전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantxv1n4122d-1 | 28.9500 | ![]() | 7916 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4122 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 27.4 v | 36 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4622UR/TR | 3.4500 | ![]() | 8996 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 286 | 1.1 v @ 200 ma | 2.5 µa @ 2 v | 3.9 v | 1650 옴 | |||||||||||||||||||||||||
JANS1N6353DUS/TR | - | ![]() | 3040 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jans1n6353dus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 122 v | 160 v | 1200 옴 | |||||||||||||||||||||||||
JANTX1N977B-1 | 3.4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N977 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 na @ 36 v | 47 v | 105 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N973B/tr | 2.0083 | ![]() | 4037 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n973b/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 25.1 v | 33 v | 58 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5936CE3/tr13 | - | ![]() | 2959 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5936 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 22.8 v | 30 v | 28 옴 | |||||||||||||||||||||
jantxv1n5525c-1 | 23.3700 | ![]() | 9452 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5525 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 5 v | 6.2 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4976 | 80.1900 | ![]() | 3527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 5 w | b, 축 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 42.6 v | 56 v | 35 옴 | |||||||||||||||||||||||
JAN1N6316CUS/TR | 39.2850 | ![]() | 4494 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-JAN1N6316CUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 5 µa @ 1.5 v | 4.7 v | 17 옴 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5238B | 1.4497 | ![]() | 5683 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD5238B | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 3 µa @ 6.5 v | 8.7 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||||
jantxv1n937b-1/tr | - | ![]() | 2179 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/156 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n937b-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 v | 8.55 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4566 | 6.4050 | ![]() | 9683 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4566 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5921BUR-1/TR | 4.2200 | ![]() | 9704 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1.25 w | do-213ab (Melf, LL41) | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 233 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANHCA1N756A | 7.2618 | ![]() | 2549 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/127 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANHCA1N756A | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 6 v | 8.2 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3499L | 99.4904 | ![]() | 9686 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 쟁반 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3499 | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
MSC080SMA120J | 28.8000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MSC080 | sicfet ((카바이드) | SOT-227 (ISOTOP®) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 691-MSC080SMA120J | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 37A (TC) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | jantxv2n5153u3/tr | 92.9138 | ![]() | 6626 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1.16 w | U3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n5153u3/tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1MA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5546 | 36.4200 | ![]() | 3177 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5546 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4116 | 1.3699 | ![]() | 7206 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4116 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 10 NA @ 18.25 v | 24 v | 150 옴 | ||||||||||||||||||||||
1N944A/TR | 22.7850 | ![]() | 3460 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n944a/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 v | 11.7 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5667 | 22.3050 | ![]() | 6816 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5667 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n963cur-1 | 28.8000 | ![]() | 2842 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N963 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 11.5 옴 | |||||||||||||||||||||
jantx1n6309cus/tr | 44.6250 | ![]() | 8736 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantx1n6309cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 100 µa @ 1 v | 2.4 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT1003RSFLLG | 11.9700 | ![]() | 8472 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT1003 | MOSFET (금속 (() | D3 [S] | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 4A (TC) | 3ohm @ 2a, 10V | 5V @ 1MA | 34 NC @ 10 v | 694 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N6316 | 8.4150 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 500MW | b, 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µa @ 1.5 v | 4.7 v | 17 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5745B | 1.8600 | ![]() | 6609 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5745 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 17 v | 24 v | 70 옴 | |||||||||||||||||||||
jantxv1n6351us/tr | 22.4550 | ![]() | 3021 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | 다운로드 | 150-jantxv1n6351us/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 99 v | 130 v | 850 옴 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n5968us | - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N5968 | 5 w | e, 축 방향 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5000 µa @ 4.28 v | 5.6 v | 1 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5932d | 7.5450 | ![]() | 4885 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do041, 축 방향 | 1N5932 | 1.25 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 15.2 v | 20 v | 14 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6355C | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 500MW | b, 축 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 152 v | 200 v | 1800 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고