RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N753A-1	2.1600	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N753		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	5 µa @ 6.2 v	6.2 v	3 옴
1N755A-1	2.1600	RFQ	1202	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N755		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	2 µa @ 5 v	7.5 v	4 옴
1 pmt4126/tr7	0.9600	RFQ	2017	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4126		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 38.76 v	51 v	250 옴
1 PMT4126C/TR7	1.2450	RFQ	1982	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4126		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 38.76 v	51 v	250 옴
1 PMT4126CE3/TR13	0.4950	RFQ	7265	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4126		1 W.	DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000											1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 38.76 v	51 v	250 옴
1 PMT4130C/TR13	1.2450	RFQ	8926	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4130		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000											1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 51.68 v	68 v	250 옴
1 PMT4132/TR13	0.9600	RFQ	2990	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4132		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000											1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 62.32 v	82 v	250 옴
1 PMT4132CE3/TR13	-	RFQ	6715	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4132		1 W.	DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000											1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 62.32 v	82 v	250 옴
1 PMT4626CE3/TR13	0.3750	RFQ	3321	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4626		1 W.	DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000											1.1 v @ 200 ma	10 µa @ 4 v	5.6 v	1400 옴
1 pmt4627/tr13	1.1700	RFQ	4325	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4627		1 W.	DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000											1.1 v @ 200 ma	10 µa @ 5 v	6.2 v	1200 옴
CDLL4740	3.4650	RFQ	2412	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4740			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	3 µa @ 7.6 v	10 v	7 옴
CDLL4740A	3.6900	RFQ	7814	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4740			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	3 µa @ 7.6 v	10 v	7 옴
CDLL4744	3.4650	RFQ	4701	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4744			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	100 na @ 11.4 v	15 v	14 옴
CDLL4747A	3.4650	RFQ	3065	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4747			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	100 na @ 15.2 v	20 v	22 옴
CDLL4750	3.4650	RFQ	7068	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4750			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	100 na @ 20.6 v	27 v	35 옴
CDLL4702	3.3000	RFQ	9317	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4702		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	50 na @ 11.4 v	15 v
CDLL4708	3.3000	RFQ	3998	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4708		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	10 na @ 16.7 v	22 v
CDLL4713	3.4950	RFQ	8250	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4713		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	10 na @ 22.8 v	30 v
CDLL4622	3.7500	RFQ	4983	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA	CDLL4622		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	2.5 µa @ 2 v	3.9 v	1650 옴
CDLL4732	2.4450	RFQ	8398	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4732			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 1 v	4.7 v	8 옴
CDLL4734A	3.8250	RFQ	2315	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4734			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 2 v	5.6 v	5 옴
CDLL4736	3.4650	RFQ	9859	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4736			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	3 µa @ 4 v	6.8 v	3.5 옴
CDLL4738	3.4650	RFQ	1568	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4738			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	3 µa @ 6 v	8.2 v	4.5 옴
CDLL4678	3.3000	RFQ	9071	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA	CDLL4678		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	7.5 µa @ 1 v	1.8 v
CDLL4680	3.3000	RFQ	8301	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA	CDLL4680		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	4 µa @ 1 v	2.2 v
CDLL5227A	2.8650	RFQ	8342	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5227		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	15 µa @ 1 v	3.6 v	24 옴
CDLL5230	2.8650	RFQ	5784	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5230		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	5 µa @ 2 v	4.7 v	19 옴
CDLL5234B	4.7700	RFQ	5363	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5234		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	5 µa @ 4 v	6.2 v	7 옴
CDLL4754A	3.4650	RFQ	9420	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4754			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	100 na @ 29.7 v	39 v	60 옴
DN1509N8-G	0.9500	RFQ	6937	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	DN1509N8	MOSFET (금속 (()		TO-243AA (SOT-89)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	2,000	n 채널	90 v	360MA (TJ)	0V	6ohm @ 200ma, 0v	-	± 20V	150 pf @ 25 v	고갈 고갈	1.6W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²