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불연속 불연속 제품 (41164)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N6024UR-1 Microchip Technology 1N6024UR-1 3.5850
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N6024 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
JAN1N3030D-1 Microchip Technology Jan1n3030d-1 29.6550
RFQ
 ECAD 5970 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N3030 1 W. DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 20.6 v 27 v 35 옴
1N1344 Microchip Technology 1N1344 45.3600
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1344 기준 DO-4 (DO-203AA) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 200 v 1.3 V @ 30 a 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C 16A -
JAN1N6659 Microchip Technology Jan1n6659 213.6600
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) 기준 TO-254 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 20 a 35 ns 10 µa @ 200 v - 15a 150pf @ 10V, 1MHz
JAN1N4986US Microchip Technology JAN1N4986US 13.2600
RFQ
 ECAD 7932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4986 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 114 v 150 v 330 옴
JANTXV1N4957US/TR Microchip Technology jantxv1n4957us/tr 16.1250
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4957us/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 25 µa @ 6.9 v 9.1 v 2 옴
1N4129 Microchip Technology 1N4129 2.4450
RFQ
 ECAD 4979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 400MW DO-213AA 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 10 NA @ 47.1 v 62 v 500 옴
CDLL3037 Microchip Technology CDLL3037 15.3000
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 20% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL3037 1 W. do-213ab - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 38.8 v 51 v 95 옴
JANTXV1N6633CUS Microchip Technology jantxv1n663333cus -
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 µa @ 1 v 3.6 v 2.5 옴
JANTX1N4989CUS/TR Microchip Technology jantx1n4989cus/tr 24.7500
RFQ
 ECAD 8862 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-jantx1n4989cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 152 v 200 v 500 옴
JANTXV1N4959CUS/TR Microchip Technology jantxv1n4959cus/tr 26.5800
RFQ
 ECAD 1902 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-jantxv1n4959cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 10 µa @ 8.4 v 11 v 2.5 옴
1N6000A Microchip Technology 1N6000A 1.9950
RFQ
 ECAD 3781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6000 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.5 v 10 v 22 옴
1N4741CPE3/TR8 Microchip Technology 1N4741cpe3/tr8 1.1550
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4741 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
JAN1N3044DUR-1 Microchip Technology JAN1N3044DUR-1 40.7250
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N3044 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 76 v 100 v 350 옴
1N4737CP/TR8 Microchip Technology 1N4737cp/tr8 2.2800
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4737 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
JANS1N4478 Microchip Technology JANS1N4478 83.8650
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 NA @ 28.8 v 36 v 27
JANTX1N6313D Microchip Technology jantx1n6313d 39.7950
RFQ
 ECAD 9052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6313 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 3 µa @ 1 v 3.6 v 25 옴
JANKCA1N4621C Microchip Technology jankca1n4621c -
RFQ
 ECAD 1627 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 500MW 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n4621c 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 7.5 µa @ 2 v 3.6 v 1700 옴
CD4777 Microchip Technology CD4777 18.4950
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-CD4777 귀 99 8541.10.0050 1 8.5 v 350 옴
JANTXV1N3018D-1 Microchip Technology jantxv1n3018d-1 38.0400
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N3018 1 W. DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 6.2 v 8.2 v 4.5 옴
JAN1N4959C Microchip Technology JAN1N4959C 14.9250
RFQ
 ECAD 5667 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4959 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 10 µa @ 8.4 v 11 v 2.5 옴
JANS1N6621 Microchip Technology JANS1N6621 102.6300
RFQ
 ECAD 2456 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/585 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 기준 a, 축 방향 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 1.2 a 45 ns 500 NA @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A 10pf @ 10V, 1MHz
JAN1N3313B Microchip Technology JAN1N3313B -
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/358 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3313 50 W. DO-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 11.4 v 14 v 1.2 옴
JANTX1N5518CUR-1 Microchip Technology jantx1n5518cur-1 -
RFQ
 ECAD 6673 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 26 옴
JAN1N6337CUS/TR Microchip Technology Jan1n6337cus/tr 63.8550
RFQ
 ECAD 3893 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-JAN1N6337CUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 50 na @ 27 v 36 v 50 옴
CDS3018B-1 Microchip Technology CDS3018B-1 -
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS3018B-1 귀 99 8541.10.0050 50
1N748C Microchip Technology 1N748C 4.3050
RFQ
 ECAD 2923 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1N748C 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
1N5350AE3/TR8 Microchip Technology 1N5350AE3/tr8 2.6250
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5350 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 9.4 v 13 v 2.5 옴
JAN1N4619-1 Microchip Technology Jan1n4619-1 3.7500
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4619 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 400 na @ 1 v 3 v 1600 옴
2N4864 Microchip Technology 2N4864 15.6541
RFQ
 ECAD 3512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N4864 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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