RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	짐	레귤레이터 레귤레이터 (전류)	전압- 최대 (제한)
2N6673	98.3402	RFQ	8917	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인						2N6673				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
jantxv2n3507U4	-	RFQ	5196	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/349	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	3-smd,, 없음			1 W.	U4	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																			50 v	1 µA	1µA			NPN	1.5V @ 250MA, 2.5A	35 @ 500ma, 1V	-
2N5315	519.0900	RFQ	9426	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		스터드 스터드	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드			87 w	To-61	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5315	귀 99	8541.29.0095	1																			100 v	20 a	-			NPN	1.5v @ 1ma, 10ma	-	-
jantx2n3250a	-	RFQ	4991	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/323	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N3250		360 MW	TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																			60 v	200 MA	10µA (ICBO)			PNP	500mv @ 5ma, 50ma	50 @ 10ma, 1v	-
jantxv2n3763u4	-	RFQ	5661	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/396	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	3-smd,, 없음			1 W.	U4	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1																			60 v	1.5 a	10µA (ICBO)			PNP	900mv @ 100ma, 1a	20 @ 1a, 1.5v	-
jantx1n4616c-1/tr	12.1429	RFQ	9947	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n4616c-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 1 v							2.2 v	1300 옴
jankca1n4578a	-	RFQ	5388	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/452	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankca1n4578a	귀 99	8541.10.0050	1															2 µa @ 3 v							6.4 v	50 옴
smbj4745ae3/tr13	0.4350	RFQ	7439	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4745		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 12.2 v							16 v	16 옴
CDLL5538	6.4800	RFQ	9631	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5538		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		10 na @ 15 v							18 v	100 옴
2N4233	35.1253	RFQ	2288	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인						2N4233				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
DSB5821	-	RFQ	3808	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	DSB5821	Schottky			다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											30 v	500 mV @ 3 a		100 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
UFR3020R	56.6250	RFQ	5857	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		DO-203AA (DO-4)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											200 v	975 MV @ 30 a	35 ns	15 µa @ 200 v	175 ° C (°)	30A	140pf @ 10V, 1MHz
1N5942d	8.2950	RFQ	9355	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N5942		1.25 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 38.8 v							51 v	70 옴
1N1344A	45.3600	RFQ	5077	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인				스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N1344	기준		DO-4 (DO-203AA)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐											200 v	1.3 V @ 30 a		10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
1N5917B/tr	2.8462	RFQ	9614	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.25 w	DO-41	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5917b/tr	귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 1.5 v							4.7 v	5 옴
jantxv1n6076	22.9350	RFQ	9188	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/503	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N6076	기준		e-pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											50 v	1.76 V @ 18.8 a	30 ns	1 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 155 ° C	1.3a	-
CDLL5287	25.0950	RFQ	8625	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 175 ° C	-	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	CDLL52		500MW	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																												100V	363µA	1V
vn0109n3-g	0.9000	RFQ	7540	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	VN0109	MOSFET (금속 (()		To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	90 v	350MA (TJ)	5V, 10V	3ohm @ 1a, 10v	2.4V @ 1mA	± 20V	65 pf @ 25 v	-	1W (TC)
JANHCA1N749D	-	RFQ	6015	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANHCA1N749D	귀 99	8541.10.0050	100													1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v							4.3 v	22 옴
1N4908	25.7700	RFQ	4122	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-25 ° C ~ 100 ° C		구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N4908		400MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																						12.8 v	50 옴
CDLL5250	2.8650	RFQ	6927	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C		표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5250		10 MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		100 na @ 15 v							20 v	25 옴
1N5938CE3/tr13	-	RFQ	5890	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C		구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5938		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27.4 v							36 v	38 옴
jantx1n980d-1/tr	8.7248	RFQ	8045	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N980		500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n980d-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 47 v							62 v	185 옴
jantxv1n4617d-1	18.4650	RFQ	6689	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4617		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 1 v							2.4 v	1400 옴
jantxv1n5712-1	26.0700	RFQ	5126	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/444	대부분	활동적인				구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		Schottky		DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도											16 v	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 v	-65 ° C ~ 150 ° C	33MA	2pf @ 0V, 1MHz
Jan1n3891	257.4000	RFQ	1596	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/304	대부분	활동적인				스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		기준		DO-203AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											200 v	1.5 V @ 38 a	200 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	12a	115pf @ 10V, 1MHz
SMBJ5356B/TR13	1.6650	RFQ	2072	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5356		5 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 1 a		500 NA @ 13.7 v							19 v	3 옴
jantxv2n5154u3/tr	93.8049	RFQ	3347	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/544	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		표면 표면	3-smd,, 없음			1 W.	U3	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv2n5154u3/tr	귀 99	8541.29.0095	1																			80 v	1 MA	1MA			NPN	1.5v @ 500ma, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
jantxv1n6635	-	RFQ	1554	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	b, 축			5 w	b, 축	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 1 a		25 µa @ 1 v							4.3 v	2 옴
2C2369A	4.6949	RFQ	8219	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인										-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-2C2369A			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²