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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
CDLL963D	9.7800	RFQ	5749	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-CDLL963D	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v							12 v	11.5 옴
jantxv1n4988d	23.4600	RFQ	4461	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e, 축 방향			5 w	e, 축 방향	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4988d	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a		2 µa @ 136.8 v							180 v	450 옴
jantxv1n750cur-1	19.7700	RFQ	2078	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N750		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 1.5 v							4.7 v	19 옴
UFS370G/TR13	3.0150	RFQ	1439	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-215AB, SMC GULL WING	UFS370	기준		do-215ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												700 v	1.2 v @ 3 a	60 ns	10 µa @ 700 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N5996B	-	RFQ	2644	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1N5996bms	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 5.2 v							6.8 v	8 옴
1N4700	4.3050	RFQ	3923	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		50 na @ 9.8 v							13 v
MSG140	-	RFQ	2057	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v	580 mV @ 1 a		100 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N735	-	RFQ	3886	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 10%	-	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			250 MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																							75 v	240 옴
JAN1N4991DUS	174.2250	RFQ	2976	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a		2 µa @ 182 v							240 v	650 옴
1N5355B/TR12	2.5100	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5355		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														1.2 v @ 1 a		500 na @ 13 v							18 v	2.5 옴
jantxv1n759dur-1	23.9550	RFQ	3115	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/127	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N759		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 9 v							12 v	30 옴
R38100	33.7950	RFQ	1063	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인					R38100				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
CD5255B	1.4497	RFQ	6038	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD5255B	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 200 ma		100 na @ 21 v							28 v	44 옴
CDLL823AE3/tr	5.1300	RFQ	2872	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4.84%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL823AE3/tr	귀 99	8541.10.0050	1																2 µa @ 3 v							6.2 v	15 옴
APT22F120B2	35.1400	RFQ	3588	마이크로 마이크로 기술	MOS 8 ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3 7	APT22F120	MOSFET (금속 (()		T-Max ™ [B2]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	1200 v	23A (TC)	10V	700mohm @ 12a, 10V	5V @ 2.5MA	260 NC @ 10 v	± 30V	8370 pf @ 25 v	-	1040W (TC)
jantxv1n4467c	30.7500	RFQ	9659	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4467		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1 v @ 200 ma		200 na @ 9.6 v							12 v	7 옴
jantxv2n5003	499.2608	RFQ	2212	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/535	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	섀시, 마운트 스터드	TO-210AA, TO-59-4, 스터드	2N5003		2 w	To-59	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																				80 v	5 a	50µA			PNP	1.5v @ 500ma, 5a	30 @ 2.5a, 5V	-
JANTX1N990B-1	-	RFQ	9517	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.3 v @ 200 ma		500 NA @ 122 v							160 v	1700 옴
2N4909	58.6200	RFQ	8727	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			150 W.	TO-204AD (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N4909	귀 99	8541.29.0095	1																				80 v	10 a	-			PNP	-	-	-
CDLL5252B	3.5850	RFQ	7414	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5252		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		100 na @ 18 v							24 v	33 옴
jantx1n4583a-1/tr	10.1400	RFQ	5299	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/452	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4583a-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1																2 µa @ 3 v							3 v	25 옴
CDS5712-1	-	RFQ	8143	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인									-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	50
jantxv1n2974b	-	RFQ	8453	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	DO-213AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 2 a		25 µa @ 7.6 v							10 v	3 옴
JANS1N4614DUR-1/TR	-	RFQ	2671	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS1N4614DUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	50														1.1 v @ 200 ma		3.5 µa @ 1 v							1.8 v	1200 옴
1N5373AE3/tr12	2.6250	RFQ	5311	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5373		5 w	T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000														1.2 v @ 1 a		500 NA @ 49 v							68 v	44 옴
jantx1n5968cus/tr	-	RFQ	2213	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5968cus/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 1 a		5 ma @ 4.28 v							5.6 v	1 옴
2N5872	63.9597	RFQ	9059	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인					2N5872				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
CDLL4697/tr	3.1255	RFQ	1504	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4697/tr	귀 99	8541.10.0050	1														1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 7.6 v							10 v
jantx1n2831rb	-	RFQ	5906	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AD	1N2831		10 W.	TO-204AD (TO-3)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1														1.5 v @ 2 a		10 µa @ 38.8 v							51 v	5.2 옴
1N5943CE3/tr13	-	RFQ	7453	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5943		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000														1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v							56 v	86 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²