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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 테스트 테스트 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4749UR/TR Microchip Technology 1N4749ur/tr 3.4800
RFQ
ECAD 4547 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) - 150-1n4749ur/tr 귀 99 8541.10.0050 285 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
1N823UR-1 Microchip Technology 1N823UR-1 4.7550
RFQ
ECAD 8641 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N823 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 15 옴
JANS1N4967CUS/TR Microchip Technology JANS1N4967CUS/TR 368.3100
RFQ
ECAD 7888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-JANS1N4967CUS/TR 귀 99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 18.2 v 24 v 5 옴
JANTX1N827UR-1 Microchip Technology jantx1n827ur-1 9.5100
RFQ
ECAD 1425 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/159 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 1N827 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 15 옴
JANTXV1N4123-1/TR Microchip Technology jantxv1n4123-1/tr 8.1662
RFQ
ECAD 6045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4123-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 29.7 v 39 v 200 옴
JAN1N967CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N967CUR-1/TR 10.2410
RFQ
ECAD 1658 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N967CUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 14 v 18 v 21 옴
JANS1N4970C Microchip Technology JANS1N4970C 299.3502
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4970C 귀 99 8541.10.0050 1
CDLL5541C/TR Microchip Technology CDLL5541C/TR 12.3900
RFQ
ECAD 1882 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5541C/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 19.8 v 22 v 100 옴
1N4126D Microchip Technology 1N4126D 6.1500
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1n4126d 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 38.76 v 51 v 300 옴
1N2130 Microchip Technology 1N2130 74.5200
RFQ
ECAD 4178 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 (DO-203AB) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1N2130 귀 99 8541.10.0080 1 150 v 1.25 V @ 200 a 25 µa @ 150 v -65 ° C ~ 200 ° C 70A -
CDLL5544B Microchip Technology CDLL5544B 6.4800
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL5544 500MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 25.2 v 28 v 100 옴
JAN1N827-1 Microchip Technology JAN1N827-1 6.6900
RFQ
ECAD 8754 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/159 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N827 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 15 옴
SMAJ5928E3/TR13 Microchip Technology SMAJ5928E3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 5966 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5928 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.9 v 13 v 7 옴
JAN1N4103UR-1 Microchip Technology Jan1n4103ur-1 5.7000
RFQ
ECAD 6278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4103 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 7 v 9.1 v 200 옴
JANTX1N6322C Microchip Technology jantx1n6322c 44.4750
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6322c 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 1 µa @ 6 v 8.2 v 5 옴
JAN1N4964US/TR Microchip Technology JAN1N4964US/TR 9.3600
RFQ
ECAD 8329 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-JAN1N4964US/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 13.7 v 18 v 4 옴
JANTXV1N4627UR-1 Microchip Technology jantxv1n4627ur-1 20.1900
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 1N4627 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 5 v 6.2 v 1200 옴
1N4753CE3/TR13 Microchip Technology 1N4753CE3/tr13 1.1700
RFQ
ECAD 1321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4753 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
1N3970R Microchip Technology 1N3970R 62.1150
RFQ
ECAD 6081 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 (DO-203AB) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1N3970R 귀 99 8541.10.0080 1 600 v 1.25 V @ 200 a 25 µa @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 70A -
JANTX1N4484DUS/TR Microchip Technology jantx1n4484dus/tr 49.7250
RFQ
ECAD 6655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantx1n4484dus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 49.6 v 62 v 80 옴
1N5358AE3/TR12 Microchip Technology 1N5358AE3/tr12 2.6250
RFQ
ECAD 2218 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5358 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 15.8 v 22 v 3.5 옴
JANTXV1N4496US/TR Microchip Technology jantxv1n4496us/tr 17.7750
RFQ
ECAD 6261 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantxv1n4496us/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 160 v 200 v 1500 옴
CD3830A Microchip Technology CD3830A 4.3624
RFQ
ECAD 8272 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD3830A 귀 99 8541.10.0050 1
1N4753CP/TR12 Microchip Technology 1N4753CP/TR12 2.2800
RFQ
ECAD 8497 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4753 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 27.4 v 36 v 50 옴
APT102GA60L Microchip Technology APT102GA60L 14.5900
RFQ
ECAD 7167 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT102 기준 780 W. TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 62A, 4.7OHM, 15V Pt 600 v 183 a 307 a 2.5V @ 15V, 62A 1.354mj (on), 1.614mj (OFF) 294 NC 28ns/212ns
JANS1N4496 Microchip Technology JANS1N4496 180.8100
RFQ
ECAD 2452 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 160 v 200 v 1500 옴
1N5542DUR-1 Microchip Technology 1N5542DUR-1 16.2000
RFQ
ECAD 7690 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 150-1n5542DUR-1 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 21.6 v 24 v 100 옴
1N4114URE3 Microchip Technology 1N4114ure3 3.9750
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA 1N4114 500MW DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 15.2 v 20 v 150 옴
1N2062 Microchip Technology 1N2062 158.8200
RFQ
ECAD 1455 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1n2062 귀 99 8541.10.0080 1 450 v 1.3 v @ 300 a 75 µa @ 450 v -65 ° C ~ 190 ° C 275A -
1N4707UR-1 Microchip Technology 1N4707UR-1 5.0850
RFQ
ECAD 6614 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1N4707 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 10 na @ 15.2 v 20 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고