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불연속 불연속 제품 (41164)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JAN1N4133CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N4133CUR-1/TR 11.7838
RFQ
 ECAD 5486 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N413333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지 합니다서서들 때서 150-JAN1N41333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 사이 까지서들들들 들자 없들은 150 주 보인 150 주) 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 66.2 v 87 v 1000 옴
1N6009UR-1 Microchip Technology 1N6009UR-1 3.5850
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N6009 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
CDLL5257C Microchip Technology CDLL5257C 6.7200
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 10 MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5257C 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
JAN1N758UR-1 Microchip Technology Jan1n758ur-1 2.1900
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 400MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N758UR-1 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 10 v 17 옴
JANTX1N3030CUR-1 Microchip Technology jantx1n3030cur-1 37.3500
RFQ
 ECAD 6152 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N3030 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 20.6 v 27 v 35 옴
CDLL5541B/TR Microchip Technology CDLL5541B/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 4806 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5541B/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 19.8 v 22 v 100 옴
JAN1N3024BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n3024bur-1/tr 11.4247
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N3024BUR-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
1N3893R Microchip Technology 1N3893R 50.8800
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/304 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3893 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 1N3893RMS 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 V @ 38 a 150 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
JANTX2N2222AUBP/TR Microchip Technology jantx2n2222aubp/tr 12.5552
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n2222aubp/tr 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANTX1N6353CUS/TR Microchip Technology jantx1n6353cus/tr -
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell 다운로드 150-jantx1n6353cus/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 122 v 160 v 1200 옴
JANS2N5154 Microchip Technology JANS2N5154 55.9804
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANTX1N4122D-1/TR Microchip Technology jantx1n412d-1/tr 15.1886
RFQ
 ECAD 6935 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4122d-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 27.4 v 36 v 200 옴
1N5098 Microchip Technology 1N5098 23.4000
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 축 3 w 축 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5098 귀 99 8541.10.0050 1 1 µa @ 98.8 v 130 v 375 옴
JANTXV1N5623 Microchip Technology jantxv1n5623 12.8250
RFQ
 ECAD 6723 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/429 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 1N5623 기준 a, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.6 V @ 3 a 500 ns 500 NA @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 12v, 1MHz
JANSD2N3637 Microchip Technology JANSD2N3637 129.6306
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-JANSD2N3637 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V -
JAN1N6489 Microchip Technology Jan1n6489 -
RFQ
 ECAD 4530 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 4 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
JANTX1N6351C Microchip Technology jantx1n6351c 31.8300
RFQ
 ECAD 8888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6351c 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 99 v 130 v 850 옴
CDLL6355/TR Microchip Technology CDLL6355/tr 14.8200
RFQ
 ECAD 2712 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL6355/tr 귀 99 8541.10.0050 100
JANTXV1N3026B-1/TR Microchip Technology jantxv1n3026b-1/tr 10.6799
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n3026b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
2N4901 Microchip Technology 2N4901 45.1535
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N4901 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
JANTX2N4238 Microchip Technology JANTX2N4238 40.5517
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/581 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N4238 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 100ma, 1a 30 @ 250ma, 1V -
JANS2N3637 Microchip Technology JANS2N3637 85.4100
RFQ
 ECAD 421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N3637 1 W. To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V -
JAN1N4969D Microchip Technology Jan1n4969d 18.6750
RFQ
 ECAD 5110 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4969 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 22.8 v 30 v 8 옴
APT8011JFLL Microchip Technology apt8011jfll 97.9400
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT8011 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 51A (TC) 125mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 5MA 650 NC @ 10 v 9480 pf @ 25 v -
2N3486 Microchip Technology 2N3486 9.0307
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 2N3486 400MW TO-46 (TO-206AB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 10µA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2N3774 Microchip Technology 2N3774 33.0450
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 5 w TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N3774 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 1 a - PNP - - -
JAN1N3910R Microchip Technology JAN1N3910R -
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/308 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.4 V @ 50 a 200 ns -65 ° C ~ 150 ° C 30A -
JANTXV1N5534BUR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5534bur-1/tr 17.2900
RFQ
 ECAD 2834 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5534bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 12.6 v 14 v 100 옴
1N4737CP/TR12 Microchip Technology 1N4737cp/tr12 2.2800
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4737 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 7.5 v 4 옴
JANTX2N4931 Microchip Technology JANTX2N4931 -
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/397 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 250 v 200 MA 250NA (ICBO) PNP 1.2v @ 3ma, 30ma 50 @ 30MA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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