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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
APT30DQ120KG	1.3100	RFQ	340	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	APT30DQ120	기준			TO-220 [k]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1200 v		3.3 v @ 30 a	320 ns	100 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
APTGL475DA120D3G	250.4300	RFQ	1925	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	D-3 모듈	APTGL475		2080 w	기준	D3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	하나의											트렌치 트렌치 정지	1200 v	610 a	2.2V @ 15V, 400A	5 MA	아니요			24.6 NF @ 25 v
jantx1n6773r	-	RFQ	8658	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-257-3		기준			TO-257	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.6 v @ 8 a	60 ns	10 µa @ 480 v	-	8a	200pf @ 5V, 1MHz
1N6027D	6.9600	RFQ	5290	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6027		500MW		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 99 v										130 v	950 옴
1N4621-1/tr	2.4871	RFQ	5829	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW		DO-7	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4621-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		3.5 µa @ 2 v										3.6 v	1700 옴
1N4971	6.9800	RFQ	7926	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4971		5 w			다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		2 µA @ 27.4 v										36 v	11 옴
1N759aur-1	3.0300	RFQ	6094	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA	1N759		500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 9 v										12 v	10 옴
BZV55C39	2.9400	RFQ	6020	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	BZV55C39				DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 27.3 v										39 v
jantx1n3025cur-1	37.3500	RFQ	2198	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3025		1 W.		do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 12.2 v										16 v	16 옴
jantx1n964c-1	5.6850	RFQ	9220	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N964		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 9.9 v										13 v	13 옴
jantxv1n3768r	80.8200	RFQ	6149	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/297	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3768	표준, 극성 역			DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐		1000 v		1.4 V @ 110 a		10 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	35a	-
jantx1n756dur-1	17.8950	RFQ	9794	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N756		500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 6 v										8.2 v	8 옴
MSASC100W45HR	-	RFQ	2812	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	Thinkey ™ 2		Schottky, 역,			Thinkey ™ 2	-			영향을받지 영향을받지	150-MSASC100W45HR	귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		800 mV @ 100 a		1 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 175 ° C	100A	-
JAN1N5774	-	RFQ	6439	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/474	대부분	활동적인			표면 표면	14-cflatpack		기준			14-cflatpack	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				1.5 v @ 500 ma	20 ns	100 na @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	300ma	8pf @ 0V, 1MHz
jankca1n5523b	-	RFQ	5264	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW		DO-7 (DO-204AA)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankca1n5523b	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 2.5 v										5.1 v	26 옴
jantx2n2369au	-	RFQ	1674	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/317	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음	2N2369		500MW		ub	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1													15 v			400NA					NPN	450mv @ 10ma, 100ma	20 @ 100ma, 1v	-
JAN2N2904A	10.7597	RFQ	6705	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/290	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N2904		800MW		TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1													60 v	600 MA		10µA					PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	-
jantxv1n982bur-1	7.5600	RFQ	6420	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N982		500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 56 v										75 v	270 옴
jantx1n5622	6.4600	RFQ	4581	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/427	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	a, 축 방향	1N5622	기준			a, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐		1000 v		1.3 v @ 3 a	2 µs	500 NA @ 1000 v	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
APT100GN120JDQ4	55.6400	RFQ	4345	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT100		446 w	기준	ISOTOP®	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	하나의											트렌치 트렌치 정지	1200 v	153 a	2.1V @ 15V, 100A	200 µA	아니요			6.5 NF @ 25 v
1N5740C	3.7200	RFQ	7626	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5740		500MW		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v										15 v	30 옴
CDLL6338/tr	13.1404	RFQ	9561	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			500MW		do-213ab	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL6338/tr	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		50 na @ 30 v										39 v	55 옴
jantxv1n4125ur-1/tr	10.1080	RFQ	9488	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW		DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4125ur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		10 na @ 35.8 v										47 v	250 옴
Jan1n5553/tr	7.6650	RFQ	1142	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/420	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	b, 축		기준			b, 축	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N5553/tr	귀 99	8541.10.0080	1		짐		800 v		1.3 V @ 9 a	2 µs	1 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
jantx1n3035c-1	25.5600	RFQ	9006	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3035		1 W.		DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 32.7 v										43 v	70 옴
1 PMT4133C/TR7	1.2450	RFQ	7248	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4133		1 W.		DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 66.12 v										87 v	250 옴
SBT2535A	62.1000	RFQ	3943	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	SBT2535	Schottky			TO-204AA (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-SBT2535A	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	35 v	25A	580 mV @ 25 a		2 ma @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C
1 PMT5941E3/TR7	0.7350	RFQ	5228	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5941		3 w		DO-216AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 35.8 v										47 v	67 옴
1N6022C	4.1550	RFQ	4817	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6022		500MW		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 62 v										82 v	280 옴
1N959A	2.7150	RFQ	3258	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW		DO-7	-			영향을받지 영향을받지	150-1n959a	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		50 µa @ 6.2 v										8.2 v	6.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²