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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | 1N5934PE3/TR12 | - | ![]() | 6838 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5934 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | |||||||||||||||
![]() | 1N5822US | 81.7600 | ![]() | 137 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 1N5822 | Schottky | B, SQ-Mell | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||
1N735-1 | 1.9200 | ![]() | 2035 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | - | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 250 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n735-1 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 75 v | 240 옴 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4494US | 15.8550 | ![]() | 6436 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4494 | 1.5 w | A, SQ-Mell | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1N4494USMS | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 NA @ 128 v | 160 v | 1000 옴 | |||||||||||||||
JANS1N4109D-1 | 101.3100 | ![]() | 8661 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 50 na @ 11.4 v | 15 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4983CUS/TR | 368.3100 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 150-JANS1N4983CUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 83.6 v | 110 v | 125 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL5270C | 6.7200 | ![]() | 8300 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5270C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 69 v | 91 v | 400 옴 | |||||||||||||||||
![]() | 1N4148UR-1E3/tr | 1.5162 | ![]() | 7943 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | 1N4148 | 기준 | DO-213AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n4148ur-1e3/tr | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 1.2 v @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 200ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5943AE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 6010 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5943 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 42.6 v | 56 v | 86 옴 | |||||||||||||||
jantx1n4480c | 22.5300 | ![]() | 1676 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4480 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 na @ 34.4 v | 43 v | 40 | ||||||||||||||||
jantxv1n6624us/tr | 18.2700 | ![]() | 9116 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/585 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 기준 | D-5A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n6624us/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 900 v | 1.55 V @ 1 a | 60 ns | 500 NA @ 150 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||
jantx1n829-1 | 9.2100 | ![]() | 5103 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/159 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | - | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N829 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | |||||||||||||||||
![]() | 1N5992UR/TR | 3.7400 | ![]() | 1764 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 귀 99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 4.7 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||
jantxv1n5622us/tr | 16.6650 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/427 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 기준 | D-5A | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n5622us/tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1000 v | 1.3 v @ 3 a | 2 µs | 500 na @ 1 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||||||||
JAN1N5541B-1 | 5.5200 | ![]() | 2343 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/437 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5541 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 19.8 v | 22 v | 100 옴 | ||||||||||||||||
jantxv1n825-1/tr | 6.6300 | ![]() | 8624 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/159 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | - | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n825-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N248B | 74.5200 | ![]() | 8529 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 기준 | DO-5 (DO-203AB) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n248b | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 50 v | 1.19 v @ 90 a | 5 µs | 10 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 37a | - | |||||||||||||||
1N5521D/TR | 5.8650 | ![]() | 3777 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n5521d/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 161 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 1.5 v | 4.3 v | 18 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N823UR-1 | 4.7550 | ![]() | 8641 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 1N823 | 500MW | DO-213AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||
jantx1n6490dus/tr | - | ![]() | 3097 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/406 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | 150-jantx1n6490dus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 µa @ 1 v | 5.1 v | 7 옴 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4749ur/tr | 3.4800 | ![]() | 4547 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | - | 150-1n4749ur/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 285 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 18.2 v | 24 v | 25 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6640us | 8.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/609 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Melf, d | 1N6640 | 기준 | D-5D | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1 v @ 200 ma | 4 ns | 100 na @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 300ma | - | |||||||||||||
![]() | UPS140E3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 1977 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-216AA | UPS140 | Schottky | Powermite | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 450 mV @ 1 a | 400 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | JANS1N4967CUS/TR | 368.3100 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/356 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 5 w | e-melf | - | 150-JANS1N4967CUS/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 18.2 v | 24 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||
JAN2N697S | - | ![]() | 3834 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/99 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 600MW | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 10µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||
1N5252A | 4.2300 | ![]() | 5728 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5252 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 17.1 v | 24 v | 33 옴 | |||||||||||||||||
jantxv1n978c-1/tr | 11.8769 | ![]() | 6237 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n978c-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 500 NA @ 39 v | 51 v | 125 옴 | |||||||||||||||||
CDLL5525 | 6.4800 | ![]() | 6098 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5525 | 500MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 4.5 v | 6.2 v | 30 옴 | ||||||||||||||||
jantxv1n4123-1/tr | 8.1662 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4123-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 29.7 v | 39 v | 200 옴 | |||||||||||||||||
CDLL5544B | 6.4800 | ![]() | 1294 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5544 | 500MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 25.2 v | 28 v | 100 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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