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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 테스트 테스트 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 짐 레귤레이터 레귤레이터 (전류) 전압- 최대 (제한)
1N645-1E3/TR Microchip Technology 1N645-1E3/tr 1.5029
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n645-1e3/tr 귀 99 8541.10.0070 1 짐 225 v 1 V @ 400 mA 50 na @ 225 v -65 ° C ~ 175 ° C 400ma -
1N3288AR Microchip Technology 1N3288AR 102.2400
RFQ
 ECAD 7449 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N3288 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 1N3288ARMS 귀 99 8541.10.0080 1 짐 100 v 1.1 v @ 200 a 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
JANTX1N5539B-1/TR Microchip Technology jantx1n5539b-1/tr 6.2111
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5539b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 17.1 v 19 v 100 옴
SMBJ5361C/TR13 Microchip Technology SMBJ5361C/TR13 2.1900
RFQ
 ECAD 7994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5361 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 19.4 v 27 v 5 옴
JAN1N4104CUR-1 Microchip Technology JAN1N4104CUR-1 14.5650
RFQ
 ECAD 5710 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N4104 DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 7.6 v 10 v 200 옴
JANTXV1N6351US Microchip Technology jantxv1n6351us 22.3050
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 1N6351 500MW B, SQ-Mell 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 99 v 130 v 850 옴
1N5943CP/TR8 Microchip Technology 1N5943CP/TR8 2.2800
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5943 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 42.6 v 56 v 86 옴
JANTXV1N4946 Microchip Technology jantxv1n4946 13.7700
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/359 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 1N4946 기준 a, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 1 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 12v, 1MHz
SMBJ5372C/TR13 Microchip Technology SMBJ5372C/TR13 2.1900
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5372 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 44.6 v 62 v 42 옴
JANTX1N3034CUR-1 Microchip Technology jantx1n3034cur-1 37.3500
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N3034 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
JANS1N4471CUS Microchip Technology JANS1N4471CUS 283.8300
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N4471CUS 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 NA @ 14.4 v 18 v 11 옴
JAN1N4978C Microchip Technology JAN1N4978C 14.9250
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4978 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 51.7 v 68 v 50 옴
JAN1N974C-1 Microchip Technology JAN1N974C-1 5.7600
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N974 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 27 v 36 v 70 옴
UPS5819/TR7 Microchip Technology UPS5819/TR7 0.6150
RFQ
 ECAD 8250 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-216AA UPS5819 Schottky Powermite 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SMBJ5358B/TR13 Microchip Technology SMBJ5358B/TR13 1.6650
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5358 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 15.8 v 22 v 3.5 옴
APT33GF120B2RDQ2G Microchip Technology APT33GF120B2RDQ2G 18.1900
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT33GF120 기준 357 w 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 800V, 25A, 4.3OHM, 15V NPT 1200 v 64 a 75 a 3V @ 15V, 25A 1.315mj (on), 1.515mj (OFF) 170 NC 14ns/185ns
1N5920BUR-1/TR Microchip Technology 1N5920bur-1/tr 4.2200
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1.25 w do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 233 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 2 옴
JAN1N6636 Microchip Technology JAN1N6636 -
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 - 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N6636 귀 99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 20 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
JANTX1N964DUR-1 Microchip Technology jantx1n964dur-1 19.1250
RFQ
 ECAD 4829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N964 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
JAN1N4111C-1/TR Microchip Technology JAN1N4111C-1/TR 9.4430
RFQ
 ECAD 4412 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4111C-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 13 v 17 v 100 옴
JAN1N4465DUS Microchip Technology JAN1N4465DUS 33.4500
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4465 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 300 na @ 8 v 10 v 5 옴
JANS1N5288-1/TR Microchip Technology JANS1N5288-1/tr 100.0200
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5288-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
1N4129/TR Microchip Technology 1N4129/tr 2.3408
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 400MW DO-213AA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n4129/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 10 NA @ 47.1 v 62 v 500 옴
JAN1N3016BUR-1 Microchip Technology JAN1N3016BUR-1 13.7250
RFQ
 ECAD 3348 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N3016 1 W. do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 150 µa @ 5.2 v 6.8 v 3.5 옴
JAN1N4626-1/TR Microchip Technology Jan1n4626-1/tr 3.4580
RFQ
 ECAD 3989 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N4626-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 5.6 v 1400 옴
1N5941C Microchip Technology 1N5941C 6.7950
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do041, 축 방향 1N5941 1.25 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
1N5933BP/TR8 Microchip Technology 1N5933bp/tr8 1.8900
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5933 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
JANTX1N3821A-1 Microchip Technology jantx1n3821a-1 11.9700
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/115 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N3821 1 W. DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
UFR3010 Microchip Technology UFR3010 51.9600
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 DO-203AA (DO-4) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 30 a 35 ns 175 ° C (°) 30A 140pf @ 10V, 1MHz
1PMT4130/TR7 Microchip Technology 1 PMT4130/TR7 0.9600
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 PowerMite® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt4130 1 W. DO-216 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 10 NA @ 51.68 v 68 v 250 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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