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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1N5530A	1.8150	RFQ	1591	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5530a	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	50 na @ 8 v					10 v
MBR3090CTE3/TU	1.1700	RFQ	8532	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR3090	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	90 v	15a	800 mV @ 15 a	50 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 175 ° C
DN2470K4-G	1.0600	RFQ	5684	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DN2470	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	700 v	170ma (TJ)	0V	42ohm @ 100ma, 0v	-	± 20V	540 pf @ 25 v	고갈 고갈	2.5W (TA)
CDLL4747/tr	3.2319	RFQ	1477	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF				do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4747/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 200 ma	100 na @ 15.2 v					20 v	22 옴
jantxv1n969bur-1	7.5600	RFQ	6571	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N969		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	500 na @ 17 v					22 v	29 옴
jankca1n747d	-	RFQ	5323	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankca1n747d	귀 99	8541.10.0050	100															1.1 v @ 200 ma	10 µa @ 1 v					3.6 v	24 옴
jantxv1n5529bur-1/tr	17.2900	RFQ	2054	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n5529bur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	100 na @ 8.2 v					9.1 v	45 옴
jantx1n6316us	21.1200	RFQ	8216	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6316		500MW	B, SQ-Mell	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a	5 µa @ 1.5 v					4.7 v	17 옴
1N4483	9.5850	RFQ	7448	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N4483		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	1N4483ms	귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a	250 NA @ 44.8 v					56 v	70 옴
UZ8756	22.4400	RFQ	7382	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	a, 축 방향			1 W.	a, 축 방향	-			영향을받지 영향을받지	150-UZ8756	귀 99	8541.10.0050	1																500 NA @ 42.5 v					56 v	110 옴
1N6016B	2.0700	RFQ	7734	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N6016		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1N6016BMS	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	100 na @ 36 v					47 v	170 옴
1N4748AE3/tr13	0.8700	RFQ	4619	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4748		1 W.	DO-204AL (DO-41)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 16.7 v					22 v	23 옴
1N5993UR-1	3.5850	RFQ	4768	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인					1N5993				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1
jantxv1n6313cus/tr	54.9900	RFQ	7896	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500/533	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b			500MW	B, SQ-Mell	-				150-jantxv1n6313cus/tr	귀 99	8541.10.0050	100															1.4 V @ 1 a	3 µa @ 1 v					3.6 v	25 옴
JAN1N4470D	25.4550	RFQ	1717	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4470		1.5 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1 v @ 200 ma	50 na @ 12.8 v					16 v	10 옴
jantx1n4550rb	-	RFQ	1213	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 a	150 µa @ 500 mV					4.3 v	0.16 옴
R3180	49.0050	RFQ	6574	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-R3180			1
1N6341US	14.6400	RFQ	9778	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, b	1N6341		500MW	B, SQ-Mell	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a	50 na @ 39 v					51 v	85 옴
JANS2N2221AUBC/TR	131.1006	RFQ	6390	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/255	테이프 & tr (TR)	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			500MW	UBC	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS2N2221AUBC/TR	귀 99	8541.21.0095	50																		50 v	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
CD5928D	-	RFQ	8285	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-CD5928D	귀 99	8541.10.0050	100
1N5993CE3	3.8437	RFQ	6279	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5993CE3	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	2 µa @ 2 v					5.1 v	50 옴
jantx1n3020c-1	21.9600	RFQ	1937	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3020		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 200 ma	25 µa @ 7.6 v					10 v	7 옴
1N4714/tr	3.6575	RFQ	3071	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향			500MW	DO-7 (DO-204AA)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n4714/tr	귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	10 na @ 25 v					33 v
jantx1n5545dur-1	47.2200	RFQ	3982	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N5545		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	10 na @ 27 v					30 v	100 옴
CDLL4129	3.4200	RFQ	7002	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4129		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	50 NA @ 47.1 v					62 v	500 옴
1 PMT5956C/TR13	-	RFQ	6796	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5956		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000															1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 152 v					200 v	1200 옴
1N3028bur-1	15.3000	RFQ	7374	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	1N3028		1 W.	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 16.7 v					22 v	23 옴
jantx1n4984c	38.4300	RFQ	1762	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4984		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a	2 µa @ 91.2 v					120 v	170 옴
jantxv1n4123dur-1	36.0000	RFQ	2318	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4123		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.1 v @ 200 ma	10 na @ 29.7 v					39 v	200 옴
jantx1n4957us	9.6150	RFQ	6392	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4957		5 w	D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1															1.5 v @ 1 a	25 µa @ 6.9 v					9.1 v	2 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²