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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
JANSD2N2218AL	98.4404	RFQ	3372	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/251	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			800MW	TO-5AA	-			영향을받지 영향을받지	150-jansd2n2218al			1																			50 v	800 MA	10NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	-
1N4569	67.3350	RFQ	2035	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n4569	귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v							6.4 v	200 옴
JAN1N4553B	-	RFQ	8190	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 a		20 µa @ 1 v							5.6 v	0.12 옴
1N4532UR/TR	2.9000	RFQ	7869	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									-							345
Jan1n4569aur-1	89.1900	RFQ	9961	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4569		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v							6.4 v	200 옴
jantx1n4968cus/tr	29.6100	RFQ	1533	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			5 w	e-melf	-				150-jantx1n4968cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100													1.5 v @ 1 a		2 µa @ 20.6 v							27 v	6 옴
1 PMT4114CE3/TR13	0.4950	RFQ	7060	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4114		1 W.	DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 15.2 v							20 v	150 옴
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JANS1N5620US	57.3900	RFQ	7086	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/427	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, a		기준		A, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐										800 v		1.3 v @ 3 a	2 µs		-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
jantx1n6327us	26.5050	RFQ	7993	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6327		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		50 na @ 9.9 v							13 v	8 옴
1N2981A	36.9900	RFQ	1163	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N2981		10 W.	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 2 a		10 µa @ 13 v							17 v	4 옴
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CDLL3016A	16.1100	RFQ	7805	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL3016		1 W.	do-213ab	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 5.2 v							6.8 v	3.5 옴
1N5533D	14.2050	RFQ	3778	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5533d	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 11.7 v							13 v	90 옴
jankca1n751c	-	RFQ	6949	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankca1n751c	귀 99	8541.10.0050	100													1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 1 v							5.1 v	17 옴
1N4614-1	3.4650	RFQ	2172	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N4614		500MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		3.5 µa @ 1 v							1.8 v	1200 옴
1N5353BE3/tr8	2.6850	RFQ	2392	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5353		5 w	T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000													1.2 v @ 1 a		1 µa @ 11.5 v							16 v	2.5 옴
1N4148ubcd/tr	27.0900	RFQ	6480	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	3-smd,, 없음	1N4148	기준		UBC	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n4148ubcd/tr	귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1 연결 연결 시리즈	75 v	1A	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 v	-65 ° C ~ 200 ° C
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1N5832	57.4200	RFQ	7912	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N5832	Schottky		DO-5	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N5832ms	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)										20 v		520 MV @ 40 a		20 ma @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	40a	-
JAN1N5534D-1/TR	15.8137	RFQ	5173	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N5534D-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 12.6 v							14 v	100 옴
Jan1n3032bur-1/tr	11.4247	RFQ	2039	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N3032BUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 25.1 v							33 v	45 옴
CDLL4758	3.4650	RFQ	4850	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4758			do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		100 na @ 42.6 v							56 v	110 옴
jantx1n3039c-1/tr	22.7962	RFQ	1762	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n3039c-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 47.1 v							62 v	125 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²