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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
JANTX1N5532C-1/TR Microchip Technology jantx1n5532c-1/tr 13.9384
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5532c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 10.8 v 12 v 90 옴
JAN1N4130D-1 Microchip Technology JAN1N4130D-1 13.1400
RFQ
ECAD 4414 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4130 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 51.7 v 68 v 700 옴
JANS1N6620US/TR Microchip Technology JANS1N6620US/TR 107.6100
RFQ
ECAD 1607 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/585 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, a 기준 A, SQ-Mell - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N6620US/TR 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.6 V @ 2 a 45 ns -65 ° C ~ 150 ° C 1.2A -
1N945B-1/TR Microchip Technology 1N945B-1/tr 37.1550
RFQ
ECAD 1075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/157 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n945b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 15 µa @ 8 v 11.7 v 30 옴
CDLL5255B Microchip Technology CDLL5255B 2.1900
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL5255 10 MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
JANTXV1N7049-1/TR Microchip Technology jantxv1n7049-1/tr 11.3850
RFQ
ECAD 1194 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n7049-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N4483C Microchip Technology JANS1N4483C 207.1050
RFQ
ECAD 8184 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 44.8 v 56 v 70 옴
JAN1N2820B Microchip Technology JAN1N2820B -
RFQ
ECAD 8562 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/114 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2820 10 W. TO-204AD (TO-3) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µa @ 18.2 v 24 v 2.6
CDLL4740 Microchip Technology CDLL4740 3.4650
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4740 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
JANTXV1N5537BUR-1 Microchip Technology jantxv1n5537bur-1 19.3500
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N5537 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 15.3 v 17 v 100 옴
JAN1N3039B-1/TR Microchip Technology JAN1N3039B-1/TR 8.3524
RFQ
ECAD 7359 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N3039B-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
1N4561B Microchip Technology 1N4561B -
RFQ
ECAD 4434 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N4561 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 20 µa @ 1 v 5.6 v 0.12 옴
JANS1N4109DUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4109DUR-1/TR 137.5900
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4109DUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 옴
1N5088SM Microchip Technology 1N5088SM 27.0900
RFQ
ECAD 2281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 3 w A, SQ-Mell - 영향을받지 영향을받지 150-1n5088sm 귀 99 8541.10.0050 1 1 µa @ 45.7 v 60 v 70 옴
JANTX1N4105-1 Microchip Technology jantx1n4105-1 6.3300
RFQ
ECAD 7893 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4105 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 8.5 v 11 v 200 옴
JANTX1N4488CUS/TR Microchip Technology jantx1n4488cus/tr 34.4869
RFQ
ECAD 7288 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4488cus/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 72.8 v 91 v 200 옴
JANTX1N4109DUR-1/TR Microchip Technology jantx1n4109dur-1/tr 24.7513
RFQ
ECAD 8448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4109dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 옴
CD5533B Microchip Technology CD5533B 2.0349
RFQ
ECAD 7365 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 500MW 주사위 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5533B 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 10 na @ 11.7 v 13 v 90 옴
SMBG5353B/TR13 Microchip Technology SMBG5353B/TR13 2.2500
RFQ
ECAD 8114 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5353 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 11.5 v 16 v 2.5 옴
CDLL962 Microchip Technology CDLL962 2.8650
RFQ
ECAD 7202 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL962 500MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 9.5 옴
JAN1N4113CUR-1 Microchip Technology JAN1N4113CUR-1 14.5650
RFQ
ECAD 2004 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4113 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 14.5 v 19 v 150 옴
CDLL5270B/TR Microchip Technology CDLL5270B/TR 3.3516
RFQ
ECAD 1114 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 10 MW do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5270B/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 69 v 91 v 400 옴
1N6487 Microchip Technology 1N6487 13.0950
RFQ
ECAD 8370 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do041, 축 방향 1N6487 1.5 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 35 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
40CDQ045 Microchip Technology 40CDQ045 78.7200
RFQ
ECAD 8817 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 Schottky TO-204AA (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-40CDQ045 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 700 mV @ 30 a 1.5 ma @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
JANTXV1N963C-1 Microchip Technology jantxv1n963c-1 8.9100
RFQ
ECAD 7147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N963 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 11.5 옴
1N5258B Microchip Technology 1N5258B 2.1000
RFQ
ECAD 3457 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5258 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 1N5258bms 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 27 v 36 v 70 옴
SMBG5360B/TR13 Microchip Technology SMBG5360B/TR13 -
RFQ
ECAD 9270 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5360 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 18 v 25 v 4 옴
JANTX1N4100CUR-1 Microchip Technology jantx1n4100cur-1 28.8300
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4100 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5.7 v 7.5 v 200 옴
1N4570A-1 Microchip Technology 1N4570A-1 3.7800
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4570 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 100 옴
1N4109UR-1/TR Microchip Technology 1N4109UR-1/TR 3.5245
RFQ
ECAD 7928 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4109ur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고