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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N3970	62.1150	RFQ	7491	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준			DO-5 (DO-203AB)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1N3970	귀 99	8541.10.0080	1		짐												600 v	1.25 V @ 200 a		25 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 200 ° C	70A	-
1 PMT4103C/TR7	1.2450	RFQ	6882	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4103		1 W.		DO-216	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 6.92 v										9.1 v	200 옴
APT60M75JVR	82.3510	RFQ	3362	마이크로 마이크로 기술	MOS V®	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT60M75	MOSFET (금속 (()			ISOTOP®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			n 채널	600 v	62A (TC)	10V	75mohm @ 500ma, 10V	4V @ 5MA	1050 NC @ 10 v	± 30V	19800 pf @ 25 v	-	700W (TC)
1N6905UTK3CS/TR	259.3500	RFQ	6692	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인										-			영향을받지 영향을받지	150-1N6905UTK3CS/TR			100
USD245CRHR2	128.0700	RFQ	5015	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	USD245	Schottky, 역,			TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												45 v	680 mV @ 4 a		2 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 175 ° C	4a	-
2N3879	22.9600	RFQ	100	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2	2N3879		35 W.		TO-66 (TO-213AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																						75 v	7 a		4MA					NPN	1.2v @ 400ma, 4a	40 @ 500ma, 5V	-
1N3171	216.8850	RFQ	7125	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-205AB, do-9, 스터드	1N3171	기준			DO-205AB (DO-9)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N3171ms	귀 99	8541.10.0080	1		짐												700 v	1.25 V @ 240 a		75 µa @ 700 v	-65 ° C ~ 200 ° C	240A	-
smbj4745ae3/tr13	0.4350	RFQ	7439	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4745		2 w		SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 12.2 v										16 v	16 옴
1N5526BUR-1	6.5400	RFQ	6120	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA	1N5526		500MW		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 6.2 v										6.8 v	30 옴
jantx1n4124d-1	17.6700	RFQ	4419	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4124		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		10 na @ 32.7 v										43 v	250 옴
JAN1N6306R	-	RFQ	1050	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준			DO-5	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												150 v	1.18 V @ 150 a	60 ns	25 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C	70A
jantxv1n4133cur-1/tr	25.6690	RFQ	5694	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW		DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4133cur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 66.2 v										87 v	1000 옴
jantx1n3025c-1	21.9600	RFQ	6399	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3025		1 W.		DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 12.2 v										16 v	16 옴
Jan1n6858-1	-	RFQ	4390	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/444	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		Schottky			DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												50 v	1 V @ 35 MA		200 na @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	75MA	4.5pf @ 0v, 1MHz
JANSF2N2920L	207.7010	RFQ	2050	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N2920		350MW		To-78-6	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSF2N2920L			1																						60V	30ma		10µA (ICBO)					2 NPN (()	300mv @ 100µa, 1ma	300 @ 1ma, 5V	-
2N3810U	38.2700	RFQ	100	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N3810		350MW		To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																						60V	50ma		10µA (ICBO)					2 PNP (()	250mv @ 100µa, 1ma	150 @ 1ma, 5V	-
JANSD2N2369AUB	149.2002	RFQ	6857	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/317	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음			400MW		ub	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSD2N2369AUB			1																						20 v			400NA					NPN	450mv @ 10ma, 100ma	40 @ 10ma, 1v	-
jantx1n6345dus	57.9000	RFQ	3137	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW		B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n6345dus	귀 99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		50 na @ 56 v										75 v	180 옴
jantx2n3700ub	9.1000	RFQ	3437	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/391	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음	2N3700		500MW		ub	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																						80 v	1 a		10NA					NPN	500mv @ 50ma, 500ma	50 @ 500ma, 10V	-
1N6021C	4.1550	RFQ	9398	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6021		500MW		DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		100 na @ 56 v										75 v	265 옴
JANSM2N2369AUB	149.5006	RFQ	3267	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/317	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음			400MW		ub	-			영향을받지 영향을받지	150-jansm2n2369aub			1																						20 v			400NA					NPN	450mv @ 10ma, 100ma	40 @ 10ma, 1v	-
CD4484	4.3624	RFQ	8642	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	표면 표면	주사위					주사위	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD4484	귀 99	8541.10.0050	1
2N5680L	21.9184	RFQ	8632	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인										-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
jantxv1n978b-1	4.1400	RFQ	3019	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N978		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 39 v										51 v	125 옴
APTGT100BB60T3G	80.3700	RFQ	8513	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SP3	APTGT100		340 W.	기준	SP3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	반 반																				트렌치 트렌치 정지	600 v	150 a	1.9V @ 15V, 100A	250 µA	예			6.1 NF @ 25 v
jantx1n4975/tr	6.5037	RFQ	5315	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향			5 w		-	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4975/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a		2 µa @ 38.8 v										51 v	27
APT50M50JVR	66.9300	RFQ	1811	마이크로 마이크로 기술	MOS V®	튜브	활동적인			섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT50M50	MOSFET (금속 (()			ISOTOP®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			n 채널	500 v	77A (TC)		50mohm @ 500ma, 10V	4V @ 5MA	1000 nc @ 10 v		19600 pf @ 25 v	-
1 PMT4103CE3/TR13	-	RFQ	2767	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4103		1 W.		DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000															1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 6.92 v										9.1 v	200 옴
Jan1n4478dus/tr	34.7550	RFQ	8840	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w		D-5A	-				150-JAN1N4478DUS/TR	귀 99	8541.10.0050	100															1.5 v @ 1 a		50 NA @ 28.8 v										36 v	27
JANTX2N1715	-	RFQ	4107	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔					To-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1																						100 v	750 MA		-					NPN	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²