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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
jantxv1n4464cus/tr	31.0350	RFQ	7303	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-				150-jantxv1n4464cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		300 NA @ 5.46 v							9.1 v	4 옴
JAN1N4625D-1/TR	10.7730	RFQ	2089	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N4625D-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v							5.1 v	1500 옴
CDS5304UR-1/TR	-	RFQ	7807	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						CDS53				-			영향을받지 영향을받지	150-CDS5304UR-1/TR			50
1N5536B	1.8150	RFQ	3271	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5536		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 14.4 v							16 v	103 옴
MSASC150H45LS	-	RFQ	3948	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인										-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	100
CDLL3154A/TR	6.8400	RFQ	9280	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL3154A/TR	귀 99	8541.10.0050	1					10 µa @ 5.5 v							8.4 v	15 옴
JAN2N2920L	30.6432	RFQ	8162	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/355	대부분	활동적인		200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N2920		350MW	To-78-6	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1									60V	30ma	10µA (ICBO)			2 NPN (()	300mv @ 100µa, 1ma	300 @ 1ma, 5V	-
CDLL5232A	2.8650	RFQ	2965	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5232		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v							5.6 v	11 옴
1N5530A	1.8150	RFQ	1591	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5530a	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		50 na @ 8 v							10 v
JANS1N4575aur-1/tr	86.1150	RFQ	6232	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/452	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-				150-jans1n4575aur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	50					2 µa @ 3 v								50 옴
JAN1N3021CUR-1	32.5950	RFQ	5519	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3021		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 8.4 v							11 v	8 옴
CDLL4784	304.3350	RFQ	4448	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AA	CDLL4784		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					10 µa @ 6 v							8.5 v	100 옴
1N4923	42.3600	RFQ	3167	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4923		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												19.2 v	150 옴
jantxv1n3595us	13.5000	RFQ	5607	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				표면 표면	SQ-Melf, b		기준		B, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2266-JANTXV1N3595US	귀 99	8541.10.0070	1	짐	125 v	1 v @ 200 ma	3 µs		-65 ° C ~ 150 ° C	4a	-
JANS1N6328C	358.7400	RFQ	4789	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	b, 축			500MW	b, 축	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 na @ 11 v							15 v	10 옴
1 PMT5936BE3/TR13	0.7350	RFQ	7438	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-216AA	1pmt5936		3 w	DO-216AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 22.8 v							30 v	28 옴
JANS1N4976DUS/TR	460.3500	RFQ	7284	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-				150-jans1n4976dus/tr	귀 99	8541.10.0050	50			1.5 v @ 1 a		2 µa @ 42.6 v							56 v	35 옴
JANTX1N967B-1	2.1800	RFQ	556	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N967		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 14 v							18 v	21 옴
SMAJ4762E3/TR13	0.6450	RFQ	6868	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4762		2 w	DO-214AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 62.2 v							82 v	200 옴
1N5372C/TR8	3.3900	RFQ	3327	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5372		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 44.6 v							62 v	42 옴
jantx1n3022b-1/tr	9.2435	RFQ	5337	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n3022b-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 9.1 v							12 v	9 옴
CDLL5248	2.8650	RFQ	1507	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5248		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 14 v							18 v	21 옴
JANS1N4982DUS/TR	460.3500	RFQ	9066	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-				150-jans1n4982dus/tr	귀 99	8541.10.0050	50			1.5 v @ 1 a		2 µa @ 76 v							100 v	110 옴
CDLL5294	25.0950	RFQ	9330	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C	-	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	CDLL52		500MW	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																		100V	825µA	1.2V
1N4968	6.9150	RFQ	9341	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4968		5 w		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µa @ 20.6 v							27 v	6 옴
JANS1N4123DUR-1	147.2700	RFQ	7920	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 29.7 v							39 v	200 옴
UZ7709V	468.9900	RFQ	8639	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		스터드 스터드	마개			10 W.	축	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ7709V	귀 99	8541.10.0050	1					150 µa @ 6.9 v							9.1 v	1 옴
CDLL5237B/TR	2.7132	RFQ	3512	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF			10 MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5237B/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6.5 v							8.2 v	8 옴
jantx1n3823cur-1/tr	36.2292	RFQ	4131	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n3823cur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		25 µa @ 1 v							3.9 v	9 옴
jantx1n2974rb	-	RFQ	9248	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	DO-213AA (DO-4)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		25 µa @ 7.6 v							10 v	3 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²