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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
jantxv2n5339p	19.2717	RFQ	8514	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/560	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv2n5339p			1																			100 v	5 a	100µA			NPN	1.2v @ 500ma, 5a	60 @ 2a, 2v	-
1N5622	5.9200	RFQ	108	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	a, 축 방향	1N5622	기준		a, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐											1000 v	1.3 v @ 3 a	2 µs	500 NA @ 1000 v	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
1N4118UR-1	3.7950	RFQ	2778	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA	1N4118		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 20.5 v							27 v	150 옴
jantx2n2222aubp/tr	12.5552	RFQ	7372	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			500MW	ub	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx2n2222aubp/tr			100																			50 v	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
1N5269B	2.5137	RFQ	5995	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5269b	귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 200 ma		100 na @ 68 v							87 v	370 옴
jantx1n6347cus	39.7950	RFQ	8575	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-jantx1n6347cus	귀 99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		50 na @ 69 v							91 v	270 옴
89100-03TXV	-	RFQ	6228	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2				TO-66 (TO-213AA)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1																					-			-	-	-	-
jantxv1n4967us	15.9750	RFQ	8427	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4967		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 1 a		2 µa @ 18.2 v							24 v	5 옴
2N5336	31.8934	RFQ	8640	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인					2N5336				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
2N6046	613.4700	RFQ	7466	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-211MB, TO-63-4, 스터드			114 w	To-63	-			영향을받지 영향을받지	150-2N6046	귀 99	8541.29.0095	1																			60 v	20 a	-			NPN	-	-	-
2N718	34.7250	RFQ	9742	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-2N718			1
1N2138R	74.5200	RFQ	2197	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		표준, 극성 역		DO-5 (DO-203AB)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n2138R	귀 99	8541.10.0080	1	짐											600 v	1.25 V @ 200 a		25 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 200 ° C	70A	-
vn0104n3-g-p013	0.6800	RFQ	3946	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	VN0104	MOSFET (금속 (()		To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	350MA (TJ)	5V, 10V	3ohm @ 1a, 10v	2.4V @ 1mA	± 20V	65 pf @ 25 v	-	1W (TC)
UZ5230	32.2650	RFQ	9545	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	b, 축			5 w	b, 축	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ5230	귀 99	8541.10.0050	1															5 µa @ 210 v							300 v	950 옴
1N4484US	11.3550	RFQ	6759	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a	1N4484		1.5 w	A, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N4484USMS	귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 1 a		250 NA @ 49.6 v							62 v	80 옴
JANTX1N974BUR-1	6.0900	RFQ	7927	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N974		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		500 na @ 27 v							36 v	70 옴
1N4582A	7.5300	RFQ	103	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-1N4582A	귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v							6.4 v	25 옴
1N6334	8.4150	RFQ	2533	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6334		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		50 na @ 21 v							27 v	27
1N5946B	3.4050	RFQ	5308	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N5946		1.25 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N5946bms	귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v							75 v	140 옴
1N5833	57.4200	RFQ	9304	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N5833	Schottky		DO-5	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N5833ms	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											30 v	550 mV @ 40 a		20 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	40a	-
jantx1n3023dur-1	46.6950	RFQ	4218	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3023		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 9.9 v							13 v	10 옴
2C5339	8.5386	RFQ	3660	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-2C5339			1
jantx1n3049bur-1	-	RFQ	2974	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1.5 w	do-213ab (Melf, LL41)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 121.6 v							160 v	1100 옴
JAN1N4100C-1	10.5000	RFQ	2849	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4100			DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 5.7 v							7.5 v	200 옴
jantxv1n6312dus	68.5350	RFQ	4091	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6312		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		5 µa @ 1 v							3.3 v	27
SMBJ5360CE3/TR13	1.0800	RFQ	3211	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5360		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 1 a		500 na @ 18 v							25 v	4 옴
SMBJ5943B/TR13	1.5600	RFQ	1600	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5943		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 42.6 v							56 v	86 옴
SMAJ4759CE3/TR13	0.6450	RFQ	1984	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ4759		2 w	DO-214AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 47.1 v							62 v	125 옴
2N3486	9.0307	RFQ	1203	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AB, to-46-3 금속 캔	2N3486		400MW	TO-46 (TO-206AB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																			60 v	600 MA	10µA (ICBO)			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
JAN1N4133CUR-1/TR	11.7838	RFQ	5486	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)				DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N413333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지 합니다서서들 때서 150-JAN1N41333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 사이 까지서들들들 들자 없들은 150 주 보인 150 주)	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 66.2 v							87 v	1000 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²