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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
1N3340B	49.3800	RFQ	3474	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3340		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		10 µa @ 76 v							100 v	20 옴
jantxv1n3033cur-1	46.1250	RFQ	4495	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3033		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 27.4 v							36 v	50 옴
1N5343CE3/tr13	1.3350	RFQ	1436	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5343		5 w	T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,250														1.2 v @ 1 a		10 µa @ 5.4 v							7.5 v	1.5 옴
jantxv1n992dur-1	-	RFQ	4222	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.3 v @ 200 ma		500 NA @ 152 v							200 v	2500 옴
jantxv1n6486us	-	RFQ	2468	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	A, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a		50 µa @ 1 v							3.6 v	10 옴
JANS1N5301UR-1/TR	130.3050	RFQ	2479	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/463	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			500MW	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n5301ur-1/tr	귀 99	8541.10.0070	1																													100V	1.54MA	1.55V
HSM130GE3/TR13	1.0650	RFQ	4501	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						HSM130				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000
CDLL6024	2.7150	RFQ	1156	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인						CDLL6024				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1
jantxv1n752dur-1/tr	21.3864	RFQ	3160	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n752dur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2.5 v							5.6 v	11 옴
JAN2N6987U	57.6821	RFQ	4589	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/558	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	6-SMD,, 없음	2N6987		1W	6-SMD	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																				60V	600ma	10µA (ICBO)			4 PNP (()	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
Jan1n4969d	18.6750	RFQ	5110	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4969		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a		2 µa @ 22.8 v							30 v	8 옴
2N7371	288.0780	RFQ	9656	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/623	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-254-3, TO-254AA (직선 리드)			100 W.	TO-254	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-2N7371	귀 99	8541.29.0095	1																				100 v	12 a	1MA			pnp- 달링턴	3V @ 120ma, 12a	1000 @ 6A, 3V	-
JAN1N4120DUR-1/TR	24.8843	RFQ	3353	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)				DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N4120DUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		10 na @ 22.8 v							30 v	200 옴
jantxv1n6332us/tr	22.6800	RFQ	7440	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/533	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-				150-jantxv1n6332us/tr	귀 99	8541.10.0050	100														1.4 V @ 1 a		50 na @ 17 v							22 v	20 옴
1N4625D-1/TR	6.7500	RFQ	9706	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n4625d-1/tr	귀 99	8541.10.0050	140														1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v							5.1 v	1500 옴
Jan1n3312b	-	RFQ	5967	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/158	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3312		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		10 µa @ 9.9 v							13 v	1.1
JANTX2N4150	12.1163	RFQ	7138	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/394	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔	2N4150		1 W.	To-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																				70 v	10 a	10µA			NPN	2.5V @ 1A, 10A	40 @ 5a, 5V	-
jantxv1n3826cur-1	49.6200	RFQ	1241	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3826		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v							5.1 v	7 옴
UFR8760	148.2150	RFQ	2782	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준		do-203ab (Do-5)	-			영향을받지 영향을받지	150-UFR8760	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v	1 V @ 85 a	140 ns	30 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	85A	155pf @ 10V, 1MHz
jantxv1nnn4473dus/tr	56.5650	RFQ	9345	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-jantxv1n4473dus/tr	귀 99	8541.10.0050	100														1.5 v @ 1 a		50 na @ 17.6 v							22 v	14 옴
JAN1N962DUR-1/TR	12.7680	RFQ	8656	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N962DUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v							11 v	9.5 옴
Jan1n3315b	-	RFQ	4582	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		10 µa @ 12.2 v							16 v	1.6 옴
smbj4737e3/tr13	0.4350	RFQ	8376	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4737		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 5 v							7.5 v	4 옴
2N2102S	27.0522	RFQ	5066	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인						2N2102				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
jantx1n6343us	18.0900	RFQ	1677	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	SQ-Melf, b	1N6343		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 a		50 na @ 47 v							62 v	125 옴
CDLL4477	11.3550	RFQ	5495	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4477		1.5 w	do-213ab	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1 v @ 200 ma		50 NA @ 26.4 v							33 v	25 옴
jantxv1n4105dur-1	-	RFQ	3441	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		50 na @ 8.5 v							11 v	200 옴
jantxv1n986cur-1	19.3800	RFQ	3413	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA (유리)	1N986		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.3 v @ 200 ma		500 NA @ 84 v							110 v	750 옴
2N4877	16.5150	RFQ	3260	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-		구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			10 W.	TO-5AA	-			영향을받지 영향을받지	150-2N4877	귀 99	8541.29.0095	1																				60 v	4 a	-			PNP	-	-	-
MSC040SMA120S/TR	26.0800	RFQ	3031	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA		sicfet ((카바이드)		TO-268	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-MSC040SMA120S/TR	귀 99	8541.29.0095	400		n 채널	1200 v	64A (TC)	20V	50mohm @ 40a, 20V	2.6V @ 2MA	137 NC @ 20 v	+23V, -10V	1990 PF @ 1000 v	-	303W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²