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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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JANS1N5711-1 | - | ![]() | 7294 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/444 | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N5711-1 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 50 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 200 na @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 33MA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | jantxv1n6842u3/tr | 681.6900 | ![]() | 6503 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | Schottky | U3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n6842u3/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 900 mV @ 15 a | 50 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | R2025 | 33.4500 | ![]() | 2491 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-R2025 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5968CUS/TR | - | ![]() | 7702 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 5 w | e-melf | 다운로드 | 150-jans1n5968cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 ma @ 4.28 v | 5.6 v | 1 옴 | ||||||||||||||
![]() | ST3010A | 63.3000 | ![]() | 3686 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | ST3010 | 기준 | TO-204AA (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-st3010a | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 양극 양극 공통 | 100 v | 15a | 1.2 v @ 15 a | 5 µs | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 200 ° C | ||||||||||
JANS1N6663US/TR | - | ![]() | 1394 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/587 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 기준 | A, SQ-Mell | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n6663us/tr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 짐 | 600 v | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C | 500ma | - | |||||||||||||
![]() | MSASC75W45FR/TR | 213.7350 | ![]() | 9512 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | Thinkey ™ 3 | Schottky, 역, | Thinkey ™ 3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSASC75W45FR/TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 760 MV @ 75 a | 750 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 75a | - | ||||||||||||
![]() | Jan1n5189/tr | 9.6450 | ![]() | 1757 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/424 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 기준 | b, 축 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N5189/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 500 v | 1.5 v @ 9 a | 300 ns | 2 µa @ 500 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | 1N6873UTK2AS | 259.3500 | ![]() | 1555 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1N6873UTK2AS | 1 | |||||||||||||||||||||||||
1N4154-1/tr | 2.7000 | ![]() | 6653 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4154-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 350 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 35 v | 1 V @ 30 ma | 2 ns | 100 na @ 25 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 200ma | - | ||||||||||||
jantx1n4106d-1/tr | 13.7389 | ![]() | 9662 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n4106d-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 9.2 v | 12 v | 200 옴 | |||||||||||||
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![]() | CD3029B | 3.6043 | ![]() | 9000 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 1 W. | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD3029B | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 18.2 v | 24 v | 25 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N2061 | 158.8200 | ![]() | 1093 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-205AB, do-9, 스터드 | 기준 | DO-205AB (DO-9) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n2061 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 400 v | 1.3 v @ 300 a | 75 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 190 ° C | 275A | - | ||||||||||||
![]() | jantxv1n647-1/tr | - | ![]() | 1353 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/240 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 기준 | DO-35 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n647-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 짐 | 400 v | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 400ma | - | |||||||||||
![]() | CDS5545DUR-1/TR | - | ![]() | 5581 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDS5545DUR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N7053UR-1/TR | 9.4500 | ![]() | 8810 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 102 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N4123CUR-1/TR | 19.9367 | ![]() | 5860 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N4123CUR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 29.7 v | 39 v | 200 옴 | |||||||||||||
![]() | 1N3030bur-1/tr | 15.4500 | ![]() | 6009 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | |||||||||||||||
![]() | MSC2X30SDA170J | 78.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | MSC2X30 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC2X30SDA170J | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
jankca1n5529c | - | ![]() | 4268 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca1n5529c | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 8.2 v | 9.1 v | 45 옴 | ||||||||||||||
![]() | 1N5344E3/tr12 | 2.6250 | ![]() | 2053 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5344 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µa @ 5.9 v | 8.2 v | 1.5 옴 | |||||||||||
JANS1N6347D | 350.3400 | ![]() | 9971 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N6347D | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 69 v | 91 v | 270 옴 | ||||||||||||||
![]() | JANS1N6314US/TR | 127.1706 | ![]() | 3071 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | B, SQ-Mell | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans1n6314us/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 1 v | 3.9 v | 23 옴 | ||||||||||||
JAN1N6343C | 39.6300 | ![]() | 4809 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/533 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N6343C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 47 v | 62 v | 125 옴 | ||||||||||||||
![]() | jantx1n6940utk3/tr | 506.5350 | ![]() | 7845 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n6940utk3/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 500 mV @ 150 a | 5 ma @ 15 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | ||||||||||||
![]() | jantx1n6940utk3as/tr | 506.5350 | ![]() | 7506 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | Thinkey ™ 3 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | Thinkey ™ 3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx1n6940utk3as/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 500 mV @ 150 a | 5 ma @ 15 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 150a |
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