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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
JAN1N3039DUR-1/TR	36.2558	RFQ	7816	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N3039DUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 47.1 v				62 v	125 옴
jantxv1n4472cus	45.1350	RFQ	9945	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	D-5A	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n4472cus	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 16 v				20 v	12 옴
1N3526A	2.4900	RFQ	2526	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N3526		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma						22 v	35 옴
SMBG5346C/TR13	2.8650	RFQ	8850	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5346		5 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		7.5 µa @ 6.6 v				9.1 v	2 옴
1 PMT4120E3/TR7	0.4950	RFQ	5925	마이크로 마이크로 기술	PowerMite®	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt4120		1 W.	DO-216	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 22.8 v				30 v	200 옴
1N2977BE3	37.5300	RFQ	2094	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N2977		10 W.	DO-4 (DO-203AA)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n2977be3	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µa @ 9.9 v				13 v	3 옴
CD4681C	8.2950	RFQ	9677	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-			영향을받지 영향을받지	150-CD4681C	귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v				2.4 v
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jantx1n4968us	9.5400	RFQ	9232	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4968		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µa @ 20.6 v				27 v	6 옴
Jan1n5522d-1	17.6700	RFQ	6146	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5522		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 2 v				4.7 v	22 옴
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1N5942B	3.4050	RFQ	2933	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N5942		1.25 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 38.8 v				51 v	70 옴
jantxv1n4128c-1	23.1600	RFQ	1108	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4128		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		10 na @ 45.6 v				60 v	400 옴
1N3322B	-	RFQ	1401	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N3322		50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 a		10 µa @ 18.2 v				25 v	2.7 옴
Jan1n4582aur-1/tr	9.8250	RFQ	1309	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/452	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N4582aur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1					2 µa @ 3 v				6.4 v	25 옴
1N4739UR	3.4650	RFQ	9584	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n4739ur	귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 7 v				9.1 v	5 옴
1N4112	2.4450	RFQ	8968	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인					1N4112				다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2266-1N4112	귀 99	8541.10.0050	1
2N3725ub	21.5859	RFQ	2805	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인			-	-	2N3725			-	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
1N959BE3	3.8100	RFQ	9481	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N959		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		50 µa @ 6.2 v				8.2 v	6.5 옴
SMBJ4752E3/TR13	0.4350	RFQ	3224	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ4752		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 25.1 v				33 v	45 옴
CDLL5926B	3.8100	RFQ	2756	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL5926		1.25 w	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 8.4 v				11 v	5.5 옴
JANS1N4100D-1/TR	94.7100	RFQ	7420	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANS1N4100D-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1			1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 5.7 v				7.5 v	200 옴
jantx1n3600	4.5750	RFQ	5657	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/231	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		기준		DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	50 v	1 v @ 200 ma	4 ns	100 na @ 50 v	-65 ° C ~ 175 ° C	200ma	-
R30640	40.6350	RFQ	8518	마이크로 마이크로 기술	R306	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	R30640	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐	400 v	1.25 V @ 200 a		25 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	70A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²