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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
jantx1n4550rb	-	RFQ	1213	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 10 a		150 µa @ 500 mV							4.3 v	0.16 옴
R4280TS	59.8350	RFQ	4293	마이크로 마이크로 기술	R42	대부분	활동적인			스터드 스터드	DO-205AA, DO-8, 스터드	R4280	표준, 극성 역		DO-205AA (DO-8)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐								800 v	1.2 v @ 200 a		50 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
R3180	49.0050	RFQ	6574	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-R3180			1
1N6341US	14.6400	RFQ	9778	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6341		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		50 na @ 39 v							51 v	85 옴
1N5988B-1	3.4050	RFQ	2696	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5988b-1	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		25 µa @ 1 v							3.3 v	95 옴
JANS2N2221AUBC/TR	131.1006	RFQ	6390	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/255	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			500MW	UBC	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS2N2221AUBC/TR	귀 99	8541.21.0095	50																	50 v	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
JAN1N4119-1	4.1100	RFQ	1988	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4119			DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 21.3 v							28 v	200 옴
jantxv1n5554	11.4300	RFQ	1097	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/420	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	b, 축	1N5554	기준		b, 축	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐								1000 v	1.3 V @ 9 a	2 µs	1 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	5a	-
CD5928D	-	RFQ	8285	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CD5928D	귀 99	8541.10.0050	100
APTM100H18FG	380.9825	RFQ	4773	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP6	APTM100	MOSFET (금속 (()	780W	SP6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	4 n 채널 (채널 교량)		1000V (1KV)	43A	210mohm @ 21.5a, 10V	5V @ 5MA	372NC @ 10V	10400pf @ 25v	-
1N5993CE3	3.8437	RFQ	6279	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5993CE3	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 2 v							5.1 v	50 옴
jantx1n3020c-1	21.9600	RFQ	1937	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3020		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		25 µa @ 7.6 v							10 v	7 옴
1N4483US	11.3550	RFQ	1898	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a	1N4483		1.5 w	A, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N4483USMS	귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a		250 NA @ 44.8 v							56 v	70 옴
1N4714/tr	3.6575	RFQ	3071	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7 (DO-204AA)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4714/tr	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 na @ 25 v							33 v
jantx1n3018cur-1	37.3500	RFQ	5341	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3018		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		50 µa @ 6.2 v							8.2 v	4.5 옴
jantx1n3032c-1	25.5600	RFQ	7869	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3032		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 25.1 v							33 v	45 옴
JAN1N752A-1	2.0550	RFQ	7648	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N752		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2.5 v							5.6 v	8 옴
jantx1n5545dur-1	47.2200	RFQ	3982	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N5545		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 na @ 27 v							30 v	100 옴
CDLL4129	3.4200	RFQ	7002	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4129		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		50 NA @ 47.1 v							62 v	500 옴
1N938A	9.7400	RFQ	99	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N938		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																				9 v	20 옴
JANS1N5552	81.1500	RFQ	1622	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/420	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	b, 축	1N5552	기준		b, 축	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐								600 v	1.2 v @ 9 a	2 µs	1 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1 PMT5956C/TR13	-	RFQ	6796	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5956		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 152 v							200 v	1200 옴
1N3028bur-1	15.3000	RFQ	7374	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	1N3028		1 W.	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 16.7 v							22 v	23 옴
1 PMT5941CE3/TR7	0.7350	RFQ	8923	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5941		3 w	DO-216AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 35.8 v							47 v	67 옴
jantx1n4984c	38.4300	RFQ	1762	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4984		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a		2 µa @ 91.2 v							120 v	170 옴
jantxv1n4123dur-1	36.0000	RFQ	2318	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4123		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma		10 na @ 29.7 v							39 v	200 옴
jantx1n4957us	9.6150	RFQ	6392	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4957		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a		25 µa @ 6.9 v							9.1 v	2 옴
1N4580aur-1/tr	5.5800	RFQ	8760	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-					귀 99	8541.10.0050	175													2 µa @ 3 v								25 옴
JANS1N4471	83.8650	RFQ	8993	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a		50 NA @ 14.4 v							18 v	11 옴
CDS3826B-1	-	RFQ	4192	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CDS3826B-1	귀 99	8541.10.0050	50

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²