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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
MQSPD25	613.7550	RFQ	3324	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
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1N1197	75.5700	RFQ	9504	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N1197	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐	500 v	1.19 v @ 90 a		10 µa @ 500 v	-65 ° C ~ 200 ° C	40a	-
1N982B	-	RFQ	9699	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v							75 v	270 옴
JAN1N4985	12.5550	RFQ	6249	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4985		5 w		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µa @ 98.8 v							130 v	190 옴
jantx1n6350us	18.0900	RFQ	4035	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 91 v							113 v	600 옴
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2N5598	43.0350	RFQ	1723	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			20 W.	TO-66 (TO-213AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5598	귀 99	8541.29.0095	1									60 v	2 a	-			PNP	850MV @ 200µA, 1MA	-	-
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jantx1n4125c-1	15.8550	RFQ	5314	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4125		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 35.8 v							47 v	250 옴
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1 PMT5946C/TR13	2.7600	RFQ	6017	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5946		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v							75 v	140 옴
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2N3016	31.9050	RFQ	2797	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			5 w	TO-5AA	-			영향을받지 영향을받지	150-2N3016	귀 99	8541.29.0095	1									50 v		-			NPN	-	-	-
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CDLL5543D/TR	16.3950	RFQ	2950	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL5543D/TR	귀 99	8541.10.0050	100			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 22.4 v							25 v	100 옴
jantxv1n6076	22.9350	RFQ	9188	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/503	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N6076	기준		e-pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.76 V @ 18.8 a	30 ns	1 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 155 ° C	1.3a	-
UZ8730	22.4400	RFQ	8962	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	a, 축 방향			1 W.	a, 축 방향	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ8730	귀 99	8541.10.0050	1					500 NA @ 22.8 v							30 v	40
1N5342B/TR8	2.6850	RFQ	3148	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5342		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		10 µa @ 4.9 v							6.8 v	1 옴
1N6932UTK1CS	259.3500	RFQ	1749	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-1N6932UTK1CS			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²