RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CDS5535BUR-1/TR	-	RFQ	7798	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS5535BUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	50
JAN1N6768R	-	RFQ	3408	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-257-3		기준		TO-257	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.06 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 40 v	-	8a	150pf @ 5V, 1MHz
jantxv1n5525c-1/tr	20.8544	RFQ	7014	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n5525c-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 5 v							6.2 v	30 옴
Jan1n4618ur-1	6.5550	RFQ	5130	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4618		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 na @ 1 v							2.7 v	1500 옴
1N2430	102.2400	RFQ	3528	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-205AA, DO-8, 스터드		기준		DO-205AA (DO-8)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n2430	귀 99	8541.10.0080	1	짐	250 v	1.2 v @ 200 a		50 µa @ 250 v	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
CD5256	1.6350	RFQ	4369	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-CD5256	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 23 v							30 v	49 옴
1N4127ur/tr	3.9450	RFQ	7865	마이크로 마이크로 기술	MIL-STD-750	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-				150-1n4127ur/tr	귀 99	8541.10.0050	249			1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 42.6 v							56 v	300 옴
1N4611A	15.9600	RFQ	9259	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-1n4611a	귀 99	8541.10.0050	1
CDLL5545	6.4800	RFQ	4721	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5545		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 24 v							30 v	100 옴
1N4907/tr	104.3700	RFQ	1718	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			400MW	DO-7	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4907/tr	귀 99	8541.10.0050	1												12.8 v	100 옴
1N3328B	49.3800	RFQ	6893	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3328		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µa @ 32.7 v							43 v	4.5 옴
jantx1n4996us	-	RFQ	1125	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4996		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µa @ 297 v							390 v	1800 옴
1N6345US	14.6400	RFQ	2728	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6345		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 56 v							75 v	180 옴
jantxv1n4120ur-1	-	RFQ	4967	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 22.8 v							30 v	200 옴
1 PMT5931C/TR7	2.7600	RFQ	2901	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5931		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 13.7 v							18 v	12 옴
JANS1N6319D	350.3400	RFQ	4265	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	쟁반	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6319		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		5 µa @ 3.5 v							6.2 v	3 옴
jantx1n4492	12.3300	RFQ	8759	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4492		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1 v @ 200 ma		250 NA @ 104 v							130 v	500 옴
jantxv1n4128c-1/tr	20.6815	RFQ	9773	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4128c-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 45.6 v							60 v	400 옴
CDLL5238B/TR	2.7132	RFQ	4067	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			10 MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5238B/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6.5 v							8.7 v	8 옴
51hq035	169.3350	RFQ	1291	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		Schottky		DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	51hq035ms	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	35 v	60 A 60 a		2 ma @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C	60a	-
1N5261A	2.1000	RFQ	9719	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5261		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 36 v							47 v	105 옴
jantx2n5151L	14.8295	RFQ	6450	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/545	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔	2N5151		1 W.	To-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1									80 v	2 a	50µA			PNP	1.5v @ 500ma, 5a	30 @ 2.5a, 5V	-
CD5532B	2.0349	RFQ	5456	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD5532B	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		50 na @ 10.8 v							12 v	90 옴
jantxv1n6352cus	-	RFQ	6233	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 114 v							150 v	1000 옴
jantx1n6330cus	39.7950	RFQ	8507	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n6330cus	귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 14 v							18 v	14 옴
JANS1N4970/tr	74.9802	RFQ	1129	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인									다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4970/tr	귀 99	8541.10.0050	1
CDLL5239B	2.8650	RFQ	7875	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5239		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v							9.1 v	10 옴
jantx1n3828c-1	21.9600	RFQ	5133	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3828		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 3 v							6.2 v	2 옴
JANHCA1N962B	8.5785	RFQ	9777	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7 (DO-204AA)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N962B	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 8.4 v							11 v	9.5 옴
1N4555A	53.5800	RFQ	1297	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N4555		50 W.	DO-5 (DO-203AB)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µa @ 2 v							6.8 v	0.16 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²