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불연속 불연속 제품 (41164)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
1 PMT5927BE3/TR13	-	RFQ	5061	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5927		3 w	DO-216AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000											1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 9.1 v					12 v	6.5 옴
89100-06TX	-	RFQ	8567	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2				TO-66 (TO-213AA)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1																-			-	-	-	-
1N5929APE3/tr8	0.9150	RFQ	5252	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5929		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500											1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 11.4 v					15 v	9 옴
R409	102.2400	RFQ	8672	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-R409			1
CDLL4922	104.3400	RFQ	8991	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA	CDLL4922		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												15 µa @ 12 v					19.2 v	150 옴
MSCSM70AM025CD3AG	880.2500	RFQ	4	마이크로 마이크로 기술	-	상자	활동적인		-	섀시 섀시	기준 기준	MSCSM70	실리콘 실리콘 (sic)	-	D3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-MSCSM70AM025CD3AG	귀 99	8541.29.0095	1	-		700V	538A (TC)	-	-	-	-	-
jantx1n4128ur-1	9.4950	RFQ	3633	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4128		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	10 na @ 45.6 v					60 v	400 옴
JANS1N6340D	350.3400	RFQ	9213	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/533	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS1N6340D	귀 99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a	50 na @ 36 v					47 v	75 옴
JAN1N3022DUR-1	40.7250	RFQ	9319	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N3022		1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 9.1 v					12 v	9 옴
1N5755D	4.6800	RFQ	8197	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5755		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											900 mV @ 10 ma	100 na @ 43 v					62 v	215 옴
1N5531B/tr	1.9950	RFQ	4992	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5531b/tr	귀 99	8541.10.0050	477											1.1 v @ 200 ma	50 na @ 9.9 v					11 v	80 옴
JAN1N4974US/TR	8.2992	RFQ	3916	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/356	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e			5 w	D-5B	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N4974US/TR	귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a	2 µa @ 35.8 v					47 v	25 옴
JANS1N6489D	-	RFQ	7055	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a	4 µa @ 1 v					4.7 v	8 옴
1N4978	6.6150	RFQ	8659	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4978		5 w		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a	2 µa @ 51.7 v					68 v	50 옴
1N5939A	3.4050	RFQ	2952	마이크로 마이크로 기술	MIL-PRF-19500	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do041, 축 방향	1N5939		1.25 w	DO-41	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 29.7 v					39 v	45 옴
jantxv1n3026d-1	-	RFQ	3661	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 13.7 v					18 v	20 옴
JANS1N4462US	91.8900	RFQ	3428	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SQ-Melf, a			1.5 w	A, SQ-Mell	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a	1 µa @ 4.5 v					7.5 v	2.5 옴
jantx1n4622cur-1	23.1600	RFQ	2546	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4622		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												2.5 µa @ 2 v					3.9 v	1650 옴
BZV55C68	2.9400	RFQ	9331	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	BZV55C68			DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	50 NA @ 47.6 v					68 v
1 PMT5941BE3/TR13	0.7350	RFQ	7624	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5941		3 w	DO-216AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,000											1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 35.8 v					47 v	67 옴
jantx1n4616cur-1	23.1600	RFQ	2551	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N4616		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1												2 µa @ 1 v					2.2 v	1300 옴
jantxv1n2980b	-	RFQ	3764	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/124	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드			10 W.	DO-213AA (DO-4)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 2 a	10 µa @ 12.2 v					16 v	4 옴
JANS1N4614CUR-1/TR	-	RFQ	8104	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-			영향을받지 영향을받지	150-JANS1N4614CUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	50											1.1 v @ 200 ma	3.5 µa @ 1 v					1.8 v	1200 옴
jantxv1n3038d-1	36.2100	RFQ	7317	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	대부분	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N3038		1 W.	DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 42.6 v					56 v	110 옴
JANS1N4483D	258.8850	RFQ	4931	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a	250 NA @ 44.8 v					56 v	70 옴
1N5712/tr	6.3300	RFQ	7742	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		Schottky		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-1n5712/tr	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도								20 v	1 V @ 35 MA	150 na @ 16 v	-65 ° C ~ 150 ° C	75MA	2pf @ 0V, 1MHz
Jan1n980bur-1	4.4400	RFQ	5924	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)	1N980		500MW	DO-213AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	500 NA @ 47 v					62 v	185 옴
JAN1N6873UTK2AS/TR	364.6950	RFQ	6241	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-JAN1N6873UTK2AS/TR			100
jantx1n5525bur-1/tr	15.5477	RFQ	8984	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5525bur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	1 µa @ 5 v					6.2 v	30 옴
jantxv1n4119d-1	28.9500	RFQ	5379	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4119		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1											1.1 v @ 200 ma	10 NA @ 21.3 v					28 v	200 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (41164)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²