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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 커패시턴스 커패시턴스 조건 | Q @ vr, f | 짐 | 레귤레이터 레귤레이터 (전류) | 전압- 최대 (제한) |
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GC2510-17 | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-GC2510-17 | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 0.4pf @ 6V, 1MHz | 하나의 | 15 v | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | DSB5822/tr | - | ![]() | 5384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 축 | Schottky | B, D-5D | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSB5822/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||
![]() | Jankca1n5299 | - | ![]() | 8264 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/463 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 500MW | DO-7 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca1n5299 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32MA | 1.45V | |||||||||||||||||||
jantx1n3828c-1 | 21.9600 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N3828 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µa @ 3 v | 6.2 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | CDS5226D-1 | - | ![]() | 4110 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDS5226D-1 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6330 | 124.7939 | ![]() | 8703 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N6330 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n1124a | - | ![]() | 3819 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/260 | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 기준 | DO-203AA (DO-4) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 200 v | 2.2 V @ 10 a | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | - | ||||||||||||||||||||
![]() | APTDF400U120G | 105.9800 | ![]() | 801 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | LP4 | APTDF400 | 기준 | LP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 2.5 V @ 500 a | 110 ns | 2.5 ma @ 1200 v | 450a | - | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n823ur-1/tr | 4.9950 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/159 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | - | 표면 표면 | DO-213AA | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N823UR-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3031dur-1 | 56.9100 | ![]() | 7101 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1N3031 | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 22.8 v | 30 v | 40 | |||||||||||||||||
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![]() | CDLL5539/tr | 5.9052 | ![]() | 4963 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 500MW | do-213ab | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5539/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 16 v | 19 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||
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![]() | 1N3893R | 50.8800 | ![]() | 4444 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/304 | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 1N3893 | 표준, 극성 역 | DO-203AA (DO-4) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N3893RMS | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.5 V @ 38 a | 150 ns | 10 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 12a | - | |||||||||||||||
![]() | JAN1N6942UTK3/TR | 408.7950 | ![]() | 5625 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N6942UTK3/TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 460 mV @ 50 a | 5 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | 7000pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N4987US/TR | 13.1100 | ![]() | 7645 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 121.6 v | 160 v | 350 옴 | |||||||||||||||||||||
![]() | CD5310 | 19.2450 | ![]() | 1014 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C | - | 표면 표면 | CD531 | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD5310 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 3.63MA | 2.35V | ||||||||||||||||||||
![]() | UFS520G/TR13 | 4.1400 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-215AB, SMC GULL WING | UFS520 | 기준 | do-215ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 950 MV @ 5 a | 30 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 5a | - | |||||||||||||||
JANS1N5809US | 42.7650 | ![]() | 1370 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/477 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 기준 | B, SQ-Mell | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||
![]() | smbj4762ae3/tr13 | 0.4350 | ![]() | 9031 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ4762 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 62.2 v | 82 v | 200 옴 | |||||||||||||||||
JANS1N4486DUS | 330.2550 | ![]() | 5304 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS1N4486DUS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 60 v | 75 v | 130 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5711ubd | 120.5850 | ![]() | 3875 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/444 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | Schottky | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 1 V @ 15 ma | 200 na @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | S20480 | 33.4500 | ![]() | 6513 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | S204 | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | S20480 | 기준 | DO-4 (DO-203AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 800 v | 1.2 v @ 30 a | 10 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 12a | - | |||||||||||||||||
JANS1N827-1 | 166.5750 | ![]() | 6346 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/159 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||
CDLL5954C | 15.6600 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5954 | 1.25 w | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 121.6 v | 160 v | 700 옴 | ||||||||||||||||||
jantxv1n5420us | 22.4850 | ![]() | 4955 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/411 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N5420 | 기준 | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.5 v @ 9 a | 400 ns | 1 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||
JAN1N4619C-1 | 9.5850 | ![]() | 8869 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4619 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600 옴 | ||||||||||||||||||
JAN1N6634US | - | ![]() | 3343 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 5 w | D-5B | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 175 µa @ 1 v | 3.9 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N729A | 1.9200 | ![]() | 1010 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N729 | 250 MW | DO-35 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 43 v | 84 옴 | |||||||||||||||||||
jantx1n6635cus | - | ![]() | 9591 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 5 w | D-5B | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µa @ 1 v | 4.3 v | 2 옴 |
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