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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
JANS1N5305UR-1	131.4000	RFQ	4214	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N5305		500MW	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1																														100V	2.2MA	1.85V
jantxv1n4466d	38.4450	RFQ	5273	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향			1.5 w	DO-41	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4466d	귀 99	8541.10.0050	1												1.5 v @ 1 a		300 NA @ 8.8 v									11 v	6 옴
UM4310D	-	RFQ	9325	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-			마개				-	-			영향을받지 영향을받지	150-UM4310DTR	귀 99	8541.10.0060	1										15 w							2.2pf @ 100V, 1MHz			핀 - 단일	1000V				1.5ohm @ 100ma, 100MHz
jantx1n6485cus	-	RFQ	2920	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	A, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												1.5 v @ 1 a		50 µa @ 1 v									3.3 v	10 옴
jantx1n4118c-1/tr	12.1695	RFQ	6656	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4118c-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1												1.1 v @ 200 ma		10 na @ 20.5 v									27 v	150 옴
jantxv1n3026bur-1	18.0150	RFQ	8907	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3026		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 13.7 v									18 v	20 옴
1N1125R	38.3850	RFQ	4252	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		표준, 극성 역		DO-4 (DO-203AA)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n1125r	귀 99	8541.10.0080	1	짐										300 v	1.2 v @ 30 a		10 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 200 ° C	12a	-
UTR3305/tr	13.0200	RFQ	1965	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				구멍을 구멍을	b, 축		표준, 극성 역		b, 축	-			영향을받지 영향을받지	150-UTR3305/tr	귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)										50 v	1.1 v @ 3 a	250 ns	5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	600pf @ 0V, 1MHz
jantx1n6312dus/tr	55.7550	RFQ	3351	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/533	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-				150-jantx1n6312dus/tr	귀 99	8541.10.0050	100												1.4 V @ 1 a		5 µa @ 1 v									3.3 v	27
CDLL3027B/TR	13.7522	RFQ	8163	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL3027B/TR	귀 99	8541.10.0050	1												1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 15.2 v									20 v	22 옴
1N6003UR	3.5850	RFQ	2472	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인						1N6003				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1
1 PMT5952C/TR7	2.7600	RFQ	1064	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-216AA	1pmt5952		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 98.8 v									130 v	450 옴
jantx1n5711ur-1	11.7800	RFQ	5327	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/444	대부분	활동적인				표면 표면	DO-213AA	1N5711	Schottky		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도										70 v	1 V @ 15 ma		200 na @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	33MA	2pf @ 0V, 1MHz
MSASC150H45LV/TR	274.2750	RFQ	2766	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	Thinkey ™ 3		Schottky		Thinkey ™ 3	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MSASC150H45LV/TR	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)										45 v	600 mV @ 150 a		10 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	150a	-
jantxv1n6662/tr	-	RFQ	5742	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n6662/tr	귀 99	8541.10.0070	1	짐										400 v	1 V @ 400 mA		50 na @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	500ma	-
MSC025SMA120S	41.0600	RFQ	634	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA	MSC025	sicfet ((카바이드)		d3pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	691-MSC025SMA120S	귀 99	8541.29.0095	30		n 채널	1200 v	89A (TC)	-	-	-	-	-	-
1N1660	158.8200	RFQ	8219	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	do-205AB, do-9, 스터드		기준		DO-205AB (DO-9)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n1660	귀 99	8541.10.0080	1	짐										50 v	1.3 v @ 300 a		75 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 190 ° C	275A	-
JAN1N2841RB	-	RFQ	4511	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-204AD	1N2841		10 W.	TO-204AD (TO-3)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												1.5 v @ 2 a		10 µa @ 91.2 v									120 v	40
1N5934D	7.5450	RFQ	7897	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N5934		1.25 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 18.2 v									24 v	19 옴
2N328A	65.1035	RFQ	2769	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인										-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
jantx1n965c-1	5.6850	RFQ	1771	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												1.3 v @ 200 ma		500 na @ 11 v									15 v	16 옴
2N6513	78.7200	RFQ	5909	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-		구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			120 W.	TO-204AD (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N6513	귀 99	8541.29.0095	1																		350 v	7 a			-				NPN	-	-	-
1 PMT5932A/TR7	-	RFQ	7226	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-216AA	1pmt5932		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000												1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 15.2 v									20 v	14 옴
jantx1n6326	13.6600	RFQ	69	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6326		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												1.4 V @ 1 a		1 µa @ 9 v									12 v	7 옴
2C3421-PI	5.4750	RFQ	6201	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인										-			영향을받지 영향을받지	150-2C3421-PI			1
1N5811E3	8.5500	RFQ	3993	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/477	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	b, 축		기준		b, 축	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5811E3	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)										150 v	875 mv @ 4 a	30 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1MHz
SMAJ5930CE3/TR13	0.6450	RFQ	5096	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5930		3 w	DO-214AC (SMAJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500												1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 12.2 v									16 v	10 옴
CDLL5309/TR	25.2900	RFQ	9517	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C	-	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	CDLL53		500MW	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5309/TR	귀 99	8541.10.0050	1																														100V	3.3ma	2.25V
1N971B/tr	3.8171	RFQ	3386	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n971b/tr	귀 99	8541.10.0050	1												1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 20.6 v									27 v	41 옴
jankca1n5537d	-	RFQ	8195	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankca1n5537d	귀 99	8541.10.0050	100												1.1 v @ 200 ma		10 na @ 15.3 v									17 v	100 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²