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불연속 불연속 제품 (41164)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) scr 유형 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANTXV1N4958US/TR Microchip Technology jantxv1n4958us/tr 16.1250
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4958us/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 25 µa @ 7.6 v 10 v 2 옴
1N4615E3/TR Microchip Technology 1N4615E3/tr 3.1800
RFQ
 ECAD 7732 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n4615e3/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 2 v 1250 옴
1PMT5951AE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5951AE3/TR13 0.7350
RFQ
 ECAD 2179 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5951 3 w DO-216AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 380 옴
JAN1N4478US Microchip Technology JAN1N4478US 10.8150
RFQ
 ECAD 2494 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4478 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 50 NA @ 28.8 v 36 v 27
2N5154U3 Microchip Technology 2N5154U3 107.4906
RFQ
 ECAD 7795 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
SMBJ5936AE3/TR13 Microchip Technology smbj5936ae3/tr13 0.8850
RFQ
 ECAD 3216 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5936 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22.8 v 30 v 28 옴
51HQ045 Microchip Technology 51hq045 169.3350
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 Schottky DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 51hq045ms 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 60 A 60 a -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
1N4758APE3/TR8 Microchip Technology 1N4758APE3/tr8 0.9450
RFQ
 ECAD 2991 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4758 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
1N6001UR/TR Microchip Technology 1N6001ur/tr 3.7350
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 150-1n6001ur/tr 귀 99 8541.10.0050 264 1.1 v @ 200 ma 11 v
2N5613 Microchip Technology 2N5613 74.1300
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 58 W. TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N5613 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 5 a - PNP - - -
JANTXV1N6639US Microchip Technology jantxv1n6639us 12.1650
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/609 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, d 1N6639 기준 D-5D 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.2 v @ 500 ma 4 ns 100 na @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 300ma -
JANSR2N2907A Microchip Technology JANSR2N2907A 99.0906
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N2907 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
1PMT5952C/TR13 Microchip Technology 1 PMT5952C/TR13 2.7600
RFQ
 ECAD 4557 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5952 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
APTM50H14FT3G Microchip Technology APTM50H14FT3G 94.9100
RFQ
 ECAD 8909 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTM50 MOSFET (금속 (() 208W SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 500V 26A 168mohm @ 13a, 10V 5V @ 1MA 72NC @ 10V 3259pf @ 25v -
JANS1N4570AUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4570AUR-1/TR 86.1150
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 150-jans1n4570aur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 50 2 µa @ 3 v 100 옴
2N2369AUBC/TR Microchip Technology 2N2369AUBC/TR 34.6800
RFQ
 ECAD 5735 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW UBC - 영향을받지 영향을받지 150-2N2369AUBC/TR 귀 99 8541.21.0095 100 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
JANTX1N980DUR-1 Microchip Technology jantx1n980dur-1 19.4700
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N980 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 47 v 62 v 185 옴
JANTXV1N5518C-1 Microchip Technology jantxv1n5518c-1 23.3700
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5518 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 26 옴
JANTX1N4549RB Microchip Technology jantx1n4549rb -
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/358 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 50 W. DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 150 µa @ 500 mV 3.9 v 0.16 옴
DSB1A20 Microchip Technology DSB1A20 -
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 DSB1A20 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mV @ 1 a 100 µa @ 20 v - 1A -
JANTX2N2326S Microchip Technology jantx2n2326s -
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/276 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 2 MA 200 v 800 MV - 200 µA 220 MA 민감한 민감한
JAN1N914 Microchip Technology Jan1n914 0.7200
RFQ
 ECAD 1285 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/116 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N914 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.2 v @ 50 ma 20 ns 500 NA @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 2.8pf @ 1.5v, 1MHz
JANTX2N3501UB Microchip Technology jantx2n3501ub 21.2534
RFQ
 ECAD 3573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N3501 500MW ub 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
JANS2N5154U3 Microchip Technology JANS2N5154U3 202.2102
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U3 - 영향을받지 영향을받지 2266-JANS2N5154U3 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANTXV1N751DUR-1 Microchip Technology jantxv1n751dur-1 23.9550
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N751 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
JAN1N6320DUS/TR Microchip Technology Jan1n6320dus/tr 49.0650
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-JAN1N6320DUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 2 µa @ 4 v 6.8 v 3 옴
JANTX1N5529DUR-1/TR Microchip Technology jantx1n5529dur-1/tr 42.0014
RFQ
 ECAD 3896 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5529dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 8.2 v 9.1 v 45 옴
1N712 Microchip Technology 1N712 1.9200
RFQ
 ECAD 1703 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N712 250 MW DO-35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 8.2 v 6 옴
SMBJ5941A/TR13 Microchip Technology SMBJ5941A/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5941 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
JANS1N4106CUR-1 Microchip Technology JANS1N4106CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 9701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 9.2 v 12 v 200 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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