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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
JAN1N4974US	-	RFQ	9987	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 1 a		2 µa @ 35.8 v							47 v	25 옴
1N2795	74.5200	RFQ	4639	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준		DO-5 (DO-203AB)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1N2795	귀 99	8541.10.0080	1	짐													150 v		1.19 v @ 40 ma	5 µs	10 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 200 ° C	5a	-
JAN1N4986US	13.2600	RFQ	7932	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4986		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 1 a		2 µa @ 114 v							150 v	330 옴
2N2222AE4	3.7772	RFQ	7579	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N2222		500MW	TO-18 (TO-206AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1																						50 v	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
1N5919C	6.0300	RFQ	5188	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N5919		1.19 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v							5.6 v	2 옴
CDLL5222/TR	2.7132	RFQ	8173	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			10 MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL5222/tr	귀 99	8541.10.0050	1																1.1 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v							2.5 v	30 옴
MSC360SMA120S	7.2100	RFQ	210	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인					MSC360				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-MSC360SMA120S	귀 99	8541.29.0095	30
SMBG5363A/TR13	2.2200	RFQ	6041	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5363		5 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.6 v							30 v	8 옴
1N4760AP/TR8	1.8900	RFQ	4807	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4760		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 51.7 v							68 v	150 옴
UZ5114	32.2650	RFQ	6701	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	b, 축			5 w	b, 축	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ5114	귀 99	8541.10.0050	1																		5 µa @ 106 v							140 v	230 옴
APT50M75B2LLG	21.0600	RFQ	7827	마이크로 마이크로 기술	Power MOS 7®	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3 7	APT50M75	MOSFET (금속 (()		T-Max ™ [B2]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	500 v	57A (TC)	10V	75mohm @ 28.5a, 10V	5V @ 2.5MA	125 nc @ 10 v	± 30V	5590 pf @ 25 v	-	570W (TC)
1N5247B/tr	3.6442	RFQ	6270	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5247b/tr	귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 13 v							17 v	19 옴
SG2023J-883B	-	RFQ	7788	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	-	SG2023		-	16-CDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25																						95V	500ma	-			7 npn 달링턴	1.6V @ 500µa, 350ma	1000 @ 350MA, 2V	-
JAN1N3021D-1	25.4550	RFQ	8316	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3021		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 8.4 v							11 v	8 옴
SMBJ5915B/TR13	1.5600	RFQ	6016	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5915		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma		25 µa @ 1 v							3.9 v	7.5 옴
JAN1N4465C	16.7700	RFQ	6859	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4465		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1 v @ 200 ma		300 na @ 8 v							10 v	5 옴
1N5810	10.9200	RFQ	9248	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	축		기준		축	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5810	귀 99	8541.10.0080	1	짐															875 mv @ 4 a			-	6A	-
1N2994RB	36.9900	RFQ	8342	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N2994		10 W.	DO-4 (DO-203AA)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n2994RB	귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 2 a		10 µa @ 33 v							45 v	13 옴
JANS1N4989US/TR	108.9908	RFQ	7590	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jans1n4989us/tr	귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 1 a		2 µa @ 152 v							200 v	550 옴
S34120	39.0750	RFQ	4526	마이크로 마이크로 기술	S34	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	S341	기준		DO-5	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	짐													1200 v		1.15 V @ 90 a		10 µa @ 1200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	45A	-
APT40DQ100BCTG	-	RFQ	4165	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	APT40	기준		TO-247 [B]	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	30	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	1000 v	40a	3 V @ 40 a	250 ns	100 @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C
1N6345US	14.6400	RFQ	2728	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6345		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.4 V @ 1 a		50 na @ 56 v							75 v	180 옴
jantx1n4995cus	-	RFQ	2787	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 1 a		2 µa @ 274 v							360 v	1400 옴
1N979A	2.0700	RFQ	6653	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N979		500MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 42.6 v							56 v	150 옴
CD4153	1.3433	RFQ	2393	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	주사위		기준		주사위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CD4153	귀 99	8541.10.0040	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													50 v		880 mV @ 20 ma	4 ns	50 Na @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	20MA	2pf @ 0V, 1MHz
1N6677UR-1	9.4000	RFQ	91	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-213AA	1N6677	Schottky		DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													40 v		500 mV @ 200 mA		5 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	200ma	50pf @ 0V, 1MHz
jantxv1n978d-1	13.2450	RFQ	9675	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N978		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 39 v							51 v	125 옴
1N5969	21.1000	RFQ	71	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N5969		5 w	-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1																1.5 v @ 1 a		1 ma @ 4.74 v							6.2 v
UFS570GE3/TR13	2.3700	RFQ	3841	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-215AB, SMC GULL WING	UFS570	기준		do-215ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													700 v		1.35 V @ 5 a	60 ns	10 µa @ 700 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
1N2283	74.5200	RFQ	9307	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드		기준		DO-5 (DO-203AB)	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-1n2283	귀 99	8541.10.0080	1	짐													400 v		1.19 v @ 90 a	5 µs	10 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	20A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²