전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N3636ub/tr | 15.4200 | ![]() | 6475 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2n3636ub/tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3314RA | 49.3800 | ![]() | 3071 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N3314 | 50 W. | DO-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 11.4 v | 15 v | 1.4 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n2808b | - | ![]() | 2562 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/114 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N2808 | 50 W. | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 25 µa @ 6.7 v | 10 v | 0.6 옴 | ||||||||||||||||||
Jan1n3030d-1 | 29.6550 | ![]() | 5970 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N3030 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | UFS505J/TR13 | 3.7650 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | UFS505 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANHCA1N985C | - | ![]() | 9313 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 500MW | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANHCA1N985C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.3 v @ 200 ma | 5 µa @ 76 v | 100 v | 500 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n7052ur-1 | 12.8250 | ![]() | 4636 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4115cur-1 | 32.7450 | ![]() | 3515 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N4115 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 16.8 v | 22 v | 150 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3825cur-1 | 49.6200 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1N3825 | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.7 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N1893 | 27.3000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 800MW | To-5 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N1893ms | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 500 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||
1N5991 | 1.9950 | ![]() | 5009 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n829ur-1 | 33.0750 | ![]() | 2932 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/159 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | DO-213AA | 1N829 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4742A/TR13 | 0.8850 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ4742 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 9.1 v | 12 v | 9 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5936P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 1561 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5936 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 22.8 v | 30 v | 28 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4111DUR-1 | 147.2700 | ![]() | 9063 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 13 v | 17 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3030B-1 | 7.6500 | ![]() | 9040 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do041, 축 방향 | 1N3030 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3810L | 18.3407 | ![]() | 9388 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N3810 | 350MW | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 250mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||
2N6275 | 92.0892 | ![]() | 4796 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N6275 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC80H15T3G | 83.6600 | ![]() | 1643 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTC80 | MOSFET (금속 (() | 277W | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 800V | 28a | 150mohm @ 14a, 10V | 3.9V @ 2MA | 180NC @ 10V | 4507pf @ 25v | - | ||||||||||||||
jantx2n4854 | 160.8900 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/421 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N4854 | 600MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||
![]() | 1N5944CPE3/TR12 | 1.2000 | ![]() | 1455 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5944 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 47.1 v | 62 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3313RA | 49.3800 | ![]() | 4630 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N3313 | 50 W. | DO-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 11.4 v | 14 v | 1.2 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3009A | 36.9900 | ![]() | 9730 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 1N3009 | 10 W. | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µa @ 98.8 v | 130 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | UZ5833 | 32.2650 | ![]() | 7857 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 5 w | b, 축 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UZ5833 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 23.7 v | 33 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3762l | - | ![]() | 3212 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/396 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 100µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100ma, 1a | 40 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N930UB | 21.5859 | ![]() | 1379 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N930 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4759CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 1984 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ4759 | 2 w | DO-214AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 47.1 v | 62 v | 125 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4126C/TR13 | 1.2450 | ![]() | 2749 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | PowerMite® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt4126 | 1 W. | DO-216 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 v @ 200 ma | 10 NA @ 38.76 v | 51 v | 250 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | CD4566A | 6.9900 | ![]() | 4836 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4566A | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.4 v | 200 옴 | |||||||||||||||||||||
1N4972 | 6.9200 | ![]() | 281 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4972 | 5 w | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 29.7 v | 39 v | 14 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고