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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
JAN1N4130CUR-1/TR	19.9367	RFQ	6886	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)					DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N4130CUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		10 na @ 51.7 v										68 v	700 옴
JANS1N5623US	90.4050	RFQ	4003	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/429	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, a		기준			A, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)				1.6 V @ 3 a	500 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
JAN1N5540C-1	11.0400	RFQ	8139	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5540		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		10 na @ 18 v										20 v	100 옴
1N5357E3/tr8	2.6250	RFQ	3884	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5357		5 w		T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 14.4 v										20 v	3 옴
jankca1n5527c	-	RFQ	3952	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW		DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankca1n5527c	귀 99	8541.10.0050	100						1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 6.8 v										7.5 v	35 옴
1 PMT4121/TR13	0.9600	RFQ	7371	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4121		1 W.		DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000						1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 25.08 v										33 v	200 옴
jantx1n6350dus	57.9000	RFQ	9942	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW		B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n6350dus	귀 99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 a		50 na @ 91 v										120 v	600 옴
MBR60200PTE3/tu	2.0100	RFQ	6493	마이크로 마이크로 기술	*	튜브	활동적인					MBR60200					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000
1N1436	38.3850	RFQ	8914	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준			DO-5 (DO-203AB)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1N1436	귀 99	8541.10.0080	1		짐		200 v		1.19 v @ 90 a	5 µs	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	30A	-
2N5628	74.1300	RFQ	4441	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			116 w		TO-204AD (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5628	귀 99	8541.29.0095	1													100 v	10 a		-					PNP	1.5v @ 1ma, 5ma	-	-
jantx1n3042cur-1/tr	33.2500	RFQ	1735	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.		do-213ab (Melf, LL41)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n3042cur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 62.2 v										82 v	200 옴
SMAJ4733CE3/TR13	0.6450	RFQ	4927	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ473		2 w		DO-214AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v										5.1 v	7 옴
jantx1n5527c-1/tr	17.5294	RFQ	2522	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5527c-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 6.8 v										7.5 v	35 옴
JANHCA1N5525C	-	RFQ	4836	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW		DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N5525C	귀 99	8541.10.0050	100						1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 5 v										6.2 v	30 옴
jantxv1n4485c	33.0000	RFQ	7869	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4485		1.5 w		DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1 v @ 200 ma		250 NA @ 54.4 v										68 v	100 옴
MBR3090CTE3/TU	1.1700	RFQ	8532	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR3090	Schottky			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	90 v	15a	800 mV @ 15 a		50 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 175 ° C
jankca1n4132	-	RFQ	6658	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW		DO-7 (DO-204AA)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankca1n4132	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 62.32 v										82 v	800 옴
1N6025B	2.7750	RFQ	7921	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6025		500MW		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 84 v										110 v	650 옴
JAN1N5811US	8.2950	RFQ	4080	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/477	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, b	1N5811	기준			B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		875 mv @ 4 a	30 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	60pf @ 10V, 1MHz
1N5351B/TR8	2.6850	RFQ	8090	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5351		5 w		T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000						1.2 v @ 1 a		1 µa @ 10.1 v										14 v	2.5 옴
1N4680/tr	3.6575	RFQ	5758	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4680/tr	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		4 µa @ 1 v										2.2 v
jantx2n335	-	RFQ	6642	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔					To-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1													45 v			-					NPN	-	-	-
JAN1N5519CUR-1	34.3800	RFQ	2720	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N5519		500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 1 v										3.6 v	24 옴
JAN1N2982RB	-	RFQ	4692	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.		DO-213AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 2 a		10 µa @ 13.7 v										18 v	4 옴
Jan1n4566aur-1	10.6050	RFQ	2993	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4566		500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1								2 µa @ 3 v										6.4 v	200 옴
CDLL4689/TR	3.3117	RFQ	6225	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW		DO-213AA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4689/tr	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v										5.1 v
aptgt100du60tg	93.5400	RFQ	5457	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP4	APTGT100		340 W.	기준	SP4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	이중, 소스 일반적인											트렌치 트렌치 정지	600 v	150 a	1.9V @ 15V, 100A	250 µA	예			6.1 NF @ 25 v
JANS1N6621US	135.4500	RFQ	3111	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, a		기준			A, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.6 V @ 2 a	45 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	1.2A	-
Jan1n972bur-1	4.4400	RFQ	2284	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N972		500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 23 v										30 v	49 옴
1N4479C	17.7000	RFQ	3019	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향			1.5 w		DO-41	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1N4479C	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		50 NA @ 31.2 v										39 v	30 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²