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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANTX1N976DUR-1/TR Microchip Technology jantx1n976dur-1/tr 19.4845
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n976dur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 33 v 43 v 93 옴
SMBJ5370BE3/TR13 Microchip Technology smbj5370be3/tr13 0.8250
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5370 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 40.3 v 56 v 35 옴
JANTX1N4130C-1/TR Microchip Technology jantx1n4130c-1/tr 12.1695
RFQ
 ECAD 7908 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4130c-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 51.7 v 68 v 700 옴
1N5937BPE3/TR8 Microchip Technology 1N5937BPE3/tr8 -
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5937 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
JAN1N4134CUR-1 Microchip Technology JAN1N4134CUR-1 22.3200
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4134 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 69.2 v 91 v 1200 옴
JANTXV1N5540C-1 Microchip Technology jantxv1n5540c-1 23.3700
RFQ
 ECAD 4419 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5540 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 18 v 20 v 100 옴
JANTXV1N7037CCU1 Microchip Technology jantxv1n7037ccu1 241.8300
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 표면 표면 3-smd,, 없음 1N7037 Schottky U1 (SMD-1) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n7037ccu1 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 35a 1.22 V @ 35 a 500 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
JANTXV2N3810L Microchip Technology jantxv2n3810l 32.8909
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/336 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N3810 350MW To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
1N6331 Microchip Technology 1N6331 8.4150
RFQ
 ECAD 1242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6331 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 15 v 20 v 18 옴
1N6026D Microchip Technology 1N6026D 6.9600
RFQ
 ECAD 2582 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6026 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 91 v 120 v 800 옴
1N5920A Microchip Technology 1N5920A 3.0300
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do041, 축 방향 1N5920 1.25 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 2 옴
CD0.2A40 Microchip Technology CD0.2A40 2.2650
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 주사위 Schottky 주사위 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD0.2A40 귀 99 8541.10.0040 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 500 mV @ 200 mA 5 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 50pf @ 0V, 1MHz
APT77N60BC6 Microchip Technology APT77N60BC6 13.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT77N60 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 77A (TC) 10V 41mohm @ 44.4a, 10V 3.6v @ 2.96ma 260 NC @ 10 v ± 20V 13600 pf @ 25 v - 481W (TC)
JANKCA1N4624 Microchip Technology jankca1n4624 -
RFQ
 ECAD 4609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 (DO-204AA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n4624 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 4.7 v 1550 옴
JANS1N4124D-1 Microchip Technology JANS1N4124D-1 101.3100
RFQ
 ECAD 9719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 32.7 v 43 v 250 옴
JANTX1N4370DUR-1 Microchip Technology jantx1n4370dur-1 28.9500
RFQ
 ECAD 9887 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4370 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 30 옴
1N4738AP/TR8 Microchip Technology 1N4738AP/TR8 1.8900
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4738 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
1N4627UR-1 Microchip Technology 1N4627UR-1 3.3000
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 5 v 6.2 v 1200 옴
1N5343/TR12 Microchip Technology 1N5343/TR12 2.6250
RFQ
 ECAD 7301 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5343 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 5.4 v 7.5 v 1.5 옴
JANTXV1N4617D-1 Microchip Technology jantxv1n4617d-1 18.4650
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4617 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 2.4 v 1400 옴
JAN1N6352US Microchip Technology JAN1N6352US -
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 114 v 141 v 1000 옴
JANTXV1N6635 Microchip Technology jantxv1n6635 -
RFQ
 ECAD 1554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 b, 축 5 w b, 축 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 25 µa @ 1 v 4.3 v 2 옴
CDLL5712/TR Microchip Technology CDLL5712/tr 12.4050
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA CDLL5712 Schottky DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 16 v 1 V @ 35 MA 150 na @ 16 v -65 ° C ~ 150 ° C 75MA 2pf @ 0V, 1MHz
JANTXV1N5712-1 Microchip Technology jantxv1n5712-1 26.0700
RFQ
 ECAD 5126 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/444 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 Schottky DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 16 v 1 V @ 35 MA 150 na @ 16 v -65 ° C ~ 150 ° C 33MA 2pf @ 0V, 1MHz
1N3495 Microchip Technology 1N3495 66.2550
RFQ
 ECAD 4926 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 do-21 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1n3495 귀 99 8541.10.0080 1 짐 400 v 1.1 v @ 35 a 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 35a -
JANTXV1N3037B-1 Microchip Technology jantxv1n3037b-1 11.8800
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N3037 1 W. DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 38.8 v 51 v 95 옴
JANS1N4976D Microchip Technology JANS1N4976D 374.1920
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4976D 귀 99 8541.10.0050 1
JANTX1N970B-1 Microchip Technology jantx1n970b-1 2.2500
RFQ
 ECAD 7317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N970 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 18 v 24 v 33 옴
APT10090BLLG Microchip Technology APT10090BLLG 16.8200
RFQ
 ECAD 223 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT10090 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 12A (TC) 10V 950mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 71 NC @ 10 v ± 30V 1969 pf @ 25 v - 298W (TC)
JANS1N4464/TR Microchip Technology JANS1N4464/tr 78.4202
RFQ
 ECAD 3543 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n4464/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 300 NA @ 5.46 v 9.1 v 4 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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