQ
ECAD 7695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-257-3 기준 TO-257 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.6 v @ 8 a 60 ns 10 µa @ 480 v - 8a 200pf @ 5V, 1MHz
1N5226BUR-1/TR Microchip Technology 1N5226BUR-1/TR 3.0200
RFQ
ECAD 7317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 귀 99 8541.10.0050 329 1.1 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
1N5913BUR-1/TR Microchip Technology 1N5913bur-1/tr 3.7772
RFQ
ECAD 5335 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.25 w do-213ab - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5913bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
JANTXV1N5539D-1/TR Microchip Technology jantxv1n5539d-1/tr 26.0414
RFQ
ECAD 8829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5539d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 17.1 v 19 v 100 옴
JAN1N4567A-1/TR Microchip Technology JAN1N4567A-1/TR 6.3600
RFQ
ECAD 6000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4567A-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 200 옴
JANTXV1N3022C-1/TR Microchip Technology jantxv1n3022c-1/tr 27.1187
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3022c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
JAN1N6322 Microchip Technology JAN1N6322 9.9000
RFQ
ECAD 1822 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6322 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 1 µa @ 6 v 8.2 v 5 옴
CDLL5268 Microchip Technology CDLL5268 3.5850
RFQ
ECAD 1630 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL5268 10 MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 62 v 82 v 330 옴
CD4770A Microchip Technology CD4770A 12.4650
RFQ
ECAD 6308 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-CD4770A 귀 99 8541.10.0050 1 9.1 v 200 옴
1N3000A Microchip Technology 1N3000A 36.9900
RFQ
ECAD 8949 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3000 10 W. DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 47.1 v 62 v 17 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고