SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANTXV1N2807RB Microchip Technology jantxv1n2807rb -
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/114 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2807 25 W. TO-204AD (TO-3) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 25 µa @ 6.1 v 9.1 v 0.5 옴
JANHCA1N4110D Microchip Technology JANHCA1N4110D -
RFQ
ECAD 7932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 500MW 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4110D 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 50 NA @ 12.15 v 16 v 100 옴
1N5987UR-1/TR Microchip Technology 1N5987ur-1/tr 3.7400
RFQ
ECAD 5564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 귀 99 8541.10.0050 264 1.1 v @ 200 ma 3 v
1N4577A Microchip Technology 1N4577A 8.4300
RFQ
ECAD 4145 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1n4577a 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 50 옴
JANKCA1N5533D Microchip Technology jankca1n5533d -
RFQ
ECAD 8879 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5533d 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 11.7 v 13 v 90 옴
JANTX1N4491 Microchip Technology jantx1n4491 -
RFQ
ECAD 5615 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 250 NA @ 96 v 120 v 400 옴
1N6030UR-1 Microchip Technology 1N6030UR-1 3.5850
RFQ
ECAD 7717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N6030 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
UFR8770 Microchip Technology UFR8770 148.2150
RFQ
ECAD 1267 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 do-203ab (Do-5) - 영향을받지 영향을받지 150-UFR8770 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 700 v 1 V @ 85 a 140 ns 30 µa @ 700 v -65 ° C ~ 175 ° C 85A 155pf @ 10V, 1MHz
1N4128UR-1 Microchip Technology 1N4128UR-1 3.7950
RFQ
ECAD 8294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N4128 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 45.6 v 60 v 400 옴
JANS1N4110C-1 Microchip Technology JANS1N4110C-1 67.5450
RFQ
ECAD 6143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 12.2 v 16 v 100 옴
JANS1N4120CUR-1 Microchip Technology JANS1N4120CUR-1 97.9650
RFQ
ECAD 7858 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 22.8 v 30 v 200 옴
2N1715S Microchip Technology 2N1715S 20.3850
RFQ
ECAD 4044 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-2N1715S 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 750 MA - NPN - - -
1PMT4123E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4123E3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 4401 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4123 1 W. DO-216 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 29.65 v 39 v 200 옴
1N5370/TR8 Microchip Technology 1N5370/tr8 2.6250
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5370 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 40.3 v 56 v 35 옴
1N4741CPE3/TR12 Microchip Technology 1N4741CPE3/TR12 1.1550
RFQ
ECAD 1908 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4741 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
1PMT5929AE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5929AE3/TR7 0.7350
RFQ
ECAD 5553 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5929 3 w DO-216AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 11.4 v 15 v 8 옴
JANS1N6326DUS Microchip Technology JANS1N6326DUS 412.1550
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 1 µa @ 9 v 12 v 7 옴
JAN1N6490D Microchip Technology JAN1N6490D -
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
1N4757CPE3/TR12 Microchip Technology 1N4757cpe3/tr12 1.1550
RFQ
ECAD 2577 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4757 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
JANTX1N3154UR-1/TR Microchip Technology jantx1n3154ur-1/tr -
RFQ
ECAD 2005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/158 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n3154ur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 5.5 v 8.4 v 15 옴
JANTX1N4992CUS/TR Microchip Technology jantx1n4992cus/tr 55.9050
RFQ
ECAD 5235 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-jantx1n4992cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 206 v 270 v 800 옴
1N3317A Microchip Technology 1N3317A 49.3800
RFQ
ECAD 5630 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3317 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 13.7 v 18 v 2 옴
1PMT5944C/TR7 Microchip Technology 1 PMT5944C/TR7 2.7600
RFQ
ECAD 4625 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5944 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
1N5365A/TR8 Microchip Technology 1N5365A/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5365 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 25.9 v 36 v 11 옴
CDLL3824A Microchip Technology CDLL3824A 10.1250
RFQ
ECAD 2141 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL3824 1 W. do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
JANS1N4118CUR-1 Microchip Technology JANS1N4118CUR-1 97.9650
RFQ
ECAD 9283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 20.5 v 27 v 150 옴
1N5372CE3/TR8 Microchip Technology 1N5372CE3/tr8 -
RFQ
ECAD 5692 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5372 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 44.6 v 62 v 42 옴
JAN1N3993RA Microchip Technology JAN1N3993RA -
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/124 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 10 W. DO-213AA (DO-4) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 100 µa @ 500 mV 3.9 v 2 옴
JANTXV1N4134CUR-1 Microchip Technology jantxv1n4134cur-1 28.8000
RFQ
ECAD 1776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4134 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 69.2 v 91 v 1200 옴
1N5953D Microchip Technology 1N5953D 7.5450
RFQ
ECAD 8360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do041, 축 방향 1N5953 1.25 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고