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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 짐 레귤레이터 레귤레이터 (전류) 전압- 최대 (제한)
JANTXV1N4946 Microchip Technology jantxv1n4946 13.7700
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/359 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 1N4946 기준 a, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 1 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 12v, 1MHz
JANHCA1N5314 Microchip Technology JANHCA1N5314 -
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5314 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANSL2N5153U3 Microchip Technology JANSL2N5153U3 229.9812
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/545 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1.16 w U3 - 영향을받지 영향을받지 150-jansl2N5153U3 1 80 v 2 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANTX1N4105D-1/TR Microchip Technology jantx1n4105d-1/tr 17.9284
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4105d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 8.5 v 11 v 200 옴
APT8014L2LLG Microchip Technology APT8014L2LLG 48.2204
RFQ
 ECAD 9076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT8014 MOSFET (금속 (() 264 MAX ™ [L2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 52A (TC) 140mohm @ 26a, 10V 5V @ 5MA 285 NC @ 10 v 7238 pf @ 25 v -
GA201A Microchip Technology GA201A 71.4210
RFQ
 ECAD 2390 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 TO-18 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 5 MA 100 v 750 MV - 200 µA 1.5 v 6 a 100 NA 표준 표준
JANS1N5415US Microchip Technology JANS1N5415US 70.5900
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/411 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Melf, b 기준 B, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.5 v @ 9 a 150 ns -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
2N5793AU Microchip Technology 2N5793AU 71.0700
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N5793 600MW 유 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5793AU 귀 99 8541.21.0095 1 40V 600ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 900mv @ 30ma, 300ma 40 @ 150ma, 10V -
1N5922BUR-1 Microchip Technology 1N5922BUR-1 4.0650
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 1N5922 1.25 w do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 7.5 v 3 옴
1N1124 Microchip Technology 1N1124 38.3850
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1124 기준 DO-4 (DO-203AA) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 200 v 1.2 v @ 30 a 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
JANTXV1N6348/TR Microchip Technology jantxv1n6348/tr 13.1404
RFQ
 ECAD 5809 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6348/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 76 v 100 v 340 옴
APT1001RBVRG Microchip Technology APT1001RBVRG 14.0900
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT1001 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 11A (TC) 1ohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 225 NC @ 10 v 3660 pf @ 25 v -
JANTXV1N4584A-1 Microchip Technology jantxv1n4584a-1 34.1700
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4584 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 25 옴
CDLL5227C/TR Microchip Technology CDLL5227C/TR 6.9150
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 10 MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5227C/TR 귀 99 8541.10.0050 137 1.1 v @ 200 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
HSM835J/TR13 Microchip Technology HSM835J/TR13 2.0100
RFQ
 ECAD 5825 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC HSM835 Schottky do-214ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 620 MV @ 8 a 250 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
1N2806B Microchip Technology 1N2806B 94.8900
RFQ
 ECAD 2790 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2806 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 50 µa @ 5.4 v 8.2 v 0.4 옴
CDLL4735 Microchip Technology CDLL4735 3.4650
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL4735 do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 6.2 v 2 옴
SMAJ5923BE3/TR13 Microchip Technology SMAJ5923BE3/TR13 0.6450
RFQ
 ECAD 5046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5923 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
JANTXV1N5418US/TR Microchip Technology jantxv1n5418us/tr 16.2300
RFQ
 ECAD 3400 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/411 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SQ-Mell, e 기준 D-5B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5418us/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N825E3/TR Microchip Technology 1N825E3/tr 5.6100
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n825e3/tr 귀 99 8541.10.0050 169 2 µa @ 3 v 6.2 v 15 옴
JANTXV1N6630US Microchip Technology jantxv1n6630us 26.3700
RFQ
 ECAD 4837 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/590 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Mell, e 1N6630 기준 D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.4 V @ 1.4 a 50 ns 2 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.4a -
1N1190R Microchip Technology 1N1190R 74.5200
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1190 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 1N1190RMS 귀 99 8541.10.0080 1 짐 600 v 1.4 V @ 110 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 35a -
SMBJ4735/TR13 Microchip Technology smbj4735/tr13 0.8700
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4735 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 6.2 v 2 옴
JANS1N4582AUR-1 Microchip Technology JANS1N4582aur-1 123.7500
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 25 옴
JAN1N3890AR Microchip Technology JAN1N3890AR 333.0150
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/304 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 DO-203AA (DO-4) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.5 v @ 20 a 150 ns -65 ° C ~ 175 ° C 20A 115pf @ 10V, 1MHz
JANTXV1N4110UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n4110ur-1/tr 10.1080
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n4110ur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 12.2 v 16 v 100 옴
JANTX1N6330US/TR Microchip Technology jantx1n6330us/tr 11.9168
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6330us/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 14 v 18 v 14 옴
JANTXV1N3822CUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n3822cur-1/tr 44.1427
RFQ
 ECAD 3043 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3822cur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
CDLL5261A Microchip Technology CDLL5261A 2.8650
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF CDLL5261 10 MW do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
1N4742P/TR8 Microchip Technology 1N4742P/TR8 1.8600
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4742 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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